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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
BR34 GeneSiC Semiconductor BR34 0.5700
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR34GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 400 v 3 a 단일 단일 400 v
1N5827R GeneSiC Semiconductor 1N5827R 13.3005
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N5827R Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5827RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 470 mV @ 15 a 10 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 15a -
GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247 6.1080
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 GC15MPS12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1334 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 v @ 15 a 0 ns 14 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 75a 1089pf @ 1v, 1MHz
BR108 GeneSiC Semiconductor BR108 2.1100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br108gn 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
MBRH120100R GeneSiC Semiconductor MBRH120100R 60.0375
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH120100 Schottky, 역, D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH120100RGN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 mV @ 120 a 4 ma @ 20 v 120a -
FR85MR05 GeneSiC Semiconductor FR85MR05 24.1260
RFQ
 ECAD 1903 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR85MR05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 85 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
1N3212R GeneSiC Semiconductor 1N3212R 7.0650
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3212R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3212RGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 400 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MBRTA40045L GeneSiC Semiconductor MBRTA40045L -
RFQ
 ECAD 4237 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 200a 600 mV @ 200 a 5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR8035 GeneSiC Semiconductor MBR8035 21.1680
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR8035GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 750 MV @ 80 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 80a -
S16KR GeneSiC Semiconductor S16KR 4.5900
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S16K 표준, 극성 역 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s16krgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 800 v 1.1 v @ 16 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
MBRH20030R GeneSiC Semiconductor MBRH20030R 70.0545
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH20030 Schottky, 역, D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20030RGN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MBR3530R GeneSiC Semiconductor MBR3530R 15.1785
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MBR3530 Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr3530rgn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 680 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MBR7580R GeneSiC Semiconductor MBR7580R 21.9195
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR7580 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR7580RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 840 MV @ 75 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
FST10045 GeneSiC Semiconductor FST10045 65.6445
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FST10045GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 100A 650 mV @ 100 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF12020 GeneSiC Semiconductor MBRF12020 -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH240150R GeneSiC Semiconductor MBRH240150R 76.4925
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH240150 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 880 mV @ 240 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
S400Q GeneSiC Semiconductor S400Q 88.0320
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S400 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S400QGN 귀 99 8541.10.0080 8 짐 1200 v 1.2 v @ 400 a 10 µa @ 50 v -60 ° C ~ 200 ° C 400A -
MBRTA50060R GeneSiC Semiconductor MBRTA50060R -
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 60 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20030CTR GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 2533 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR20030 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1023 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 200a (DC) 650 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X100A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A120 50.2485
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X100 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 120 v 100A 880 mV @ 100 a 3 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBRT30035 GeneSiC Semiconductor MBRT30035 111.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1005 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 150a 750 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S25M GeneSiC Semiconductor S25M 5.2485
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s25mgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1000 v 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
MURH7060 GeneSiC Semiconductor murh7060 49.5120
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 기준 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 v @ 70 a 110 ns 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
MBRT600200 GeneSiC Semiconductor MBRT600200 140.2020
RFQ
 ECAD 4959 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 300A 920 MV @ 300 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA40020R GeneSiC Semiconductor MURTA40020R 159.9075
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURTA40020 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 양극 양극 공통 200 v 200a 1.3 V @ 200 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N6097 GeneSiC Semiconductor 1N6097 20.4585
RFQ
 ECAD 4524 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N6097 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N6097GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 700 mV @ 50 a 5 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 50a -
MBR7520 GeneSiC Semiconductor MBR7520 20.8845
RFQ
 ECAD 2371 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr7520gn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 650 MV @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBRTA600200 GeneSiC Semiconductor MBRTA600200 -
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 300A 920 MV @ 300 a 4 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GKN7112 GeneSiC Semiconductor GKN7112 13.8392
RFQ
 ECAD 4005 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 GKN71 기준 DO-5 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1200 v 1.5 V @ 60 a 10 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 95A -
MSRTA20060D GeneSiC Semiconductor MSRTA20060D 142.3575
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 MSRTA200 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRTA20060D 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 연결 연결 시리즈 600 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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