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불연속 불연속 제품 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
GS8KQ Yangjie Technology GS8KQ 0.1960
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GS8KQTR 귀 99 3,000
RS1G Yangjie Technology Rs1g 0.0190
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-rs1gtr 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
YJQ4666B Yangjie Technology yjq4666b 0.0320
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJQ4666BTR 귀 99 3,000
D4UB100 Yangjie Technology D4UB100 0.1520
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-d4ub100 귀 99 3,000
SS515A Yangjie Technology SS515A 0.0780
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS515AT 귀 99 5,000
BZX84C18 Yangjie Technology BZX84C18 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 350 MW SOT-23 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C18TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
GR2DBF Yangjie Technology GR2DBF 0.0420
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gr2dbftr 귀 99 5,000
BZT52C30Q Yangjie Technology BZT52C30Q 0.0270
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C30QTR 귀 99 3,000
YJG60G10A Yangjie Technology YJG60G10A 0.4660
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-yjg60g10atr 귀 99 5,000
DZ23C6V2 Yangjie Technology DZ23C6V2 0.0240
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-dz23c6v2tr 귀 99 3,000 1 음극 음극 공통 6.2 v 10 옴
GR1M Yangjie Technology gr1m 0.0290
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gr1mtr 귀 99 5,000
BAV19W Yangjie Technology BAV19W 0.0150
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SOD-123 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bav19wtr 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
S24F Yangjie Technology S24F 0.0350
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-s24ftr 귀 99 3,000
MMDT4401 Yangjie Technology MMDT4401 0.0290
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT44 200MW SOT-363 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-mmdt4401tr 귀 99 3,000 40V 600ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
MMDT4413 Yangjie Technology MMDT4413 0.0300
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT44 200MW SOT-363 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MMDT4413TR 귀 99 3,000 40V 600ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz, 200MHz
BZT52C22SQ Yangjie Technology BZT52C22SQ 0.0270
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C22SQTR 귀 99 3,000
1N4148WS Yangjie Technology 1N4148WS 0.0130
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1N4148 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-1n4148wstr 귀 99 3,000
MBRL1060FCT Yangjie Technology MBRL1060FCT 0.3380
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 Schottky ITO-220AB - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-mbrl1060fcttr 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 600 mV @ 5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C5V1SQ Yangjie Technology BZT52C5V1SQ 0.0220
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C5V1SQTR 귀 99 3,000
E1FQ Yangjie Technology E1FQ 0.0720
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-e1fqtr 귀 99 3,000
DTA143ZUA Yangjie Technology DTA143ZUA 0.0240
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA143 200 MW SOT-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-dta143zuatr 귀 99 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
D3UB80 Yangjie Technology D3UB80 0.1350
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-d3ub80 귀 99 3,000
BZT52C75S Yangjie Technology BZT52C75S 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C75STR 귀 99 3,000
BZT52C36SQ Yangjie Technology BZT52C36SQ 0.0270
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C36SQTR 귀 99 3,000
GBJL1508 Yangjie Technology GBJL1508 0.9000
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 양지 양지 GBJL 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJL 기준 GBJL - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GBJL1508 귀 99 750 1.05 V @ 7.5 a 10 µa @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
GS1K Yangjie Technology GS1K 0.0190
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (HSMA) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GS1KTR 귀 99 5,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
ES2J Yangjie Technology ES2J 0.0400
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es2jtr 귀 99 3,000
DZ23C2V7 Yangjie Technology DZ23C2V7 0.0260
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-dz23c2v7tr 귀 99 3,000 1 음극 음극 공통 2.7 v 83 옴
SS5U50PAQ Yangjie Technology SS5U50PAQ 0.2230
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ss5u50paqtr 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 640 mV @ 5 a 150 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MG40HF12LEC1 Yangjie Technology MG40HF12LEC1 27.6880
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 312 w 기준 - - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG40HF12LEC1 귀 99 10 단일 단일 NPT 1200 v 40 a 3.5V @ 15V, 40A 1 MA 아니요 3.5 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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