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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 트랜지스터 트랜지스터 | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | irg4pc50kpbf | 2.2600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 200 w | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 480V, 30A, 5ohm, 15V | - | 600 v | 52 a | 104 a | 2.2V @ 15V, 30A | 490µJ (on), 680µJ (OFF) | 200 NC | 38ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP7530PBF | 1.0000 | ![]() | 7704 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 2MOHM @ 100A, 10V | 3.7V @ 250µA | 411 NC @ 10 v | ± 20V | 13703 pf @ 25 v | - | 341W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB70NFS03LT4 | - | ![]() | 6147 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB70N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1026-STB70NFS03LT4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 5V, 10V | 9.5mohm @ 35a, 10V | 1V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 18V | 1440 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
IXTC220N075T | - | ![]() | 6117 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXTC220 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 115A (TC) | 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 165 NC @ 10 v | ± 20V | 7700 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGR50N60BD1 | - | ![]() | 4917 | 0.00000000 | ixys | Hiperfast ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXGR50 | 기준 | 250 W. | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V, 50A, 2.7OHM, 15V | 35 ns | - | 600 v | 75 a | 200a | 2.5V @ 15V, 50A | 3MJ (OFF) | 110 NC | 50ns/110ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR2405 | 1.0500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2430 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF3808 | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 151 | n 채널 | 75 v | 140A (TC) | 7mohm @ 82a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | 5310 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FDMS2504SDC | 2.1900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Dual Cool ™, Powertrench®, SyncFet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 42A (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 1.25mohm @ 32a, 10V | 3V @ 1mA | 119 NC @ 10 v | ± 20V | 7770 pf @ 13 v | - | 3.3W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTC13N50 | - | ![]() | 4250 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXTC13 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 400mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639S3S | - | ![]() | 5656 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MTM982400BBF | - | ![]() | 6590 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | MOSFET (금속 (() | SO8-F1-B | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 7A (TA) | 5V, 10V | 23mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 1mA | ± 20V | 1750 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IRGPH40F | - | ![]() | 2712 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 160 W. | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 1200 v | 29 a | 3.3v @ 15v, 17a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | fqd4n20ltf | - | ![]() | 9653 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD4 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 3.2A (TC) | 5V, 10V | 1.35ohm @ 1.6a, 10V | 2V @ 250µA | 5.2 NC @ 5 v | ± 20V | 310 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9640-100A, 118 | 1.1900 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK9640 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 39A (TC) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 48 NC @ 5 v | ± 15V | 3072 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
MRF6S23100HSR5 | - | ![]() | 7920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | NI-780S | MRF6 | 2.4GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1 a | 20W | 15.4dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
AFT20S015GNR1 | 26.1700 | ![]() | 777 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | TO-270BA | AFT20 | 2.17GHz | LDMOS | TO-270-2 -2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0040 | 500 | - | 132 MA | 1.5W | 17.6dB | - | 28 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
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