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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
S150M GeneSiC Semiconductor S150m 35.5695
RFQ
 ECAD 5758 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 S150 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S150MGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1000 v 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
FR6B05 GeneSiC Semiconductor FR6B05 8.1330
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR6B05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.4 v @ 6 a 500 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBR7535 GeneSiC Semiconductor MBR7535 20.8845
RFQ
 ECAD 5565 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR7535 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR7535GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 750 mV @ 75 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
MSRT200160D GeneSiC Semiconductor MSRT200160D 110.1030
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT200 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT200160D 귀 99 8541.10.0080 40 짐 1 연결 연결 시리즈 1600 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 1600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BR34 GeneSiC Semiconductor BR34 0.5700
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR34GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 400 v 3 a 단일 단일 400 v
BR108 GeneSiC Semiconductor BR108 2.1100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br108gn 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
S16KR GeneSiC Semiconductor S16KR 4.5900
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S16K 표준, 극성 역 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s16krgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 800 v 1.1 v @ 16 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
GKR71/04 GeneSiC Semiconductor GKR71/04 12.4659
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 GKR71 기준 DO-5 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 짐 400 v 1.5 V @ 60 a 10 ma @ 400 v -40 ° C ~ 180 ° C 95A -
MSRT15060D GeneSiC Semiconductor MSRT15060D 98.8155
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT15060D 귀 99 8541.10.0080 40 짐 1 연결 연결 시리즈 600 v 150a 1.1 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC1502W GeneSiC Semiconductor KBPC1502W 2.1795
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC1502 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
MUR2540R GeneSiC Semiconductor MUR2540R 10.1910
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MUR2540 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2540rgn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MSRT15080D GeneSiC Semiconductor MSRT15080D 98.8155
RFQ
 ECAD 2121 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT15080D 귀 99 8541.10.0080 40 짐 1 연결 연결 시리즈 800 v 150a 1.1 v @ 150 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor MBR12040CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 2600 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12040 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1009 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 120A (DC) 650 mV @ 120 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR12DR05 GeneSiC Semiconductor FR12DR05 6.8085
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR12DR05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
MURT20060R GeneSiC Semiconductor MURT20060R 104.4930
RFQ
 ECAD 4957 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURT20060 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MURT20060RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 100A 1.7 V @ 100 a 160 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBP201G GeneSiC Semiconductor KBP201G 0.2280
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP201 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP201GG 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 -
RFQ
 ECAD 6492 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1200 v 6A (TC) (90 ° C) - 220mohm @ 6a - - - -
FR40D02 GeneSiC Semiconductor FR40D02 12.8985
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR40D02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
MSRT200140D GeneSiC Semiconductor MSRT200140D 110.1030
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT200 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT200140D 귀 99 8541.10.0080 40 짐 1 연결 연결 시리즈 1400 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 1400 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR70MR05 GeneSiC Semiconductor FR70MR05 17.7855
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR70MR05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
S12GR GeneSiC Semiconductor S12GR 4.2345
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S12G 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S12GRGN 귀 99 8541.10.0080 250 짐 400 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
MUR2540 GeneSiC Semiconductor MUR2540 10.1910
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2540gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBR50020CTR GeneSiC Semiconductor MBR50020CTR -
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr50020ctrgn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12n 33.8900
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GD2X SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD2X30MPS12N 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1200 v 52A (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
S16Q GeneSiC Semiconductor S16Q 4.5900
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1200 v 1.1 v @ 16 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H 18.0100
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD25MPS17H 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.8 V @ 25 a 0 ns 20 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 56A 1083pf @ 1v, 1MHz
MUR7020 GeneSiC Semiconductor mur7020 17.5905
RFQ
 ECAD 7661 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1014 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
1N2128A GeneSiC Semiconductor 1N2128A 8.9025
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N2128 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N2128AGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 50 v 1.1 v @ 60 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 60a -
1N2133A GeneSiC Semiconductor 1N2133A 8.9025
RFQ
 ECAD 5410 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N2133 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N2133AGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 300 v 1.1 v @ 60 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 60a -
FR30G02 GeneSiC Semiconductor FR30G02 13.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1034 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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