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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BR2510L Yangjie Technology BR2510L 1.0570
RFQ
ECAD 12 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BR2510L 귀 99 120
BR5006 Yangjie Technology BR5006 1.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BR5006 귀 99 50
SKBPC3506 Yangjie Technology SKBPC3506 2.8300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SKBPC3506 귀 99 50
RS1D Yangjie Technology RS1D 0.0210
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-RS1DTR 귀 99 5,000
ES2HAQ Yangjie Technology es2haq 0.1190
RFQ
ECAD 750 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es2haqtr 귀 99 7,500
S35VB60 Yangjie Technology S35VB60 1.4710
RFQ
ECAD 5 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-S35VB60 귀 99 50
GR2ABF Yangjie Technology gr2abf 0.0420
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gr2abftr 귀 99 5,000
BZT52B62S Yangjie Technology BZT52B62S 0.0180
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 200 MW SOD-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B62ST 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 46 v 62 v 150 옴
YJQD25N04A Yangjie Technology YJQD25N04A 0.1840
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJQD25N04AT 귀 99 5,000
GS5BQ Yangjie Technology GS5BQ 0.1550
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gs5bqtr 귀 99 3,000
MD200S16M5 Yangjie Technology MD200S16M5 38.1317
RFQ
ECAD 600 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 M5 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MD200S16M5 귀 99 6 1.7 V @ 300 a 500 µa @ 1600 v 200a 3 단계 1.6kV
SS520AQ Yangjie Technology SS520AQ 0.1340
RFQ
ECAD 750 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS520AQTR 귀 99 7,500
AZ23C3V6Q Yangjie Technology AZ23C3V6Q 0.0460
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-AZ23C3V6QTR 귀 99 3,000
MURS460BF Yangjie Technology MURS460BF 0.1010
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 기준 SMBF - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MURS460BFTR 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 50pf @ 4V, 1MHz
BZT52B4V7Q Yangjie Technology BZT52B4V7Q 0.0280
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B4V7QTR 귀 99 3,000
MD160S18M5 Yangjie Technology MD160S18M5 36.5867
RFQ
ECAD 600 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 M5 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MD160S18M5 귀 99 6 1.75 V @ 300 a 500 µa @ 1800 v 160 a 3 단계 1.8 kV
MBR20100CTS Yangjie Technology MBR20100CTS 0.3410
RFQ
ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBR20100CTSTR 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 850 mv @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
AZ23C30 Yangjie Technology AZ23C30 0.0240
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.67% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-AZ23C30tr 귀 99 3,000 1 양극 양극 공통 30 v 80 옴
MBRB10150CT Yangjie Technology MBRB10150CT 0.3100
RFQ
ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Schottky D2PAK - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBRB10150CTTR 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 920 MV @ 5 a 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C7V5Q Yangjie Technology BZX84C7V5Q 0.0250
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bzx84c7v5qtr 귀 99 3,000
MD200S18M3 Yangjie Technology MD200S18M3 41.9483
RFQ
ECAD 600 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 M3 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MD200S18M3 귀 99 6 1.7 V @ 300 a 500 µa @ 1800 v 200a 3 단계 1.8 kV
BZX584B4V7Q Yangjie Technology BZX584B4V7Q 0.0290
RFQ
ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B4V7QTR 귀 99 8,000
DZ23C8V2Q Yangjie Technology DZ23C8V2Q 0.0460
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DZ23C8V2QTR 귀 99 3,000
GBP208 Yangjie Technology GBP208 0.1430
RFQ
ECAD 210 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GBP208 귀 99 2,100
B5818WSQ Yangjie Technology B5818WSQ 0.0380
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-B5818WSQTR 귀 99 3,000
UG3BBF Yangjie Technology UG3BBF 0.1440
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ug3bbftr 귀 99 5,000
YBSM6006 Yangjie Technology YBSM6006 0.2440
RFQ
ECAD 180 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YBSM6006TR 귀 99 1,800
BC856A Yangjie Technology BC856A 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 150 MW SOT-23 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BC856AT 귀 99 3,000 65 v 100 MA 1MA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
DZ23C22Q Yangjie Technology DZ23C22Q 0.0410
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DZ23C22QTR 귀 99 3,000
ES2A Yangjie Technology ES2A 0.0440
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (HSMA) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es2atr 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 2 a 50 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고