SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
NVMFS5C468NLAFT3G onsemi NVMFS5C468NLAFT3G 0.4424
RFQ
 ECAD 4579 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 13A (TA), 37A (TC) 4.5V, 10V 10.3mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 7.3 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
IXYH40N65B3D1 IXYS IXYH40N65B3D1 6.4158
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH40 기준 300 w TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 37 ns - 650 v 86 a 195 a 2V @ 15V, 40A 800µJ (on), 1.25mj (OFF) 68 NC 20ns/140ns
RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC11 5.8000
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGT00 기준 277 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 54 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 85 a 150 a 2.1V @ 15V, 50A - 94 NC 42ns/137ns
IRG5K75HF06A Infineon Technologies IRG5K75HF06A -
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 34 4 IRG5K75 330 w 기준 Powir® 34 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001548060 귀 99 8541.29.0095 20 반 반 - 600 v 140 a 2.1V @ 15V, 75A 1 MA 아니요 3.6 NF @ 25 v
NGTG50N60FLWG onsemi ngtg50n60flwg -
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTG50 기준 223 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 도랑 600 v 100 a 200a 1.9V @ 15V, 50A 1.1mj (on), 600µJ (OFF) 310 NC 116ns/292ns
LS318 TO-78 6L Linear Integrated Systems, Inc. LS318 TO-78 6L 9.0800
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. - 대부분 활동적인 25V 범용 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 LS318 To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 500 10MA 2 NPN (()
IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies ika10n65et6xksa2 1.7300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IKA10N65 기준 40 W. PG-to220-3-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001701334 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 8.5A, 47OHM, 15V 51 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 15 a 42.5 a 1.9V @ 15V, 8.5A 200µJ (on), 70µJ (OFF) 27 NC 30ns/106ns
IXBH20N360HV IXYS IXBH20N360HV 131.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXBH20 기준 430 w TO-247HV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 1500V, 20A, 10ohm, 15V 1.7 µs - 3600 v 70 a 220 a 3.4V @ 15V, 20A 15.5mj (on), 4.3mj (OFF) 110 NC 18ns/238ns
APTGT50H60T3G Microchip Technology APTGT50H60T3G 74.5800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTGT50 176 w 기준 SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 1.9V @ 15V, 50A 250 µA 예 3.15 NF @ 25 v
IXBT16N170AHV IXYS IXBT16N170AHV 16.6173
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXBT16 기준 150 W. TO-268HV (IXBT) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 1360V, 10A, 10ohm, 15V 25 ns - 1700 v 16 a 40 a 6V @ 15V, 10A 2.5mj (OFF) 65 NC 15ns/250ns
IRG4BC20UDSTRRP Infineon Technologies irg4bc20udstrrp -
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001535602 귀 99 8541.29.0095 800 480V, 6.5A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 13 a 52 a 2.1V @ 15V, 6.5A 160µJ (on), 130µJ (OFF) 27 NC 39ns/93ns
FJX2907ATF Fairchild Semiconductor FJX2907ATF -
RFQ
 ECAD 8317 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 SC-70, SOT-323 FJX290 325 MW SC-70 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
PDTA143EQA147 NXP USA Inc. PDTA143EQA147 0.0300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 5,000
NVMFS5C646NLT1G onsemi NVMFS5C646NLT1G -
RFQ
 ECAD 6163 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 20A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 2164 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
PSMN6R9-100YSFX Nexperia USA Inc. psmn6r9-100ysfx 2.8500
RFQ
 ECAD 4766 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn6r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 100A (TC) 10V - - 50.3 NC @ 10 v ± 20V - 238W
SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7818DN-T1-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7818 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 2.2A (TA) 6V, 10V 135mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
FDP5690 onsemi FDP5690 -
RFQ
 ECAD 9516 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP56 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 32A (TC) 6V, 10V 27mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1120 pf @ 25 v - 58W (TC)
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU (T5L, f -
RFQ
 ECAD 3812 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET (금속 (() 300MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 200ma 2.1ohm @ 500ma, 10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V 논리 논리 게이트
MMBT3906 Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906 0.0288
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMBT3906TR 귀 99 8541.21.0075 9,000 40 v 200 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
IPI037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI037N08N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI037N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 3.75mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8110 pf @ 40 v - 214W (TC)
BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies BSC0702LSATMA1 1.7400
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0702 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 49µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 4400 pf @ 30 v 기준 83W (TC)
AUIRFR3607 Infineon Technologies AUIRFR3607 -
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR3607 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521766 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 56A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
IRGP4790-EPBF Infineon Technologies IRGP4790-EPBF -
RFQ
 ECAD 4407 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 455 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001549734 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 75A, 10ohm, 15V - 650 v 140 a 225 a 2V @ 15V, 75A 2.5mj (on), 2.2mj (OFF) 210 NC 50ns/200ns
IXTA152N085T IXYS IXTA152N085T -
RFQ
 ECAD 9151 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA152 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 85 v 152A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXGH12N60C IXYS IXGH12N60C -
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 ixys Hiperfast ™, Lightspeed ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH12 기준 100 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480v, 12a, 18ohm, 15v - 600 v 24 a 48 a 2.7V @ 15V, 12a 90µJ (OFF) 32 NC 20ns/60ns
SPI20N60CFD Infineon Technologies SPI20N60CFD 1.9300
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 168 n 채널 600 v 20.7A (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 208W (TC)
SPS9386QRLRP onsemi SPS9386QRLRP 0.0500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
IPA80R1K4P7 Infineon Technologies IPA80R1K4P7 -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 풀 팩 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 70µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 500 v - 24W (TC)
2SC2909S-AA Sanyo 2SC2909S-AA 0.0600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Sanyo * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1
MSR2N2369AUBC Microchip Technology MSR2N2369AUBC -
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW UBC - 영향을받지 영향을받지 150-MSR2N2369AUBC 100 15 v 400NA NPN 250mv @ 3ma, 30ma 40 @ 10ma, 1v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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