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불연속 불연속 제품 (3821)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	rohs 상태	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	표준 표준	구성	속도	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)
HS2DBF	0.0600	RFQ	500	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드		기준		SMBF	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-HS2DBFTR	귀 99	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MBR40150PT	0.8600	RFQ	180	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3		Schottky		to-247ab	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-mbr40150pttr	귀 99	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	150 v	40a	850 mv @ 20 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
DTA143ZE	0.0210	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	DTA143		150 MW	SOT-523	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-dta143zetr	귀 99	3,000																			50 v	100 MA	500NA			pnp- 사전- + 다이오드	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms
e1cfs	0.0220	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-e1cfstr	귀 99	3,000
ES3B	0.1050	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-es3btr	귀 99	3,000
MUR1620CT	0.4730	RFQ	100	양지 양지	-	튜브	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MUR1620CT	귀 99	1,000
MD120C16D1N	20.4720	RFQ	1	양지 양지	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준		기준		D1N	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MD120C16D1N	귀 99	10		짐								1 연결 연결 시리즈	1600 v	120a	1.35 V @ 300 a		6 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MBRB3045CTS	0.3960	RFQ	100	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		TO-263	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MBRB3045CTSTR	귀 99	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	30A	650 mV @ 15 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
2N7002DW	0.0270	RFQ	600	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	2N7002	MOSFET (금속 (()	300MW	SOT-363	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-2n7002dwtr	귀 99	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	340ma	2.5ohm @ 300ma, 10V	2.5V @ 250µA	-	50pf @ 25V	-
es3g	0.0890	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-es3gtr	귀 99	3,000
SS8550-HQ	0.0488	RFQ	8029	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				SOT-23	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지		귀 99	3,000
MBRB30150CT	0.5020	RFQ	100	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		D2PAK	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MBRB30150CTTR	귀 99	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	150 v	30A	900 mV @ 15 a		20 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MMBTA56	0.0260	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			225 MW	SOT-23	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-mmbta56tr	귀 99	3,000																			80 v	500 MA	100NA			PNP	250mv @ 10ma, 100ma	100 @ 100ma, 1V	50MHz
YJJ12N02A	0.0480	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-YJJ12N02ATR	귀 99	3,000
FR207	0.0350	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-FR207TB	귀 99	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
BZX584C10VQ	0.0270	RFQ	800	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BZX584C10VQTR	귀 99	8,000
SL510F	0.0860	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-sl510ftr	귀 99	3,000
GS2GA	0.0310	RFQ	500	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-GS2GAT	귀 99	5,000
GS2YA	0.0310	RFQ	500	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-GS2YAT	귀 99	5,000
abs6	0.0370	RFQ	400	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-ABS6TR	귀 99	4,000
DZ23C4V3Q	0.0460	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-DZ23C4V3QTR	귀 99	3,000
BR2508	1.0490	RFQ	5	양지 양지	-	대부분	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BR2508	귀 99	50
BR1508	1.0040	RFQ	5	양지 양지	-	대부분	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BR1508	귀 99	50
DZ23C3V6	0.0240	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-dz23c3v6tr	귀 99	3,000	1 음극 음극 공통																					3.6 v	95 옴
BZT52B39S	0.0170	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323			200 MW	SOD-323	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BZT52B39str	귀 99	3,000													900 mV @ 10 ma		100 na @ 29 v							39 v	90 옴
DZ23C33	0.0240	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-DZ23C33TR	귀 99	3,000	1 음극 음극 공통																					33 v	80 옴
MBR1060FCTS	0.2860	RFQ	100	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBR106	Schottky		ITO-220AB	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MBR1060FCTSTR	귀 99	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	10A	750 mV @ 5 a		200 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C
YJD180N03A	0.3400	RFQ	250	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-YJD180N03ART	귀 99	2,500
BZX84C5V6	0.0200	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C5		350 MW	SOT-23	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-bzx84c5v6tr	귀 99	3,000													900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v							5.6 v	40
MMBD4148	0.0130	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-mmbd4148tr	귀 99	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도									75 v		855 mV @ 10 ma	4 ns	25 na @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	2pf @ 0V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²