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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | BCW68G | 0.0500 | | 224 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 45 v | 800 MA | 20NA | PNP | 1.5V @ 30MA, 300MA | 160 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RRS050P03HZGTB | 1.2800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RRS050 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 5A (TA) | 4V, 10V | 50mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 9.2 NC @ 5 v | ± 20V | 850 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IAUT300N08S5N012ATMA2 | 7.1000 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IAUT300 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 80 v | 300A (TC) | 6V, 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.8V @ 275µA | 231 NC @ 10 v | ± 20V | 16250 pf @ 40 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| DMJ70H1D4SV3 | - | | 5183 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | DMJ70 | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 700 v | 5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 30V | 342 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | MUN2211JT1G | - | | 7140 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MUN2211 | 230MW | SC-59 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 250MV @ 300µA, 10MA | 35 @ 5MA, 10V | 10 KOHMS | 10 KOHMS |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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