SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
KBJ2502G GeneSiC Semiconductor KBJ2502G 0.8955
RFQ
ECAD 5493 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2502 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2502GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
MBRT120150 GeneSiC Semiconductor MBRT120150 -
RFQ
ECAD 3624 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 60a 880 mV @ 60 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16MR05 GeneSiC Semiconductor FR16MR05 8.5020
RFQ
ECAD 1123 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16MR05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.1 v @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRT12040R GeneSiC Semiconductor MBRT12040R 75.1110
RFQ
ECAD 6684 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT12040 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12040RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 60a 750 MV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA20060 GeneSiC Semiconductor MURTA20060 145.3229
RFQ
ECAD 6037 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 1 음극 음극 공통 600 v 100A 1.7 V @ 100 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBJ2508G GeneSiC Semiconductor KBJ2508G 0.8955
RFQ
ECAD 7457 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2508 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2508GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
MBRT20020R GeneSiC Semiconductor MBRT20020R 98.8155
RFQ
ECAD 1324 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT20020 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT20020RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 100A 750 MV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
W10M GeneSiC Semiconductor W10M -
RFQ
ECAD 8950 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM 기준 WOM 다운로드 1 (무제한) W10MGN 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 a 10 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
GBPC35005T GeneSiC Semiconductor GBPC35005T 2.8650
RFQ
ECAD 8664 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC35005 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
MBRH20060 GeneSiC Semiconductor MBRH20060 70.0545
RFQ
ECAD 8271 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20060GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
FR85J02 GeneSiC Semiconductor FR85J02 23.1210
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR85J02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 85 a 250 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
KBL403G GeneSiC Semiconductor KBL403G -
RFQ
ECAD 6326 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 1 (무제한) KBL403GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A120 48.6255
RFQ
ECAD 1011 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X080 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 120 v 80a 880 MV @ 80 a 3 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
FR70DR05 GeneSiC Semiconductor FR70DR05 17.7855
RFQ
ECAD 2925 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR70DR05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor MUR10020CT 75.1110
RFQ
ECAD 7359 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR10020 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MUR10020CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
S6DR GeneSiC Semiconductor S6DR 3.8625
RFQ
ECAD 7956 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S6D 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s6drgn 귀 99 8541.10.0080 250 200 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
1N3212R GeneSiC Semiconductor 1N3212R 7.0650
RFQ
ECAD 8817 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3212R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3212RGN 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12n 33.8900
RFQ
ECAD 246 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GD2X SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD2X30MPS12N 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1200 v 52A (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
GBU8J GeneSiC Semiconductor GBU8J 1.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 600 v 8 a 단일 단일 600 v
FR40G05 GeneSiC Semiconductor FR40G05 12.8985
RFQ
ECAD 5561 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR40G05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 40 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
MBRF400150 GeneSiC Semiconductor MBRF400150 -
RFQ
ECAD 8788 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBJ401G GeneSiC Semiconductor KBJ401G 0.5160
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ401 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ401GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
M3P100A-140 GeneSiC Semiconductor M3P100A-140 -
RFQ
ECAD 2821 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 100 a 10 ma @ 1400 v 100 a 3 단계 1.4kV
MBR40030CTR GeneSiC Semiconductor MBR40030CTR 98.8155
RFQ
ECAD 2747 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR40030 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr40030ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 200a 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBPM3005G GeneSiC Semiconductor KBPM3005G -
RFQ
ECAD 1007 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM3005GGN 귀 99 8541.10.0080 900 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 50 v
KBU8G GeneSiC Semiconductor KBU8G 1.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU8 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µa @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
MBRH20040R GeneSiC Semiconductor MBRH20040R 70.0545
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH20040 Schottky, 역, D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20040RGN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MUR5020 GeneSiC Semiconductor MUR5020 17.4870
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur5020gn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 50 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 50a -
FR30D02 GeneSiC Semiconductor FR30D02 10.4070
RFQ
ECAD 6600 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR30D02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
MBRT12060R GeneSiC Semiconductor MBRT12060R 75.1110
RFQ
ECAD 5412 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT12060 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12060RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 60 v 60a 800 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고