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불연속 불연속 제품 (324)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G33N03 | 0.4000 |  | 3 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 8A, 10V | 1.1V @ 250µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | 1550 pf @ 15 v | - | 2.5W (TC) | ||||
 | G2304 | 0.4400 | | 8 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 3.6a, 10V | 2.2V @ 250µA | 4 NC @ 10 v | ± 20V | 230 pf @ 15 v | 기준 | 1.7W (TA) | ||||
 | GT650N15K | 0.2750 | | 5 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 20A (TC) | 10V | 65mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 75 v | - | 68W (TC) | ||||
 | G130N06S2 | 0.9200 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2.6W (TC) | 8-SOP | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | 2 n 채널 | 60V | 9A (TC) | 13mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 67NC @ 10V | 3021pf @ 30v | 기준 | ||||||
 | G1K1P06HH | 0.0790 | | 7 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 4.5A (TC) | 10V | 110mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 981 pf @ 30 v | - | 3.1W (TC) | ||||
| G700P06H | 0.5000 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0000 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 5A (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15.8 nc @ 10 v | ± 20V | 1459 pf @ 30 v | - | 3.1W (TC) | |||||
 | GT065P06T | 1.6800 | | 25 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 50 | p 채널 | 60 v | 82A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 5335 pf @ 30 v | - | 150W (TC) | ||||
 | GT042P06T | 2.7400 | | 1319 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 50 | p 채널 | 60 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 305 NC @ 10 v | ± 20V | 9151 pf @ 30 v | - | 280W (TC) | ||||
 | G30N03d3 | 0.5300 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3.15x3.05) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 30A | 7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 825 pf @ 15 v | 24W | ||||||
| G30N04D3 | 0.6900 | | 9 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3.15x3.05) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1780 pf @ 20 v | 기준 | 19.8W (TC) | ||||
| G15N10C | 0.6200 | | 463 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 8a, 10V | 3V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | - | 42W (TC) | |||||
| G12P03D3 | 0.0920 | | 100 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3.15x3.05) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 24.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1253 pf @ 15 v | - | 3W (TC) | ||||
| G18P03S | 0.1930 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 10MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 3570 pf @ 15 v | - | 3.1W (TC) | ||||||
 | g1k1p06ll | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6L | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 3A (TC) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1035 pf @ 30 v | - | 1.5W (TC) | |||||
 | G75P04T | - | | 4272 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 50 | p 채널 | 40 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 v | ± 20V | 6985 pf @ 20 v | - | 277W (TC) | |||||
 | gc11n65f | 1.6400 | | 145 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 11a | 360mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 30V | 901 pf @ 50 v | 31.3W | ||||||
| G20P06K | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 20A (TC) | 10V | 45mohm @ 12a, 10V | 3.5V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 3430 pf @ 30 v | 90W (TC) | |||||
 | G900p15m | 1.6400 | | 451 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 150 v | 60A (TC) | 10V | 80mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 4056 pf @ 75 v | - | 100W (TC) | |||||
 | G080N10T | 1.9400 | | 5661 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-G080N10T | 귀 99 | 8541.29.0000 | 50 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 107 NC @ 4.5 v | ± 20V | 13912 pf @ 50 v | - | 370W (TC) | ||||
| GT110N06 | 0.7300 | | 5 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 14a, 10V | 2.4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3W (TC) | |||||
| G300P06D5 | 0.9100 | | 5140 | 0.00000000 | goford 반도체 | G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (4.9x5.75) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 5,000 | p 채널 | 60 v | 40A (TC) | 10V | 30mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 2705 pf @ 30 v | - | 50W (TC) | ||||||
| G11S | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | goford 반도체 | G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 20 v | 11A (TC) | 2.5V, 4.5V | 18.4mohm @ 1a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 12V | 2455 pf @ 10 v | - | 3.3W (TC) | ||||
| G65P06F | 1.1500 | | 196 년 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 65A (TC) | 10V | 18mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 6477 pf @ 25 v | - | 39W (TC) | ||||
| G16N03S | 0.1160 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TC) | 5V, 10V | 10MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 16.6 NC @ 10 v | ± 20V | 950 pf @ 15 v | - | 2.5W (TC) | ||||||
 | G1007 | 0.1369 | | 3873 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-G1007tr | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 7A (TC) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 1a, 10V | 3V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 612 pf @ 50 v | - | 28W (TC) | ||||
 | G75P04 | 0.3260 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | p 채널 | 40 v | 11A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 v | ± 20V | 6893 pf @ 20 v | - | 2.5W (TC) | |||||
| G05NP04 | 0.1527 | | 1938 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2W (TC) | 8-SOP | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-G05NP04STR | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | - | 40V | 4.5A (TC), 10A (TC) | 41mohm @ 1a, 10v, 37mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250µA | 8.9nc @ 10v, 13nc @ 10v | 516pf @ 20V, 520pf @ 20V | 기준 | ||||||
 | 2002a | 0.1098 | | 8180 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6L | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-2002atr | 귀 99 | 8541.29.0000 | 3,000 | n 채널 | 190 v | 5A (TC) | 4.5V, 10V | 540mohm @ 1a, 10V | 3V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 733 PF @ 100 v | - | 1.4W (TC) | ||||
 | G09P02L | 0.4900 | | 8 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 9A (TC) | 2.5V, 4.5V | 23mohm @ 1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 12V | 620 pf @ 10 v | - | 2.2W (TC) | ||||
 | G20N03D2 | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 5a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 873 pf @ 30 v | - | 1.5W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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