SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
NDS8852H onsemi NDS8852H -
RFQ
 ECAD 5906 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS885 MOSFET (금속 (() 1W 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 4.3a, 3.4a 80mohm @ 3.4a, 10V 2.8V @ 250µA 25NC @ 10V 300pf @ 15V 논리 논리 게이트
FCP104N60 onsemi FCP104N60 6.2900
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP104 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 4165 pf @ 380 v - 357W (TC)
SIE808DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE808DF-T1-E3 3.9800
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE808 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 8800 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
STD2N95K5 STMicroelectronics STD2N95K5 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD2N95 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 950 v 2A (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 10 nc @ 10 v 30V 105 pf @ 100 v - 45W (TC)
SGL40N150DTU onsemi SGL40N150DTU -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA SGL40 기준 200 w TO-264-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 300 ns - 1500 v 40 a 120 a 4.7V @ 15V, 40A - 140 NC -
RYE002N05TCL Rohm Semiconductor Rye002n05tcl -
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 Rye002 MOSFET (금속 (() EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 0.9V, 4.5V 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 800mv @ 1ma ± 8V 26 pf @ 10 v - 150MW (TA)
SI3447BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3447BDV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9859 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3447 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
2N5551-BP Micro Commercial Co 2N5551-BP -
RFQ
 ECAD 2370 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5551 625 MW To-92 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-2N5551-BP 귀 99 8541.21.0075 1,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1 72.2225
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 DF200R12 375 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 2 독립 - 1200 v 30 a 1.3V @ 15V, 30A 1 MA 예 2 NF @ 25 v
APT8014JLL Microchip Technology APT8014JLL -
RFQ
 ECAD 1794 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 800 v 42A (TC) 10V 140mohm @ 21a, 10V 5V @ 5MA 285 NC @ 10 v ± 30V 7238 pf @ 25 v - 595W (TC)
TP0606N3-G Microchip Technology TP0606N3-G 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TP0606 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 320MA (TJ) 5V, 10V 3.5ohm @ 750ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 150 pf @ 25 v - 1W (TC)
NESG2046M33-T3-A CEL NESG2046M33-T3-A -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 셀 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 NESG2046 130MW 3-Superminimold (M33) 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0075 10,000 9.5dB ~ 11.5dB 5V 40ma NPN 140 @ 2MA, 1V 18GHz 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz
ATP401-TL-H onsemi ATP401-TL-H -
RFQ
 ECAD 2231 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP401 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 100A (TA) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 50a, 10V - 300 NC @ 10 v ± 20V 17000 pf @ 20 v - 90W (TC)
2SK1157-E Renesas Electronics America Inc 2SK1157-E 5.0300
RFQ
 ECAD 339 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
JANTX2N1893S Microchip Technology JANTX2N1893S 27.7172
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/182 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N1893 3 w TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 5V @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
IPI120N06S403AKSA1 Infineon Technologies IPI120N06S403AKSA1 -
RFQ
 ECAD 4754 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI120N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 120µA 160 nc @ 10 v ± 20V 13150 pf @ 25 v - 167W (TC)
IRL3715 Infineon Technologies IRL3715 -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3715 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 54A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1060 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 71W (TC)
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N60C3XKSA1 2.7300
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA07N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
IRGIB4620DPBF Infineon Technologies irgib4620dpbf -
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 140 W. PG-to220-FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001545068 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 12a, 22ohm, 15V 68 ns NPT 600 v 32 a 36 a 1.85V @ 15V, 12A 185µJ (on), 355µJ (OFF) 25 NC 31ns/83ns
UPA1728G(0)-E1-AY Renesas Electronics America Inc UPA1728G (0) -e1 -ay 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
C2M0040120D Wolfspeed, Inc. C2M0040120D 46.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Wolfspeed, Inc. Z-Fet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 C2M0040120 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 60A (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 10MA 115 NC @ 20 v +25V, -10V 1893 PF @ 1000 v - 330W (TC)
ZXMN10B08E6TA Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA 0.7500
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXMN10 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.6A (TA) 4.3V, 10V 230mohm @ 1.6a, 10V 3V @ 250µA 9.2 NC @ 10 v ± 20V 497 pf @ 50 v - 1.1W (TA)
STP12N120K5 STMicroelectronics STP12N120K5 11.3400
RFQ
 ECAD 7545 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP12 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1200 v 12A (TC) 10V 6A, 6A, 10V 5V @ 100µa 44.2 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 100 v - 250W (TC)
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP640H6327XTSA1 0.6100
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP640 200MW PG-SOT343-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12.5dB 4.5V 50ma NPN 110 @ 30MA, 3V 40GHz 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
STP21N90K5 STMicroelectronics STP21N90K5 6.6600
RFQ
 ECAD 8586 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP21 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-12864-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 18.5A (TC) 10V 299mohm @ 9a, 10V 5V @ 100µa 43 NC @ 10 v ± 30V 1645 pf @ 100 v - 250W (TC)
IXFT220N20X3HV IXYS IXFT220N20X3HV 21.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT220 MOSFET (금속 (() TO-268HV (IXFT) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 220A (TC) 10V 6.2MOHM @ 110A, 10V 4.5V @ 4mA 204 NC @ 10 v ± 20V 13600 pf @ 25 v - 960W (TC)
RJL5012DPE-00#J3 Renesas Electronics America Inc RJL5012DPE-00#J3 -
RFQ
 ECAD 6735 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-83 RJL5012 MOSFET (금속 (() ldpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 12A (TA) 10V 700mohm @ 6a, 10V - 27.8 nc @ 10 v ± 30V 1050 pf @ 25 v - 100W (TC)
FCP170N60 onsemi FCP170N60 6.9700
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP170 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 170mohm @ 11a, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2860 pf @ 380 v - 227W (TC)
2N7002 onsemi 2N7002 0.3500
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 200MW (TA)
PHB11N06LT,118 NXP USA Inc. PHB11N06LT, 118 -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB11 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 10.3A (TC) 5V, 10V 130mohm @ 5.5a, 10V 2V @ 1mA 5.2 NC @ 5 v ± 15V 330 pf @ 25 v - 33W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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