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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
MSRT150160A GeneSiC Semiconductor MSRT150160A 38.5632
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 1 음극 음극 공통 1600 v 150a 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR12030CT GeneSiC Semiconductor MBR12030CT 68.8455
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12030 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1090 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 120A (DC) 650 A 60 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT400150R GeneSiC Semiconductor MBRT400150R 118.4160
RFQ
ECAD 5949 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT400150 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 200a 880 mV @ 200 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor MBR40035ctr 102.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR40035 Schottky, 역, 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1038 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 200a 700 mV @ 200 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20045L GeneSiC Semiconductor MBRH20045L -
RFQ
ECAD 2174 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 200 a 5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 200a -
MURF10020 GeneSiC Semiconductor MURF10020 -
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) murf10020gn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR85M05 GeneSiC Semiconductor FR85M05 23.1210
RFQ
ECAD 2520 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR85M05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 85 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
GKR26/14 GeneSiC Semiconductor GKR26/14 -
RFQ
ECAD 7752 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5 1400 v 1.55 V @ 60 a 4 ma @ 1400 v -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MSRT150100A GeneSiC Semiconductor MSRT150100A 38.5632
RFQ
ECAD 1247 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 1 음극 음극 공통 1000 v 150a 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40040CTR GeneSiC Semiconductor MBR40040CTR 102.9600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR40040 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1104 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 200a 650 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
SD41R GeneSiC Semiconductor SD41R 14.3280
RFQ
ECAD 1822 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 SD41 Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 680 mV @ 30 a 1.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
FST7345M GeneSiC Semiconductor FST7345M -
RFQ
ECAD 9556 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3m Schottky D61-3m - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 35a 700 mv @ 35 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
GKR240/08 GeneSiC Semiconductor GKR240/08 59.1425
RFQ
ECAD 7890 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 GKR240 기준 DO-205AB (DO-9) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8 800 v 1.4 V @ 60 a 60 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
MBRH12030 GeneSiC Semiconductor MBRH12030 60.0375
RFQ
ECAD 4402 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbrh12030gn 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 650 mV @ 120 a 4 ma @ 20 v 120a -
MBRH20035 GeneSiC Semiconductor MBRH20035 70.0545
RFQ
ECAD 7861 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20035GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MSRT15080D GeneSiC Semiconductor MSRT15080D 98.8155
RFQ
ECAD 2121 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT15080D 귀 99 8541.10.0080 40 1 연결 연결 시리즈 800 v 150a 1.1 v @ 150 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60040R GeneSiC Semiconductor MBRTA60040R -
RFQ
ECAD 1837 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 300A 700 mV @ 300 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24080R GeneSiC Semiconductor MBRH24080R 76.4925
RFQ
ECAD 7139 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH24080 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 840 mV @ 240 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MUR2540R GeneSiC Semiconductor MUR2540R 10.1910
RFQ
ECAD 3464 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MUR2540 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2540rgn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBRT30035R GeneSiC Semiconductor MBRT30035R 111.0800
RFQ
ECAD 16 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT30035 Schottky, 역, 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1004 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 150a 750 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60040CTR GeneSiC Semiconductor MBR60040CTR 132.0100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR60040 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1076 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S16B GeneSiC Semiconductor S16B 4.5900
RFQ
ECAD 3371 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S16BGN 귀 99 8541.10.0080 250 100 v 1.1 v @ 16 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
S320Q GeneSiC Semiconductor S320Q 63.8625
RFQ
ECAD 4761 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S320 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S320QGN 귀 99 8541.10.0080 8 1200 v 1.2 v @ 300 a 10 µa @ 600 v -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
MBRH30035RL GeneSiC Semiconductor MBRH30035RL -
RFQ
ECAD 3999 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 35 v 600 mV @ 300 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
MBRTA800100R GeneSiC Semiconductor MBRTA800100R -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 400A 840 mV @ 400 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30030R GeneSiC Semiconductor MBRT30030R 107.3070
RFQ
ECAD 9622 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT30030 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT30030RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 150a 750 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT10060D GeneSiC Semiconductor MSRT10060D 87.1935
RFQ
ECAD 1794 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT100 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT10060D 귀 99 8541.10.0080 40 1 연결 연결 시리즈 600 v 100A 1.1 v @ 100 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16KR05 GeneSiC Semiconductor FR16KR05 8.5020
RFQ
ECAD 2467 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16KR05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.1 v @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
FR85B02 GeneSiC Semiconductor FR85B02 23.1210
RFQ
ECAD 9625 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR85B02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.4 V @ 85 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
S300YR GeneSiC Semiconductor S300yr 65.5700
RFQ
ECAD 79 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S300 표준, 극성 역 Do-9 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1080 귀 99 8541.10.0080 8 1600 v 1.2 v @ 300 a 10 µa @ 1600 v -60 ° C ~ 180 ° C 300A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고