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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
1N3293AR GeneSiC Semiconductor 1N3293AR 33.5805
RFQ
 ECAD 5372 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N3293AR 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3293ARGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 600 v 1.5 v @ 100 a 17 ma @ 600 v -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
MURT40040R GeneSiC Semiconductor MURT40040R 134.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURT40040 표준, 극성 역 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1098 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 400 v 200a 1.35 V @ 200 a 180 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A12 51.8535
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 mur2x120 기준 SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 짐 2 독립 1200 v 120a 2.35 V @ 120 a 25 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBRT12080 GeneSiC Semiconductor MBRT12080 75.1110
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12080GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 60a 880 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GKN130/08 GeneSiC Semiconductor GKN130/08 35.0777
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 GKN130 기준 DO-205AA (DO-8) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 800 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-ga -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-257-3 1N8030 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-257 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.39 v @ 750 ma 0 ns 5 µa @ 650 v -55 ° C ~ 250 ° C 750ma 76pf @ 1v, 1MHz
MBRTA50045 GeneSiC Semiconductor MBRTA50045 -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 250A 700 mV @ 250 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR8080R GeneSiC Semiconductor MBR8080R 22.1985
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR8080 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR8080RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 840 MV @ 80 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 80a -
1N1183R GeneSiC Semiconductor 1N1183R 6.2320
RFQ
 ECAD 7189 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1183R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N1183RGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 50 v 1.2 v @ 35 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MBRF12045 GeneSiC Semiconductor MBRF12045 -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC2510W GeneSiC Semiconductor KBPC2510W 2.2995
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC2510 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 135.8600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GB2X100 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1341 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1200 v 185A (DC) 1.8 V @ 100 a 0 ns 80 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
S300DR GeneSiC Semiconductor S300DR 63.8625
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S300 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s300drgn 귀 99 8541.10.0080 8 짐 200 v 1.2 v @ 300 a 10 µa @ 100 v -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
FST6340M GeneSiC Semiconductor FST6340M -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3m Schottky D61-3m - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 30A 700 mV @ 30 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR35100R GeneSiC Semiconductor MBR35100R 15.1785
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MBR35100 Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR35100RGN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
S40GR GeneSiC Semiconductor s40gr 6.3770
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 S40G 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s40grgn 귀 99 8541.10.0080 100 짐 400 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT200 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 연결 연결 시리즈 1000 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor MSRTA200120D 142.3575
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 MSRTA200 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRTA200120D 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 연결 연결 시리즈 1200 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GKN26/04 GeneSiC Semiconductor GKN26/04 -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5 짐 400 v 1.55 V @ 60 a 4 ma @ 400 v -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
GKN130/16 GeneSiC Semiconductor GKN130/16 35.3677
RFQ
 ECAD 6548 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 GKN130 기준 DO-205AA (DO-8) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1600 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
1N1204A GeneSiC Semiconductor 1N1204A 4.2345
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1204 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1026 귀 99 8541.10.0080 250 짐 400 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
MBRF12020R GeneSiC Semiconductor MBRF12020R -
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR400150CTR GeneSiC Semiconductor MBR400150ctr 98.8155
RFQ
 ECAD 5686 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR400150 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 200a 880 mv @ 200 a 3 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ30D GeneSiC Semiconductor GBJ30D 1.1205
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ30 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ30D 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 a 5 µa @ 200 v 30 a 단일 단일 200 v
MBR8040R GeneSiC Semiconductor MBR8040R 22.1985
RFQ
 ECAD 8534 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR8040 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR8040RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 750 MV @ 80 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 80a -
MBRF60080 GeneSiC Semiconductor MBRF60080 -
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 300A 840 mV @ 250 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30035R GeneSiC Semiconductor MBRF30035R -
RFQ
 ECAD 7433 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB MBRF3003 Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 150a 700 mV @ 150 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N1204AR GeneSiC Semiconductor 1N1204AR 4.2345
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1204AR 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1064 귀 99 8541.10.0080 250 짐 400 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor MUR20040CT 101.6625
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR20040 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MUR20040CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 100A 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
2N7635-GA GeneSiC Semiconductor 2N7635-ga -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-257-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-257 - rohs 비준수 1 (무제한) 1242-1146 귀 99 8541.29.0095 10 - 650 v 4A (TC) (165 ° C) - 415mohm @ 4a - - 324 pf @ 35 v - 47W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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