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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
G08N02L Goford Semiconductor G08N02L 0.0962
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-G08N02LTR 귀 99 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 12.3mohm @ 12a, 4.5v 900MV @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 12V 929 pf @ 10 v - 1.5W (TC)
GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3 0.7200
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 goford 반도체 Sgt 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3.15x3.05) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 14a, 10V 2.4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1059 pf @ 30 v 기준 25W (TC)
GT250P10T Goford Semiconductor GT250P10T 1.7500
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-GT250P10T 귀 99 8541.29.0000 50 p 채널 100 v 56A (TC) 10V 30mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 73 NC @ 10 v ± 20V 4059 pf @ 50 v - 173.6W (TC)
G86N06K Goford Semiconductor G86N06K 1.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 68a 8.4mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 20V 2860 pf @ 25 v 88W
G700P06LL Goford Semiconductor g700p06ll 0.0750
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 3,000 p 채널 60 v 5A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 15.8 nc @ 10 v ± 20V 1456 pf @ 30 v - 3.1W (TC)
G13P04S Goford Semiconductor G13P04S 0.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 goford 반도체 Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 4,000 p 채널 40 v 13A (TC) 10V 15mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 3271 pf @ 20 v 기준 3W (TC)
GT035N06T Goford Semiconductor GT035N06T 1.9400
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 170A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 5064 pf @ 30 v - 215W (TC)
GT045N10M Goford Semiconductor GT045N10M 1.8200
RFQ
 ECAD 754 0.00000000 goford 반도체 Sgt 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 4198 pf @ 50 v 기준 180W (TC)
GC080N65QF Goford Semiconductor GC080N65QF 8.7200
RFQ
 ECAD 2618 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3141-GC080N65QF 귀 99 8541.29.0000 30 n 채널 650 v 50A (TC) 10V 80mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 30V 4900 pf @ 380 v - 298W (TC)
GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5 0.6760
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 goford 반도체 G 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (4.9x5.75) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 5,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 901 pf @ 50 v - 78W (TC)
G12P10K Goford Semiconductor G12P10K 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 12a 200mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 50 v 57W
G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3 0.6400
RFQ
 ECAD 604 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3.15x3.05) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 8A (TC) 10V 52mohm @ 6a, 10V 3.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 2972 pf @ 30 v - 40W (TC)
G05P06L Goford Semiconductor G05P06L 0.0790
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1366 pf @ 50 v - 4.3W (TC)
G01N20LE Goford Semiconductor G01N20LE 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.7A (TC) 4.5V, 10V 850mohm @ 1.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 1.5W (TC)
G200P04D3 Goford Semiconductor G200P04D3 0.1523
RFQ
 ECAD 7107 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3.15x3.05) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-G200P04D3TR 귀 99 8541.29.0000 5,000 p 채널 40 v 20A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2662 pf @ 20 v - 30W (TC)
GT060N04K Goford Semiconductor GT060N04K 0.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3141-GT060N04KTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 54A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 2.3V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1279 pf @ 20 v - 44W (TC)
G2K2P10SE Goford Semiconductor G2K2P10SE 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 100 v 3.5A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1653 pf @ 50 v - 3.1W (TC)
6706 Goford Semiconductor 6706 0.1247
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-6706tr 귀 99 8541.29.0000 4,000 - 20V 6.5A (TA), 5A (TA) 18mohm @ 5a, 4.5v, 28mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 5.2NC @ 10V, 9.2NC @ 10V 255pf @ 15v, 520pf @ 15v 기준
GT040N04TI Goford Semiconductor GT040N04TI 1.0300
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 goford 반도체 Sgt 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 50 n 채널 40 v 110A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2303 pf @ 20 v 기준 160W (TC)
06N06L Goford Semiconductor 06N06L 0.3900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 5.5A 42mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 765 pf @ 30 v 960MW
G35P04D5 Goford Semiconductor G35P04D5 0.6800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (4.9x5.75) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 35A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3280 pf @ 20 v - 35W (TC)
GC041N65QF Goford Semiconductor GC041N65QF 10.8400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3141-GC041N65QF 귀 99 8541.29.0000 30 n 채널 650 v 70A (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 30V 7650 pf @ 380 v - 500W (TC)
G30N02T Goford Semiconductor G30N02T 0.6200
RFQ
 ECAD 2419 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 30A (TA) 4.5V 13mohm @ 20a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 12V 900 pf @ 10 v - 40W (TA)
G2305 Goford Semiconductor G2305 0.0350
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.8A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 4.1a, 4.5v 1V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.7W (TA)
GT1003A Goford Semiconductor GT1003A 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 GT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 n 채널 100 v 3A (TA) 10V 140mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 4.3 NC @ 10 v ± 20V 206 pf @ 50 v - 1.6W (TA)
GT105N10T Goford Semiconductor GT105N10T 0.3820
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 100 v 55A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V - 74W (TC)
G050P03K Goford Semiconductor G050P03K 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 85A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 v ± 20V 7051 pf @ 15 v - 100W (TC)
G40P03K Goford Semiconductor G40P03K 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V - 138W (TC)
G1006LE Goford Semiconductor G1006LE 0.0770
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3A (TC) 4.5V, 10V 150mohm @ 3a, 10V 2.2V @ 250µA 18.2 NC @ 10 v ± 20V 622 pf @ 50 v - 1.5W (TC)
G350P02LLE Goford Semiconductor G350P02LLE 0.0450
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6L 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 10V 1126 pf @ 10 v - 1.4W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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