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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K 10.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 G3R75 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R75MT12K 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 41A (TC) 15V 90mohm @ 20a, 15V 2.69V @ 7.5MA 54 NC @ 15 v ± 15V 1560 pf @ 800 v - 207W (TC)
MBRH15030L GeneSiC Semiconductor MBRH15030L -
RFQ
 ECAD 8124 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 150 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 150a -
MUR2520 GeneSiC Semiconductor MUR2520 10.1910
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2520gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBR8035R GeneSiC Semiconductor MBR8035R 22.1985
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR8035 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR8035RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 750 MV @ 80 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 80a -
1N3214 GeneSiC Semiconductor 1N3214 9.6500
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3214 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1040 귀 99 8541.10.0080 100 짐 600 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
S85B GeneSiC Semiconductor S85B 11.8980
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S85BGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 100 v 1.1 v @ 85 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
MBRTA80045R GeneSiC Semiconductor MBRTA80045R -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 400A 720 MV @ 400 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220 -
RFQ
 ECAD 4057 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 GC20MPS12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1336 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 20 a 0 ns 18 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 94A 1298pf @ 1v, 1MHz
MBRH20040R GeneSiC Semiconductor MBRH20040R 70.0545
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH20040 Schottky, 역, D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20040RGN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MBRTA50080R GeneSiC Semiconductor MBRTA50080R -
RFQ
 ECAD 6185 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 250A 840 mV @ 250 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N 111.7100
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GD2X SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD2X75MPS17N 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1700 v 115A (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
MBRT60030RL GeneSiC Semiconductor MBRT60030RL -
RFQ
 ECAD 9219 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 300A 580 mV @ 300 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURF20020 GeneSiC Semiconductor MURF20020 -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) murf20020gn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 100A 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH240150R GeneSiC Semiconductor MBRH240150R 76.4925
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH240150 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 880 mV @ 240 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MBRF500150 GeneSiC Semiconductor MBRF500150 -
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 250A 880 mV @ 250 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC15010T GeneSiC Semiconductor KBPC15010T 1.7953
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC15010 기준 KBPC-T 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
1N3891 GeneSiC Semiconductor 1N3891 9.3000
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3891 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
MBR3540 GeneSiC Semiconductor MBR3540 14.3280
RFQ
 ECAD 4148 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 680 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
S70QR GeneSiC Semiconductor S70QR 9.8985
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 S70Q 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S70QRGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1200 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
FR70GR05 GeneSiC Semiconductor FR70GR05 17.7855
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR70GR05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
MBR3545R GeneSiC Semiconductor MBR3545R 15.1785
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MBR3545 Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR3545RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 680 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247 -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 - 1200 v 45A (TC) - 50mohm @ 20a - - 3091 pf @ 800 v - 282W (TC)
MURT20010R GeneSiC Semiconductor MURT20010R 104.4930
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURT20010 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MURT20010RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 100A 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
S400QR GeneSiC Semiconductor S400QR 88.0320
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S400 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S400QRGN 귀 99 8541.10.0080 8 짐 1200 v 1.2 v @ 400 a 10 µa @ 50 v -60 ° C ~ 200 ° C 400A -
MBR8020R GeneSiC Semiconductor MBR8020R 22.1985
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR8020 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR8020RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 750 MV @ 80 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 80a -
MBRH20060 GeneSiC Semiconductor MBRH20060 70.0545
RFQ
 ECAD 8271 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20060GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
S150J GeneSiC Semiconductor S150J 35.5695
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 S150 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S150JGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 600 v 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
GBU8A GeneSiC Semiconductor gbu8a 0.5685
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu8agn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 50 v 8 a 단일 단일 50 v
MURH10020 GeneSiC Semiconductor murh10020 49.5120
RFQ
 ECAD 5888 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 기준 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murh10020gn 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v 100A -
MBRT30030R GeneSiC Semiconductor MBRT30030R 107.3070
RFQ
 ECAD 9622 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT30030 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT30030RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 150a 750 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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