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불연속 불연속 제품 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
SF26G Yangjie Technology SF26G 0.0490
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SF26GTB 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
BZT52C24S Yangjie Technology BZT52C24S 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 200 MW SOD-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C24ST 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 16.8 v 24 v 70 옴
DTC143EUA Yangjie Technology DTC143EUA 0.0180
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 DTC143 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DTC143EUAT 귀 99 3,000
DTA144EE Yangjie Technology DTA144EE 0.0260
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DTA144 150 MW SOT-523 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-dta144eetr 귀 99 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
YBS3006 Yangjie Technology YBS3006 0.1300
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YBS3006TR 귀 99 3,000
MUR2020CT Yangjie Technology MUR2020CT 0.5450
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 TO-220AB rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MUR2020CTTR 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES1HW Yangjie Technology ES1HW 0.0250
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es1hwtr 귀 99 5,000
MMDT2907A Yangjie Technology MMDT2907A 0.0290
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT2907 200MW SOT-363 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MMDT2907AT 귀 99 3,000 60V 600ma 10NA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BZT52B16S Yangjie Technology BZT52B16S 0.0180
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B16ST 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
MMSZ5259BQ Yangjie Technology MMSZ5259BQ 0.0270
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MMSZ5259BQTR 귀 99 3,000
MUR1060FCT Yangjie Technology mur1060fct 0.4010
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MUR1060FCT 귀 99 1,000
DTC124ECA Yangjie Technology DTC124ECA 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 200 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DTC124ECAT 귀 99 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS
DZ23C8V2 Yangjie Technology DZ23C8V2 0.0240
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DZ23C8V2TR 귀 99 3,000 1 음극 음극 공통 8.2 v 7 옴
MF200K04F4 Yangjie Technology MF200K04F4 14.4508
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 F4 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MF200K04F4 귀 99 12 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 100A 1.35 V @ 100 a 95 ns 500 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZX84B11 Yangjie Technology BZX84B11 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bzx84b11tr 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BAV23CQ Yangjie Technology BAV23CQ 0.0290
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bav23cqtr 귀 99 3,000
H1B Yangjie Technology H1B 0.0230
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-H1BTR 귀 99 3,000
MT160C18T2 Yangjie Technology MT160C18T2 44.0475
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 시리즈 시리즈 - 연결 scr rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MT160C18T2 귀 99 8 400 MA 1.8 kV 3 v 5400A @ 50Hz 150 MA 160 a 2 scrs
YJL3415A Yangjie Technology YJL3415A 0.0400
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL3415AT 귀 99 3,000 p 채널 20 v 5.6A (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 5.6a, 4.5v 1V @ 250µA 10.98 nc @ 4.5 v ± 12V 1010 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
BZX84B8V2 Yangjie Technology BZX84B8V2 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84B8V2TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
MMBTA06 Yangjie Technology MMBTA06 0.0230
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-mmbta06tr 귀 99 3,000 80 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BC848AW Yangjie Technology BC848AW 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bc848awtr 귀 99 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX84C36W Yangjie Technology BZX84C36W 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C36WTR 귀 99 3,000 1.2 v @ 100 ma 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
BZX84C39T Yangjie Technology BZX84C39T 0.0190
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 150 MW SOT-523 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C39TTR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27.3 v 39 v 130 옴
MURS220 Yangjie Technology MURS220 0.0830
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-murs220tr 귀 99 3,000
BZX84C16 Yangjie Technology BZX84C16 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 350 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C16TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11.2 v 16 v 40
HER106G Yangjie Technology HER106G 0.0260
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-Her106GTB 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52B36Q Yangjie Technology BZT52B36Q 0.0280
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B36QTR 귀 99 3,000
ES1D Yangjie Technology ES1D 0.0270
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (HSMA) rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es1dtr 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 45pf @ 4V, 1MHz
BZX84B15Q Yangjie Technology BZX84B15Q 0.0290
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84B15QTR 귀 99 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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