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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
MUR7010R GeneSiC Semiconductor mur7010r 17.7855
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MUR7010 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur7010rgn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
MSRTA20060D GeneSiC Semiconductor MSRTA20060D 142.3575
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 MSRTA200 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRTA20060D 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 연결 연결 시리즈 600 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR3535R GeneSiC Semiconductor MBR3535R 15.1785
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MBR3535 Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR3535RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 680 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MURTA50060R GeneSiC Semiconductor MURTA50060R 174.1546
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURTA50060 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murta50060rgn 귀 99 8541.10.0080 24 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 250A 1.7 V @ 250 a 250 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURF40040R GeneSiC Semiconductor MURF40040R -
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 400 v 200a 1.3 V @ 200 a 180 ns 25 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA40060A GeneSiC Semiconductor MSRTA40060A 60.2552
RFQ
 ECAD 4802 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA40060 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 600 v 400A (DC) 1.2 v @ 400 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF12045R GeneSiC Semiconductor MBRF12045R -
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40035CTL GeneSiC Semiconductor MBR40035CTL -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30040 GeneSiC Semiconductor MBRT30040 107.3070
RFQ
 ECAD 4661 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1060 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 150a 750 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF40045R GeneSiC Semiconductor MBRF40045R -
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 200a 700 mV @ 200 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80035L GeneSiC Semiconductor MBRTA80035L -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 400A 600 mV @ 400 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N3214 GeneSiC Semiconductor 1N3214 9.6500
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3214 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1040 귀 99 8541.10.0080 100 짐 600 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
1N2130AR GeneSiC Semiconductor 1N2130AR 11.7300
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N2130AR 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1041 귀 99 8541.10.0080 100 짐 150 v 1.1 v @ 60 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 60a -
SD4145 GeneSiC Semiconductor SD4145 13.4625
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 680 mV @ 30 a 1.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
MBR30030CTL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTL -
RFQ
 ECAD 3031 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 150a 580 mV @ 150 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
S320KR GeneSiC Semiconductor S320KR 62.2080
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S320 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S320KRGN 귀 99 8541.10.0080 8 짐 800 v 1.2 v @ 300 a 10 µa @ 600 v -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
S70BR GeneSiC Semiconductor S70BR 9.8985
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 S70B 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S70BRGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 100 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
1N5831 GeneSiC Semiconductor 1N5831 14.0145
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N5831 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5831GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 580 mV @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N 111.7100
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GD2X SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD2X75MPS17N 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1700 v 115A (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X20MPS12D 15.2500
RFQ
 ECAD 576 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 GD2X SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 1242-GD2X20MPS12D 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 39A (DC) 1.8 V @ 20 a 0 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
GBL10 GeneSiC Semiconductor GBL10 0.4230
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL - rohs 준수 1 (무제한) gbl10gn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
1N3882R GeneSiC Semiconductor 1N3882R 5.1225
RFQ
 ECAD 1802 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3882R 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3882RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBRF12080 GeneSiC Semiconductor MBRF12080 -
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 60a 840 MV @ 60 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURH10005R GeneSiC Semiconductor murh10005r -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 표준, 극성 역 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MURH10005RGN 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v 100A -
1N5831R GeneSiC Semiconductor 1N5831R 14.8695
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N5831R Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5831RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 580 mV @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
GKR240/08 GeneSiC Semiconductor GKR240/08 59.1425
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 GKR240 기준 DO-205AB (DO-9) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8 짐 800 v 1.4 V @ 60 a 60 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
FR16B02 GeneSiC Semiconductor FR16B02 8.1330
RFQ
 ECAD 1391 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16B02GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 16 a 200 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227 -
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GC2X100 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1349 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 650 v 209A (DC) 1.8 V @ 50 a 0 ns 20 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBR50040CT GeneSiC Semiconductor MBR50040ct -
RFQ
 ECAD 4431 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR50040CTGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60060R GeneSiC Semiconductor MBRF60060R -
RFQ
 ECAD 4859 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 60 v 300A 800 mV @ 250 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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