SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 전류 전류 (ID) - 최대
CPH3340-TL-E onsemi CPH3340-TL-E 0.2300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 MOSFET (금속 (() 3-cph - 적용 적용 수 할 귀 99 0000.00.0000 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 45mohm @ 2.5a, 4v - 16 nc @ 4 v 1875 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
TSM320N03CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM320N03CX 0.3118
RFQ
 ECAD 6160 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM320 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM320N03CXTR 귀 99 8541.29.0095 12,000 n 채널 30 v 4A (TA), 5.5A (TC) 2.5V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 900MV @ 250µA 8.9 NC @ 4.5 v ± 12V 792 pf @ 15 v - 1W (TA), 1.8W (TC)
TSM4NB65CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CH 0.9576
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM4 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM4NB65CH 귀 99 8541.29.0095 15,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 3.37ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 250µA 13.46 NC @ 10 v ± 30V 549 pf @ 25 v - 50W (TC)
TSM480P06CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CH 0.9337
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TSM480 MOSFET (금속 (() TO-251S (I-PAK SL) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM480P06CH 귀 99 8541.29.0095 15,000 p 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10V 2.2V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 30 v - -
RF1S9630SM Harris Corporation RF1S9630SM 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 200 v 6.5A - - - - - -
AUIRFR3504Z Infineon Technologies auirfr3504z -
RFQ
 ECAD 3217 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
FMS7G20US60 Fairchild Semiconductor FMS7G20US60 -
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 25 a aa 89 w 3 정류기 정류기 브리지 오후 25 a aa 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 600 v 20 a 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 예 1.277 NF @ 30 v
BUK75150-55A,127 NXP USA Inc. BUK75150-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 6536 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK75 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 11A (TC) 10V 150mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 5.5 nc @ 10 v ± 20V 322 pf @ 25 v - 36W (TC)
STWA67N60DM6 STMicroelectronics STWA67N60DM6 6.6739
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STWA67 MOSFET (금속 (() TO-247 긴 7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STWA67N60DM6 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 600 v 58A (TC) 10V 54mohm @ 23.5a, 10V 4.75V @ 250µA 72.5 nc @ 10 v ± 25V 3400 pf @ 100 v - 431W (TC)
2SK2593JQL Panasonic Electronic Components 2SK2593JQL -
RFQ
 ECAD 9712 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SK2593 125 MW SSMINI3-F1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 55 v 6.5pf @ 10V 1 ma @ 10 v 5 V @ 10 µA 30 MA
J109_D74Z onsemi J109_D74Z -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J109 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 25 v 40 ma @ 15 v 2 V @ 10 NA 12 옴
2N4091UB Microchip Technology 2N4091UB 47.6539
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N4091 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 30 ma @ 20 v 30 옴
STP7N95K3 STMicroelectronics STP7N95K3 3.1400
RFQ
 ECAD 499 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP7N95 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-8792-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 7.2A (TC) 10V 1.35ohm @ 3.6a, 10V 5V @ 100µa 34 NC @ 10 v ± 30V 1031 pf @ 100 v - 150W (TC)
IXTF1N450 IXYS IXTF1N450 101.4600
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 (3 리드) IXTF1 MOSFET (금속 (() Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 4500 v 900ma (TC) 10V 85ohm @ 50ma, 10V 6.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1730 pf @ 25 v - 160W (TC)
2SB1026DMWS-E Renesas Electronics America Inc 2SB1026DMWS-E 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1,000
IXTA15P15T IXYS IXTA15P15T -
RFQ
 ECAD 5874 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA15 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 15A (TC) 10V 240mohm @ 7a, 10V 4.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 15V 3650 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIHF35N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHF35N60EF-GE3 3.3325
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 Vishay Siliconix ef 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF35 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 97mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 134 NC @ 10 v ± 30V 2568 pf @ 100 v - 39W (TC)
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7911DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7911 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.2A 51mohm @ 5.7a, 4.5v 1V @ 250µA 15NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
MCH6445-TL-W onsemi MCH6445-TL-W -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6445 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4A (TA) 4V, 10V 78mohm @ 2a, 10V - 10 nc @ 10 v ± 20V 505 pf @ 20 v - 1.5W (TA)
EMH2407-S-TL-HX onsemi EMH2407-S-TL-HX -
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-smd,, 리드 EMH2407 - - 8-EMH - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
MCH6421-TL-E onsemi MCH6421-TL-E 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6421 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.5A (TA) 1.8V, 4.5V 38mohm @ 2a, 4.5v 1.3v @ 1ma 5.1 NC @ 4.5 v ± 12V 410 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
ALD310708PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald310708pcl 8.6100
RFQ
 ECAD 3247 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD310708 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1297 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 780mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ZTX749A onsemi ZTX749A -
RFQ
 ECAD 2582 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZTX749 1 W. TO-226 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 35 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 2v 100MHz
F1235R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies F1235R12KT4GBOSA1 -
RFQ
 ECAD 6339 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 210 W. 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 35 a 2.15V @ 15V, 35A 1 MA 아니요 2 NF @ 25 v
FDMC8030 onsemi FDMC8030 1.4400
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMC80 MOSFET (금속 (() 800MW 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 12a 10mohm @ 12a, 10V 2.8V @ 250µA 30NC @ 10V 1975pf @ 20V 논리 논리 게이트
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0.6600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 50A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 250ma 51 NC @ 4.5 v ± 12V 2418 pf @ 15 v - 83W (TA)
IRFP7530PBF Infineon Technologies IRFP7530PBF 3.6100
RFQ
 ECAD 652 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP7530 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560520 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2MOHM @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 411 NC @ 10 v ± 20V 13703 pf @ 25 v - 341W (TC)
MSR2N2222AUBC/TR Microchip Technology MSR2N2222AUBC/TR 249.9203
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW UBC - 영향을받지 영향을받지 150-MSR2N2222AUBC/TR 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
IRF723 Harris Corporation IRF723 0.7800
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 2.8A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 50W (TC)
BC846B_R1_00001 Panjit International Inc. BC846B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. BC846 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC846B_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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