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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
G1DQ Yangjie Technology G1DQ 0.0340
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123FL rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-G1DQTR 귀 99 3,000 200 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N5819 Yangjie Technology 1N5819 0.0250
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5819 Schottky DO-41 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-1n5819TB 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 10 ns 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
BZX584C18VQ Yangjie Technology BZX584C18VQ 0.0270
RFQ
ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584C18VQTR 귀 99 8,000
BZX84B5V1W Yangjie Technology BZX84B5V1W 0.0180
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84B5V1WTR 귀 99 3,000
BZT52B8V2Q Yangjie Technology BZT52B8V2Q 0.0280
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B8V2QTR 귀 99 3,000
BC849B Yangjie Technology BC849B 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BC849BTR 귀 99 3,000 30 v 100 MA 100NA NPN 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZX84C2V7Q Yangjie Technology BZX84C2V7Q 0.0280
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C2V7QTR 귀 99 3,000
S515F Yangjie Technology S515F 0.0570
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-S515FTR 귀 99 3,000
ES3AQ Yangjie Technology ES3AQ 0.2840
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es3aqtr 귀 99 3,000
GR3G Yangjie Technology gr3g 0.0690
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617 -g3gtr 귀 99 3,000
BZX584B36V Yangjie Technology BZX584B36V 0.0170
RFQ
ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B36VTR 귀 99 8,000
DZ23C3V9 Yangjie Technology DZ23C3V9 0.0240
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-dz23c3v9tr 귀 99 3,000 1 음극 음극 공통 3.9 v 95 옴
SS8050W-H Yangjie Technology SS8050W-H 0.0210
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS8050W-HTR 귀 99 3,000
AZ23C39Q Yangjie Technology AZ23C39Q 0.0460
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-AZ23C39QTR 귀 99 3,000
BAT54XV2 Yangjie Technology BAT54XV2 0.0170
RFQ
ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Bat54 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAT54XV2TR 귀 99 8,000
BZT52C3V0Q Yangjie Technology BZT52C3V0Q 0.0270
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C3V0QTR 귀 99 3,000
MF200K04F3 Yangjie Technology MF200K04F3 12.4440
RFQ
ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 F3 모듈 기준 F3 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MF200K04F3 귀 99 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 100A 1.35 V @ 100 a 95 ns 500 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZT52B8V2S Yangjie Technology BZT52B8V2S 0.0190
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B8V2ST 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6 v 8.2 v 7 옴
ES1HS Yangjie Technology ES1HS 0.0300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es1hstr 귀 99 5,000
BZX84C56 Yangjie Technology BZX84C56 0.0180
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C56TR 귀 99 3,000
H1A Yangjie Technology H1A 0.0230
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-H1AT 귀 99 3,000
HS1B Yangjie Technology HS1B 0.0240
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-HS1BTR 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS28Q Yangjie Technology SS28Q 0.0620
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS28QTR 귀 99 3,000
MD60K08D1 Yangjie Technology MD60K08D1 16.6960
RFQ
ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 D1 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MD60K08D1 귀 99 10 1 음극 음극 공통 800 v 60a 1.45 V @ 200 a 5 ma @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZX84B4V3W Yangjie Technology BZX84B4V3W 0.0180
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84B4V3WTR 귀 99 3,000
H2BF Yangjie Technology H2BF 0.0230
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-H2BFTR 귀 99 3,000
BZX84C6V2W Yangjie Technology BZX84C6V2W 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C6V2WTR 귀 99 3,000 1.2 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
E1AQ Yangjie Technology E1AQ 0.0720
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-e1aqtr 귀 99 3,000
US1A Yangjie Technology US1A 0.0240
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-US1AT 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
H1M Yangjie Technology H1M 0.0220
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-H1MTR 귀 99 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고