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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 - 최대 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 저항 @ if, f
GBU10J GeneSiC Semiconductor GBU10J 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU10 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu10jgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 5 a 5 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
GBU10M GeneSiC Semiconductor gbu10m 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU10 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu10mgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor MURTA300120 159.9075
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 음극 음극 공통 600 v 150a 2.6 V @ 150 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
S380Y GeneSiC Semiconductor S380Y 69.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S380 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8 짐 1600 v 1.2 v @ 380 a 10 µa @ 1600 v -60 ° C ~ 180 ° C 380a -
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT50040RGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
BR610 GeneSiC Semiconductor BR610 0.7425
RFQ
 ECAD 5194 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br610gn 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
KBU8M GeneSiC Semiconductor kbu8m 1.8200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU8 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
MBR2X060A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A200 46.9860
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X060 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 60a 920 MV @ 60 a 3 ma @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBR60035CT GeneSiC Semiconductor MBR60035CT 129.3585
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR60035 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR60035CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 1.3500
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 GB01SLT12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 1 a 0 ns 2 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 69pf @ 1v, 1MHz
GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220 349.8000
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 축 GA01PNS80 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1259 귀 99 8541.10.0080 10 2 a 4pf @ 1000V, 1MHz 핀 - 단일 8000V -
MBRF20080R GeneSiC Semiconductor MBRF20080R -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 100A 840 mV @ 100 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBU6G GeneSiC Semiconductor gbu6g 0.5385
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU6 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu6ggn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
S300D GeneSiC Semiconductor S300D 63.8625
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S300 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S300DGN 귀 99 8541.10.0080 8 짐 200 v 1.2 v @ 300 a 10 µa @ 100 v -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
MBRT50035 GeneSiC Semiconductor MBRT50035 -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT50035GN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor M3P75A-80 -
RFQ
 ECAD 1180 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5-SMD 모듈 기준 5-SMD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 10 µa @ 800 v 75 a 3 단계 800 v
FST10020 GeneSiC Semiconductor FST10020 65.6445
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FST10020GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 100A 650 mV @ 100 a 2 ma @ 20 v
1N3768 GeneSiC Semiconductor 1N3768 6.2320
RFQ
 ECAD 6923 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3768 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1025 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1000 v 1.2 v @ 35 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MBR30035CTL GeneSiC Semiconductor MBR30035CTL -
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 150a 600 mV @ 150 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH240200 GeneSiC Semiconductor MBRH240200 76.4925
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 240 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MBR7545 GeneSiC Semiconductor MBR7545 20.8845
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR7545 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR7545GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 MV @ 75 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBRF20045 GeneSiC Semiconductor MBRF20045 -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 100A 700 mV @ 100 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 GB02SLT12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 138pf @ 1v, 1MHz
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT60030 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT60030RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURH7020R GeneSiC Semiconductor murh7020R 49.5120
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 murh7020 기준 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
FST120200 GeneSiC Semiconductor FST120200 70.4280
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 60a 920 MV @ 60 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC5002W GeneSiC Semiconductor GBPC5002W 4.0155
RFQ
 ECAD 1771 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5002 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 200 v 50 a 단일 단일 200 v
150K40A GeneSiC Semiconductor 150K40A 35.5695
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 150k40 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 150K40AGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 400 v 1.33 V @ 150 a 35 ma @ 400 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRF12080R GeneSiC Semiconductor MBRF12080R -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 60a 840 MV @ 60 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURF30005R GeneSiC Semiconductor MURF30005R -
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 양극 양극 공통 50 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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