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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
GT100N12M Goford Semiconductor GT100N12M 1.6400
RFQ
 ECAD 733 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 120 v 70A (TC) 10V 10mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3050 pf @ 60 v - 120W (TC)
GT025N06AM6 Goford Semiconductor GT025N06AM6 1.3230
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() to263-6 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-GT025N06AM6TR 귀 99 8541.29.0000 800 n 채널 60 v 170A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 5058 pf @ 30 v - 215W (TC)
G7P03D2 Goford Semiconductor G7P03D2 0.1141
RFQ
 ECAD 5430 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-g7p03d2tr 귀 99 8541.29.0000 3,000 p 채널 30 v 7A (TC) 4.5V, 10V 20.5mohm @ 1a, 10V 1.1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1900 pf @ 15 v - 1.3W (TC)
G65P06K Goford Semiconductor G65P06K 0.4030
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 65A (TC) 10V 18mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 5814 pf @ 25 v - 130W (TC)
GT095N10D5 Goford Semiconductor GT095N10D5 0.3100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 55A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V - 74W (TC)
G1K3N10G Goford Semiconductor g1k3n10g 0.0990
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 1,000 n 채널 100 v 5A (TC) 4.5V, 10V 130mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 644 pf @ 50 v - 1.5W (TC)
G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3n10g 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 2.5A (TC) 4.5V, 10V 220mohm @ 2a, 10V 2V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 436 pf @ 50 v - 1.5W (TC)
G800P06LL Goford Semiconductor G800p06ll 0.1040
RFQ
 ECAD 8171 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6L - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-g800p06lltr 귀 99 8541.29.0000 3,000 p 채널 60 v 3.5A (TC) 4.5V, 10V 80mohm @ 3.1a, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 650 pf @ 30 v - 2W (TC)
18N10 Goford Semiconductor 18n10 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 25A 53mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1318 pf @ 50 v 62.5W
G630J Goford Semiconductor G630J 0.8000
RFQ
 ECAD 732 0.00000000 goford 반도체 Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 75 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 280mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 11.8 nc @ 10 v ± 20V 509 pf @ 25 v 기준 83W (TC)
G48N03D3 Goford Semiconductor G48N03D3 0.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3.15x3.05) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 48A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1784 pf @ 15 v - 45W (TC)
G4614 Goford Semiconductor G4614 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 1.9W (TC), 2.66W (TC) 8-SOP 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 4,000 n 및 p 채널 40V 6A (TC), 7A (TC) 3A 3A, 10V, 35mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA 15NC @ 10V, 25NC @ 10V 523pf @ 20v, 1217pf @ 20v 기준
G800N06H Goford Semiconductor G800N06H 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 2,500 n 채널 60 v 3A (TC) 4.5V, 10V 80mohm @ 3a, 10V 1.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 20V 457 pf @ 30 v 기준 1.2W (TC)
G50N03J Goford Semiconductor G50N03J 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 20V 1255 pf @ 15 v - 48W (TC)
G080P06M Goford Semiconductor G080p06m 1.8900
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 195a (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 186 NC @ 10 v ± 20V 15870 pf @ 30 v - 294W (TC)
G26P04D5 Goford Semiconductor G26P04D5 0.6400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (4.9x5.75) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 26A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2479 pf @ 20 v - 50W (TC)
G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE 0.1620
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 goford 반도체 G 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 2,500 p 채널 100 v 12A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 50 v - 57W (TC)
5P40 Goford Semiconductor 5P40 0.0440
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 650 pf @ 20 v - 2W (TA)
GT060N04D5 Goford Semiconductor GT060N04D5 0.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (4.9x5.75) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 5,000 n 채널 40 v 62A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 2.3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1276 pf @ 20 v - 39W (TC)
G36N03K Goford Semiconductor G36N03K 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 2,500 n 채널 30 v 36A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 1040 pf @ 15 v - 31W (TC)
G080P06T Goford Semiconductor G080P06T -
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 195a (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 186 NC @ 10 v ± 20V 15195 pf @ 30 v - 294W (TC)
G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 3,000 p 채널 20 v 16A (TC) 2.5V, 4.5V 17mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 8V 2179 pf @ 10 v - 18W (TC)
GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3 0.7400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3.15x3.05) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 5,000 p 채널 80 v 16A (TC) 10V 75mohm @ 2a, 10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 1591 pf @ 40 v - 69W (TC)
G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE 0.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 goford 반도체 Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 2,500 n 채널 200 v 2A (TC) 4.5V, 10V 700mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 250µA 10.8 nc @ 10 v ± 20V 568 pf @ 100 v 기준 1.8W (TC)
GT100N04K Goford Semiconductor GT100N04K 0.1676
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-GT100N04KTR 귀 99 8541.29.0000 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 644 pf @ 20 v - 80W (TC)
G15P04K Goford Semiconductor G15P04K 0.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 15a 39mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 930 pf @ 20 v 50W
G6P06 Goford Semiconductor G6P06 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 60 v 6A (TC) 4.5V, 10V 96mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 930 pf @ 30 v - 4.1W (TC)
3400L Goford Semiconductor 3400L 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.6a 59mohm @ 2.8a, 2.5v 1.4V @ 250µA 9.5 nc @ 4.5 v ± 12V 820 pf @ 15 v 1.4W
G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2 0.0970
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 1.7W (TC) 8-SOP 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 4,000 2 n 채널 60V 3A (TC) 80mohm @ 3a, 10V 1.2V @ 250µA 6NC @ 10V 458pf @ 30V 기준
G160P03KI Goford Semiconductor G160P03KI 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 2,500 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 31.2 NC @ 10 v ± 20V 1811 pf @ 15 v 기준 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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