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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
KBJ2508G GeneSiC Semiconductor KBJ2508G 0.8955
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2508 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2508GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
KBJ401G GeneSiC Semiconductor KBJ401G 0.5160
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ401 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ401GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
KBJ408G GeneSiC Semiconductor KBJ408G 0.5160
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ408 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ408GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
KBL403G GeneSiC Semiconductor KBL403G -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 1 (무제한) KBL403GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
KBL604G GeneSiC Semiconductor KBL604G 0.5805
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL604 기준 KBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBL604GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
KBP203 GeneSiC Semiconductor KBP203 0.3750
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP203GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
KBP206 GeneSiC Semiconductor KBP206 0.3750
RFQ
 ECAD 4816 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP206GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
KBPC15010T GeneSiC Semiconductor KBPC15010T 1.7953
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC15010 기준 KBPC-T 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
KBPC2501T GeneSiC Semiconductor KBPC2501T 2.2995
RFQ
 ECAD 4637 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC2501 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
KBPC3504T GeneSiC Semiconductor KBPC3504T 2.4720
RFQ
 ECAD 9671 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC3504 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
KBPC5004T GeneSiC Semiconductor KBPC5004T 2.5875
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC5004 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 400 v 50 a 단일 단일 400 v
KBPM3005G GeneSiC Semiconductor KBPM3005G -
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM3005GGN 귀 99 8541.10.0080 900 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 50 v
KBU1001 GeneSiC Semiconductor KBU1001 0.8205
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBU1001GN 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 100 v 10 a 단일 단일 100 v
KBU1006 GeneSiC Semiconductor KBU1006 0.8205
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBU1006GN 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
KBU1010 GeneSiC Semiconductor KBU1010 0.8205
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) kbu1010gn 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
KBU6A GeneSiC Semiconductor KBU6A 0.7035
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU6 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) kbu6agn 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 a 10 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
KBU8G GeneSiC Semiconductor KBU8G 1.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU8 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µa @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
M3P100A-140 GeneSiC Semiconductor M3P100A-140 -
RFQ
 ECAD 2821 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 100 a 10 ma @ 1400 v 100 a 3 단계 1.4kV
MBR3560 GeneSiC Semiconductor MBR3560 14.3280
RFQ
 ECAD 3183 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr3560gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MBRH200100 GeneSiC Semiconductor MBRH200100 70.0545
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH200100GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
FR6A02 GeneSiC Semiconductor FR6A02 7.1300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) fr6a02gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
GBL005 GeneSiC Semiconductor GBL005 4.7100
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
MSRTA400140A GeneSiC Semiconductor MSRTA400140A 60.2552
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA400140 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1400 v 400A (DC) 1.2 v @ 400 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURT20010R GeneSiC Semiconductor MURT20010R 104.4930
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURT20010 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MURT20010RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 100A 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 -
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1200 v 3A (TC) (95 ° C) - 460mohm @ 3a - - - 15W (TC)
G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D 12.2400
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R160 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R160MT17D 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 21A (TC) 15V 208mohm @ 12a, 15V 2.7V @ 5MA 51 NC @ 15 v ± 15V 1272 pf @ 1000 v - 175W (TC)
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K 22.5300
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 G3R30 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R30MT12K 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 90A (TC) 15V 36mohm @ 50a, 15V 2.69V @ 12mA 155 nc @ 15 v ± 15V 3901 pf @ 800 v - 400W (TC)
G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D 7.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R450 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R450MT17D 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 9A (TC) 15V 585mohm @ 4a, 15V 2.7V @ 2MA 18 nc @ 15 v ± 15V 454 pf @ 1000 v - 88W (TC)
GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A 4.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD10MPS12A 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 10 a 0 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 25A 367pf @ 1v, 1MHz
GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H 4.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD10MPS12H 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 175 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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