전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | FS75R12KT3BOSA1 | 140.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS75R12 | 355 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 105 a | 2.15V @ 15V, 75A | 5 MA | 예 | 5.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFS4945NTAG | - | ![]() | 9159 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS4 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 7.1A (TA), 34A (TC) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 17.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1194 pf @ 15 v | - | 890MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF 2040 E6814 | 0.0800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 8 v | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | 1GHz | MOSFET | PG-SOT143-4 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50µA | 15 MA | - | 23db | 1.6dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035-100PU | 263.3300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150 v | 섀시 섀시 | SOT-1228A | 3GHz | 간 간 | 가장 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 100 MA | 100W | 14db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqi5n20tu | 0.3100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.25a, 10V | 5V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 30V | 270 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS86540 | 2.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 18A (TA) | 8V, 10V | 4.5mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 6410 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWT40H60DLFB | 4.3000 | ![]() | 445 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | STGWT40 | 기준 | 283 w | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 80 a | 160 a | 2V @ 15V, 40A | 363µJ (OFF) | 210 NC | -/142ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SISH112DN-T1-GE3 | 1.4900 | ![]() | 8296 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH112 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 11.3A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 17.8a, 10V | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2610 pf @ 15 v | - | 1.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AONS66908 | 0.7008 | ![]() | 2277 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AONS669 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-aons66908tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 30A (TA), 158A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2.6V @ 250µA | 97 NC @ 10 v | ± 20V | 5117 pf @ 50 v | - | 7.3W (TA), 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFN214BTA | 0.1800 | ![]() | 152 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | IRFN214 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,664 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMST6429,115 | 0.0200 | ![]() | 941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 500 @ 100µa, 5V | 700MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NGTB15N120FL2WG | 5.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NGTB15 | 기준 | 294 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15a, 10ohm, 15V | 110 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 30 a | 60 a | 2.4V @ 15V, 15a | 1.2mj (on), 370µj (OFF) | 109 NC | 64ns/132ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114YM, 315 | - | ![]() | 7076 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFBC30AST | - | ![]() | 2952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144ESA-AP | - | ![]() | 5337 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모 쓸모 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 (형성 된 리드 리드) | DTA144 | 300MW | 92S | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-DTA1444444444444444444444444444444444444444444444444444444444 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123EEBTL | 0.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | DTA123 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 20 @ 20ma, 5V | 250MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144GUAT106 | 0.0463 | ![]() | 1297 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA144 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STT5PF20V | - | ![]() | 2918 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | stt5p | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5A (TC) | 2.5V, 4.5V | 80mohm @ 2.5a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 4.5 nc @ 2.5 v | ± 8V | 412 pf @ 15 v | - | 1.6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGLQ40H120T1G | 73.5407 | ![]() | 5193 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SP1 | APTGLQ40 | 250 W. | 기준 | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 75 a | 2.4V @ 15V, 40A | 100 µa | 예 | 2.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6670S | 2.4900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 62A (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm@ 31a, 10V | 3V @ 1mA | 32 NC @ 5 v | ± 20V | 2639 pf @ 15 v | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK13A45D (STA4, Q, M) | 2.4700 | ![]() | 9513 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | π-mosvii | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK13A45 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 13A (TA) | 10V | 460mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 1MA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF888BS, 112 | - | ![]() | 5692 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 104 v | SOT539B | BLF888 | 470MHz ~ 860MHz | LDMOS | SOT539B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | 2.8µA | 250W | 21db | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | spu07n60c3bkma1 | - | ![]() | 7731 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | spu07n | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-21 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 650 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R310CFDATMA1 | 1.5573 | ![]() | 8095 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R310 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 11.4A (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 400µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 100 v | - | 104.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65CHRC11 | 12.8100 | ![]() | 8029 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | RGW60 | 기준 | 178 w | TO-247N | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RGW60TS65CHRC11 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 15a, 10ohm, 15V | 34 ns | - | 650 v | 64 a | 120 a | 1.9V @ 15V, 30A | 70µJ (on), 220µJ (OFF) | 84 NC | 37ns/91ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlr2905ztrlpbf | - | ![]() | 9723 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 36a, 10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 16V | 1570 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST4118 SOT-23 3L ROHS | 3.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | SST4118 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 3pf @ 10V | 40 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N312AD3 | 0.2900 | ![]() | 211 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet® | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1450 pf @ 15 v | - | 75W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ph4030dlvx | - | ![]() | 4424 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt30tl60t3g | - | ![]() | 7523 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | 90 W. | 기준 | SP3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V, 30A | 250 µA | 예 | 1.6 NF @ 25 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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