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불연속 불연속 제품 (2160)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor MBR200150ctr 90.1380
RFQ
 ECAD 1591 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR200150 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 100A 880 mV @ 100 a 3 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12d 10.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R75 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R75MT12d 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 41A (TC) 15V 90mohm @ 20a, 15V 2.69V @ 7.5MA 54 NC @ 15 v ± 15V 1560 pf @ 800 v - 207W (TC)
GBPC1504W GeneSiC Semiconductor GBPC1504W 2.4180
RFQ
 ECAD 1714 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC1504 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBPC1504WGS 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 400 v 15 a 단일 단일 400 v
KBP204G GeneSiC Semiconductor KBP204G 0.2280
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP204 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP204GG 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
GBPC1510W GeneSiC Semiconductor GBPC1510W 2.4180
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC1510 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBPC1510WGS 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R -
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 60a 840 MV @ 60 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D 4.7400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R350 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R350MT12d 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 11A (TC) 15V 420mohm @ 4a, 15V 2.69V @ 2MA 12 nc @ 15 v ± 15V 334 pf @ 800 v - 74W (TC)
FR40B02 GeneSiC Semiconductor FR40B02 12.8985
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR40B02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12060 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1083 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 120A (DC) 750 MV @ 60 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
 ECAD 652 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3892 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1035 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
FST8360SM GeneSiC Semiconductor FST8360SM -
RFQ
 ECAD 2491 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3SM Schottky D61-3SM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 fst8360smgn 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 80A (DC) 750 MV @ 80 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBL08 GeneSiC Semiconductor GBL08 0.4230
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL - rohs 준수 1 (무제한) gbl08gn 귀 99 8541.10.0080 500 1 V @ 2 a 10 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
S25JR GeneSiC Semiconductor S25JR 5.2485
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S25J 표준, 극성 역 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S25JRGN 귀 99 8541.10.0080 250 짐 600 v 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
MBRT12040 GeneSiC Semiconductor MBRT12040 75.1110
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12040GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 60a 750 MV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60030CTL GeneSiC Semiconductor MBR60030CTL -
RFQ
 ECAD 3097 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 300A 580 mV @ 300 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X060A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A02 47.1200
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 mur2x060 기준 SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1309 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 60a 1 V @ 60 a 75 ns 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBRTA80045 GeneSiC Semiconductor MBRTA80045 -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 400A 720 MV @ 400 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
S400YR GeneSiC Semiconductor S400yr 92.3505
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S400 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s400yrgn 귀 99 8541.10.0080 8 짐 1600 v 1.2 v @ 400 a 10 µa @ 50 v -60 ° C ~ 200 ° C 400A -
MBRF50040 GeneSiC Semiconductor MBRF50040 -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC5008W GeneSiC Semiconductor GBPC5008W 4.0155
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5008 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16JR05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.1 v @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
S400KR GeneSiC Semiconductor S400KR 88.0320
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S400 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S400KRGN 귀 99 8541.10.0080 8 짐 800 v 1.2 v @ 400 a 10 µa @ 50 v -60 ° C ~ 200 ° C 400A -
MBR35100 GeneSiC Semiconductor MBR35100 14.3280
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR35100GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
1N3208R GeneSiC Semiconductor 1N3208R 7.0650
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3208R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3208RGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 50 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MBR60045CT GeneSiC Semiconductor MBR60045CT 129.3585
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR60045 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR60045CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N8034-GA GeneSiC Semiconductor 1N8034-ga -
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-257-3 1N8034 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-257 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.34 V @ 10 a 0 ns 5 µa @ 650 v -55 ° C ~ 250 ° C 9.4A 1107pf @ 1v, 1MHz
KBPC35005W GeneSiC Semiconductor KBPC35005W 2.4720
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC35005 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR30BR02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor MSRT200160AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT200 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 연결 연결 시리즈 1600 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 1600 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N6096 GeneSiC Semiconductor 1N6096 14.0145
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N6096 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N6096GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 580 mV @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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