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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 속도 전압 - 상태 꺼짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2SD1782-RQ Yangjie Technology 2SD1782-RQ 0.0540
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-2SD1782-RQTR 귀 99 3,000
BZT52B3V6SQ Yangjie Technology BZT52B3V6SQ 0.0280
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B3V6SQTR 귀 99 3,000
BZX584B3V6Q Yangjie Technology BZX584B3V6Q 0.0290
RFQ
ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B3V6QTR 귀 99 8,000
BZX584B24V Yangjie Technology BZX584B24V 0.0200
RFQ
ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B24VTR 귀 99 8,000
BAV99WT Yangjie Technology bav99wt 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav99 기준 SOT-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bav99wttr 귀 99 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
SSL110A Yangjie Technology SSL110A 0.0530
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ssl110atr 귀 99 5,000
YJL3416A Yangjie Technology YJL3416A 0.0400
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL3416AT 귀 99 3,000
ES1FQ Yangjie Technology ES1FQ 0.0910
RFQ
ECAD 750 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es1fqtr 귀 99 7,500
BAV23AQ Yangjie Technology BAV23AQ 0.0290
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bav23aqtr 귀 99 3,000
BZX84C3V9T Yangjie Technology BZX84C3V9T 0.0190
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C3V9TTR 귀 99 3,000
H1KFS Yangjie Technology H1KFS 0.0210
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-H1KFSTR 귀 99 3,000
BAT54Q Yangjie Technology BAT54Q 0.0210
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Bat54 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAT54QTR 귀 99 3,000
MT75DT16L1 Yangjie Technology MT75DT16L1 37.3283
RFQ
ECAD 600 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 다리, 3 상 -Scrs/다이오드 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MT75DT16L1 귀 99 6 1.6kV 3 v 920A @ 50Hz 150 MA 75 a 1 scr, 6 다이오드
2SC3052-G Yangjie Technology 2SC3052-G 0.0150
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW SOT-23 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-2SC3052-GTR 귀 99 3,000 50 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 400 @ 1ma, 6V 180MHz
BZX84B5V1 Yangjie Technology BZX84B5V1 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84B5V1TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BAS101 Yangjie Technology BAS101 0.0150
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bas101tr 귀 99 3,000
MF100A12F5 Yangjie Technology MF100A12F5 29.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 F5 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MF100A12F5 귀 99 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 1200 v 100A 1.75 V @ 100 a 150 ns 200 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C
GS8MQ Yangjie Technology GS8MQ 0.1500
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GS8MQTR 귀 99 3,000
YJQ30N03A Yangjie Technology yjq30n03a 0.1280
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-yjq30n03atr 귀 99 5,000
MT200DT18L2 Yangjie Technology MT200DT18L2 66.6700
RFQ
ECAD 400 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 다리, 3 상 -Scrs/다이오드 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MT200DT18L2 귀 99 4 1.8 kV 3 v 1900a @ 50Hz 150 MA 200a 1 scr, 6 다이오드
UG3CBF Yangjie Technology UG3CBF 0.1440
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ug3cbftr 귀 99 5,000
MBR30150CTS Yangjie Technology MBR30150CTS 0.3960
RFQ
ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBR30150CTSTR 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 30A 900 mV @ 15 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
MF100K12F5 Yangjie Technology MF100K12F5 29.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 F5 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MF100K12F5 귀 99 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 100A 1.75 V @ 100 a 150 ns 200 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C
DZ23C5V1Q Yangjie Technology DZ23C5V1Q 0.0460
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DZ23C5V1QTR 귀 99 3,000
MURS860DL Yangjie Technology MURS860DL 0.3160
RFQ
ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 TO-252 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MURS860DLTR 귀 99 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.6 V @ 8 a 39 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 42pf @ 4V, 1MHz
AZ23B47 Yangjie Technology AZ23B47 0.0270
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-AZ23B47TR 귀 99 3,000
MBR20100PT Yangjie Technology MBR20100PT 0.7170
RFQ
ECAD 180 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBR20100PTTR 귀 99 1,800
SS15A Yangjie Technology SS15A 0.0230
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ss15atr 귀 99 5,000
GS5JQ Yangjie Technology GS5JQ 0.1550
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GS5JQTR 귀 99 3,000
GR3J Yangjie Technology gr3j 0.0740
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gr3jtr 귀 99 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고