SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA50_L2_00001 -
RFQ
ECAD 4810 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd1na50 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD1NA50_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 1A (TA) 10V 9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.2 NC @ 10 v ± 30V 95 pf @ 25 v - 25W (TC)
DTC123JCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAHZGT116 0.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
BD534 STMicroelectronics BD534 -
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD534 50 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 45 v 8 a 100µA PNP 800mv @ 600ma, 6a 25 @ 2A, 2V -
FP75R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N3T7B11BPSA1 206.2200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 1.8V @ 15V, 75A 13 µA 15.1 NF @ 25 v
FDB3652-F085 onsemi FDB3652-F085 -
RFQ
ECAD 5337 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB3652 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 16MOHM @ 61A, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2880 pf @ 25 v - 150W (TC)
IGT6D10 Harris Corporation IGT6D10 2.0700
RFQ
ECAD 8868 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA 논리 75 w TO-3 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 106 - - 400 v 10 a 40 a 2.7V @ 15V, 10A - -
G050P03T Goford Semiconductor G050P03T 1.1700
RFQ
ECAD 26 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 50 p 채널 30 v 85A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 v ± 20V 6922 pf @ 15 v - 100W (TC)
2STW4466 STMicroelectronics 2stw4466 -
RFQ
ECAD 1504 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 2stw 60 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 80 v 6 a 100NA (ICBO) NPN 1.5V @ 600MA, 6A 50 @ 2a, 4v 20MHz
IRLR7821TRPBF Infineon Technologies IRLR7821TRPBF -
RFQ
ECAD 2067 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1030 pf @ 15 v - 75W (TC)
NSBC144EDXV6T1 onsemi NSBC14444EDXV6T1 -
RFQ
ECAD 7538 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000
TSM085N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM085N03PQ33 0.5699
RFQ
ECAD 2961 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM085 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.1x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM085N03PQ33TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 13A (TA), 52A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13a, 10V 2.5V @ 250µA 14.3 NC @ 10 v ± 20V 817 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 37W (TC)
SS9018GBU onsemi SS9018GBU -
RFQ
ECAD 6769 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9018 400MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 - 15V 50ma NPN 72 @ 1ma, 5V 1.1GHz -
KSC1675RBU onsemi KSC1675RBU -
RFQ
ECAD 9111 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1675 250 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 40 @ 1ma, 6V 300MHz
J176_D74Z Fairchild Semiconductor J176_D74Z 0.0700
RFQ
ECAD 2241 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 350 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 333 p 채널 - 30 v 2 ma @ 15 v 1 V @ 10 NA 250 옴
BD244B onsemi BD244B -
RFQ
ECAD 1126 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD244 65 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
IRF2907ZPBF Infineon Technologies IRF2907ZPBF 3.3600
RFQ
ECAD 238 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF2907 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 75 v 160A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 7500 pf @ 25 v - 300W (TC)
FS200R07A1E3BOMA1 Infineon Technologies FS200R07A1E3BOMA1 -
RFQ
ECAD 9175 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 1 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS200R07 790 W. 기준 ag-hybrid1-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001364328 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 250 a 1.9V @ 15V, 200a 1 MA 13 nf @ 25 v
IRFS634B_FP001 Fairchild Semiconductor IRFS634B_FP001 0.5000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 4.05a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 38W (TC)
IXFN26N90 IXYS IXFN26N90 29.2860
RFQ
ECAD 5958 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN26 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFN26N90-NDR 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 900 v 26A (TC) 10V 300mohm @ 13a, 10V 5V @ 8MA 240 NC @ 10 v ± 20V 10800 pf @ 25 v - 600W (TC)
SFR9214TF Fairchild Semiconductor SFR9214TF 0.1400
RFQ
ECAD 56 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 1.53A (TC) 10V 4ohm @ 770ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 295 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 19W (TC)
FDS9926A onsemi FDS9926A 0.7300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS9926 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6.5A 30mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 9NC @ 4.5V 650pf @ 10V 논리 논리 게이트
SPD07N60C3T Infineon Technologies SPD07N60C3T -
RFQ
ECAD 5432 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD07N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 83W (TC)
CGH55015F1 Wolfspeed, Inc. CGH55015F1 -
RFQ
ECAD 3113 0.00000000 Wolfspeed, Inc. 쟁반 쓸모없는 84 v 440196 CGH55015 5.5GHz ~ 5.8GHz 440196 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 60 1.5A 115 MA 15W 11db - 28 v
MPSA92 Diotec Semiconductor MPSA92 0.0436
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-MPSA92TR 8541.21.0000 4,000 300 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 10ma, 10V 70MHz
UNR9216J0L Panasonic Electronic Components UNR9216J0L -
RFQ
ECAD 1804 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-89, SOT-490 UNR9216 125 MW SSMINI3-F1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250MV @ 300µA, 10MA 160 @ 5MA, 10V 150MHz 4.7 Kohms
IRFR3103TRR Infineon Technologies irfr3103trr -
RFQ
ECAD 7563 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 1.7A (TA) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
ZXM66P02N8TC Diodes Incorporated ZXM66P02N8TC -
RFQ
ECAD 2035 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 6.4A (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 3.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 43.3 NC @ 4.5 v ± 12V 2068 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
FDS8449-F085P onsemi FDS8449-F085P -
RFQ
ECAD 1847 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS84 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 7.6A (TA) 4.5V, 10V 29mohm @ 7.6a, 10V 3V @ 250µA 11 NC @ 5 v ± 20V 760 pf @ 20 v - 5W (TA)
FP75R12N2T7B16BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T7B16BPSA1 179.6900
RFQ
ECAD 8397 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 1.55V @ 15V, 75A 14 µA 15.1 NF @ 25 v
AO4468 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4468 0.5400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 11.6a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고