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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
S40DR GeneSiC Semiconductor S40DR 7.6470
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 S40D 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s40drgn 귀 99 8541.10.0080 100 짐 200 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MBRF600150R GeneSiC Semiconductor MBRF600150R -
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 300A 880 mV @ 300 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBU6A GeneSiC Semiconductor KBU6A 0.7035
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU6 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) kbu6agn 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 a 10 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
MURF40060R GeneSiC Semiconductor MURF40060R -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 200a 1.7 V @ 200 a 240 ns 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF300100R GeneSiC Semiconductor MBRF300100R -
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB MBRF3001 Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 150a 840 mV @ 150 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT500100 GeneSiC Semiconductor MBRT500100 -
RFQ
 ECAD 1383 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 1 (무제한) MBRT500100GN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 250A 880 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
UFT7340M GeneSiC Semiconductor UFT7340M -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3m 기준 D61-3m - 1 (무제한) Q11259022 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 70A 1.3 v @ 35 a 75 ns 20 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N1199A GeneSiC Semiconductor 1N1199A 4.2345
RFQ
 ECAD 3670 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1199 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1029 귀 99 8541.10.0080 250 짐 50 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
GBU4K GeneSiC Semiconductor GBU4K 0.4725
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu4kgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
MBR12020CT GeneSiC Semiconductor MBR12020CT 68.8455
RFQ
 ECAD 2134 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12020 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1069 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 120A (DC) 650 mV @ 120 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA50060R GeneSiC Semiconductor MBRTA50060R -
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 60 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80045R GeneSiC Semiconductor MBRTA80045R -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 400A 720 MV @ 400 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N3294AR GeneSiC Semiconductor 1N3294AR 33.5805
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N3294AR 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3294ARGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 800 v 1.5 v @ 100 a 13 ma @ 800 v -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
MBRF12020 GeneSiC Semiconductor MBRF12020 -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH30035RL GeneSiC Semiconductor MBRH30035RL -
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 35 v 600 mV @ 300 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
MURF40060 GeneSiC Semiconductor MURF40060 -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 200a 1.7 V @ 200 a 240 ns 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J 6.4200
RFQ
 ECAD 733 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA GD30MPS06 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD30MPS06J 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 51A 735pf @ 1v, 1MHz
MSRT150100A GeneSiC Semiconductor MSRT150100A 38.5632
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1000 v 150a 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X080A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A080 48.6255
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X080 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 80 v 80a 840 MV @ 80 a 1 ma @ 80 v -40 ° C ~ 150 ° C
UFT14005 GeneSiC Semiconductor UFT14005 -
RFQ
 ECAD 7695 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AB 기준 TO-249AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 70A 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20045 GeneSiC Semiconductor MBRH20045 75.0900
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1006 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MURT30060 GeneSiC Semiconductor MURT30060 118.4160
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt30060gn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 150a 1.7 V @ 150 a 200 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR5040R GeneSiC Semiconductor MUR5040R 17.8380
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MUR5040 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur5040rgn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 50 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 50a -
MURTA40020R GeneSiC Semiconductor MURTA40020R 159.9075
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURTA40020 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 양극 양극 공통 200 v 200a 1.3 V @ 200 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 GB50MPS17 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1345 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.8 V @ 50 a 0 ns 60 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 216A 3193pf @ 1v, 1MHz
MBR3580 GeneSiC Semiconductor MBR3580 14.3280
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR3580GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 840 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MBRH20035R GeneSiC Semiconductor MBRH20035R 70.0545
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH20035 Schottky, 역, D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20035RGN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D 7.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R450 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R450MT17D 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 9A (TC) 15V 585mohm @ 4a, 15V 2.7V @ 2MA 18 nc @ 15 v ± 15V 454 pf @ 1000 v - 88W (TC)
FR85JR02 GeneSiC Semiconductor FR85JR02 27.9100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 85 a 250 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor MBR120100CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 5300 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR120100 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR120100CTRGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 120A (DC) 840 MV @ 60 a 3 ma @ 20 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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