SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
LL4148 Yangjie Technology LL4148 0.0120
RFQ
ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ll4148tr 귀 99 2,500
YJS8205A Yangjie Technology YJS8205A 0.0560
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJS8205AT 귀 99 3,000
S26F Yangjie Technology S26F 0.0320
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-s26ftr 귀 99 3,000
GBL606 Yangjie Technology GBL606 0.2210
RFQ
ECAD 132 0.00000000 양지 양지 GBL 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GBL606 귀 99 1,320 1 V @ 3 a 5 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
GBJ1506A Yangjie Technology GBJ1506A 0.4010
RFQ
ECAD 75 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GBJ1506A 귀 99 750
BR2506L Yangjie Technology BR2506L 1.1470
RFQ
ECAD 12 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BR2506L 귀 99 120
YBSM6008 Yangjie Technology YBSM6008 0.2440
RFQ
ECAD 180 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YBSM6008tr 귀 99 1,800
BAT46W Yangjie Technology BAT46W 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAT46WTR 귀 99 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 450 mV @ 10 ma 5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 125 ° C 75MA 10pf @ 0V, 1MHz
MMSTA56 Yangjie Technology MMSTA56 0.0260
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-mmsta56tr 귀 99 3,000
BZT52B3V9S Yangjie Technology BZT52B3V9S 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B3V9str 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
MBR10100CD Yangjie Technology MBR10100CD 0.2290
RFQ
ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MBR1010 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBR10100CDTR 귀 99 2,500
BC848B Yangjie Technology BC848B 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-bc848btr 귀 99 3,000 30 v 100 MA 100NA NPN 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
FR605G Yangjie Technology FR605G 0.1550
RFQ
ECAD 50 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-FR605GTB 귀 99 500
BZX84B24 Yangjie Technology BZX84B24 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84B24TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 16.8 v 24 v 70 옴
HER104G Yangjie Technology HER104G 0.0330
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-Her104GTB 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
YJL2312A Yangjie Technology YJL2312A 0.0350
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-yjl2312atr 귀 99 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 6.8a, 4.5v 1V @ 250µA 11.05 NC @ 4.5 v ± 10V 888 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
MMSZ5240BS Yangjie Technology MMSZ5240BS 0.0180
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MMSZ5240BSTR 귀 99 3,000
SS36A Yangjie Technology SS36A 0.0460
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS36ATR 귀 99 5,000
UMX1N Yangjie Technology umx1n 0.0290
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMX1 150MW SOT-363 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-umx1ntr 귀 99 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
ES1FS Yangjie Technology ES1FS 0.0300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es1fstr 귀 99 5,000
BAS70-04Q Yangjie Technology BAS70-04Q 0.0220
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAS70-04QTR 귀 99 3,000
YJG85G06AK Yangjie Technology YJG85G06AK 0.5770
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJG85G06AKTR 귀 99 5,000
YJL05N04AQ Yangjie Technology YJL05N04AQ 0.0500
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL05N04AQTR 귀 99 3,000
YJL03N06B Yangjie Technology YJL03N06B 0.0360
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL03N06BTR 귀 99 3,000
D8UB60 Yangjie Technology d8ub60 0.1830
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-d8ub60 귀 99 3,000
HS3GBF Yangjie Technology HS3GBF 0.0720
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-HS3GBFTR 귀 99 5,000
BAT54ST Yangjie Technology Bat54st 0.0260
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 Bat54 Schottky SOT-523 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAT54STRT 귀 99 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C
BR2506 Yangjie Technology BR2506 1.0490
RFQ
ECAD 5 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BR2506 귀 99 50
BZT52C75S Yangjie Technology BZT52C75S 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C75STR 귀 99 3,000
MUR240 Yangjie Technology MUR240 0.1380
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MUR240TB 귀 99 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고