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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MURS340 Yangjie Technology MURS340 0.2440
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MURS340TR 귀 99 3,000
BZX84C20 Yangjie Technology BZX84C20 0.0160
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 350 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bzx84c20tr 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
SS12 Yangjie Technology SS12 0.0180
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (HSMA) rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS12TR 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
BAT54WS Yangjie Technology BAT54W 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 Bat54 Schottky SOD-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAT54WSTR 귀 99 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
BZT52B6V2S Yangjie Technology BZT52B6V2S 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B6V2ST 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
BAS40WT-04 Yangjie Technology BAS40WT-04 0.0230
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS40 Schottky SOT-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAS40WT-04TR 귀 99 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 1 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C6V2 Yangjie Technology BZT52C6V2 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C6V2TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
MBR20150CTS Yangjie Technology MBR20150CTS 0.3440
RFQ
ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBR20150CTS 귀 99 1,000
MUR2060CT Yangjie Technology mur2060ct 0.5160
RFQ
ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MUR2060CT 귀 99 1,000
BC856BS Yangjie Technology BC856BS 0.0260
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 200MW SOT-363 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BC856BSTR 귀 99 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
YJP70G10A Yangjie Technology YJP70G10A 0.5270
RFQ
ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJP70G10A 귀 99 1,000
YJQ4666B Yangjie Technology yjq4666b 0.0320
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJQ4666BTR 귀 99 3,000
BZX84C3V9 Yangjie Technology BZX84C3V9 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3 350 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bzx84c3v9tr 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
GBL208 Yangjie Technology GBL208 0.2090
RFQ
ECAD 132 0.00000000 양지 양지 GBL 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GBL208 귀 99 1,320 1.05 V @ 1 a 10 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
MB6S Yangjie Technology MB6 0.0270
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 MBS-1 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-mb6str 귀 99 2,500 1 V @ 400 mA 5 µa @ 600 v 500 MA 단일 단일 600 v
GBJ2010 Yangjie Technology GBJ2010 0.4190
RFQ
ECAD 75 0.00000000 양지 양지 GBJ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ 기준 GBJ rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GBJ2010 귀 99 750 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 1000 v 20 a 단일 단일 1kv
MB8S Yangjie Technology MB8 0.0320
RFQ
ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 MBS-1 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-mb8str 귀 99 2,500 1 V @ 400 mA 5 µa @ 800 v 500 MA 단일 단일 800 v
GBL406A Yangjie Technology GBL406A 0.2210
RFQ
ECAD 132 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GBL406A 귀 99 1,320
BZT52B8V2 Yangjie Technology BZT52B8V2 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 410 MW SOD-123 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B8V2TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6 v 8.2 v 7 옴
SS110 Yangjie Technology SS110 0.0240
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (HSMA) rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS110tr 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 30pf @ 4V, 1MHz
HS3JB Yangjie Technology HS3JB 0.0690
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-HS3JBTR 귀 99 3,000
BZT52C11 Yangjie Technology BZT52C11 0.0150
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C11TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
E1JFS Yangjie Technology E1JFS 0.0230
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-e1jfstr 귀 99 3,000
FR105 Yangjie Technology FR105 0.0290
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-FR105TB 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52B30S Yangjie Technology BZT52B30 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B30str 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 22.5 v 30 v 80 옴
SD103CWS Yangjie Technology SD103CWS 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SD103CWSTR 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 10 v -55 ° C ~ 125 ° C 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
YJD45G10A Yangjie Technology YJD45G10A 0.3350
RFQ
ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJD45G10AT 귀 99 2,500
BZX84C2V4 Yangjie Technology BZX84C2V4 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bzx84c2v4tr 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BZT52B22 Yangjie Technology BZT52B22 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 410 MW SOD-123 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B22TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
BZX84B27 Yangjie Technology BZX84B27 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84B27TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18.9 v 27 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고