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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZTA44-G Comchip Technology PZTA44-G 0.4900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA44 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 750mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 10V 20MHz
MMBT3904-HF Comchip Technology MMBT3904-HF 0.1800
RFQ
ECAD 377 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
MMBT2907A-G Comchip Technology MMBT2907A-G 0.2500
RFQ
ECAD 154 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 20NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
2N7002-G Comchip Technology 2N7002-G -
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 1 nc @ 10 v - 25 pf @ 25 v - 350MW (TA)
BC858BW-HF Comchip Technology BC858BW-HF 0.0517
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC858 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BC858BW-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
CMSBN4616-HF Comchip Technology CMSBN4616-HF 0.3169
RFQ
ECAD 8224 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMSBN4616 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) CSPB1515-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 8A (TA) 18mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v - -
BC857C-HF Comchip Technology BC857C-HF 0.0529
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 100MHz
ABC857CW-HF Comchip Technology ABC857CW-HF 0.0800
RFQ
ECAD 7806 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 ABC857 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ABC857CW-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
BC856CW-G Comchip Technology BC856CW-G 0.0450
RFQ
ECAD 8330 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBT3906-G Comchip Technology MMBT3906-G 0.2100
RFQ
ECAD 84 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 100µA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
MMBT3904-G Comchip Technology MMBT3904-G 0.2100
RFQ
ECAD 131 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA - NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
BC857A-HF Comchip Technology BC857A-HF 0.0529
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2.2ma, 5V 100MHz
BC858CW-G Comchip Technology BC858CW-G 0.0450
RFQ
ECAD 6388 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC858 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
CJ3139KDW-G Comchip Technology CJ3139KDW-G 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 CJ3139 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 660MA (TA) 520mohm @ 1a, 4.5v 1.1V @ 250µA - 170pf @ 16V -
CMS07P10V8-HF Comchip Technology CMS07P10V8-HF 0.2183
RFQ
ECAD 1816 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn CMS07 MOSFET (금속 (() PR-PAK (3x3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-CMS07P10V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 100 v 2.2A (TA), 7A (TC) 260mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 680 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
CMS25P06H8-HF Comchip Technology CMS25P06H8-HF 0.3947
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CMS25 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) - 1 (무제한) 641-CMS25P06H8-HFTR 5,000 p 채널 60 v 25A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 4.1a, 10V 2V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1408 pf @ 30 v - 35W (TC)
CMS2301T-HF Comchip Technology CMS2301T-HF -
RFQ
ECAD 2674 0.00000000 comchip 기술 CMS 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 641-CMS2301T-HF 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 110mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 2.5 v ± 12V 405 pf @ 10 v - 1W (TA)
BSS138W-G Comchip Technology BSS138W-G 0.0630
RFQ
ECAD 8681 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BSS138W-GTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TC) 10V 3.5ohm @ 220a, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 200MW (TA)
CMS03P06T6-HF Comchip Technology CMS03P06T6-HF 0.2077
RFQ
ECAD 5296 0.00000000 comchip 기술 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000
CMS35N04V8-HF Comchip Technology CMS35N04V8-HF -
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn CMS35 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS35N04V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 19.7 NC @ 10 v ± 20V 1220 pf @ 25 v - 2W (TA), 44W (TC)
CMS02P06T6-HF Comchip Technology CMS02P06T6-HF -
RFQ
ECAD 6880 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CMS02 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS02P06T6-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 175mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 4.6 NC @ 4.5 v ± 20V 531 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
CEH2315-HF Comchip Technology CEH2315-HF 0.1823
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CEH2315-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.8a, 10V 3V @ 250µA 11.2 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 15 v - 2W
CMS2305A-HF Comchip Technology CMS2305A-HF -
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 641-CMS2305A-HF 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 30 v 3.2A (TA) 1.8V, 10V 25mohm @ 10a, 10V 1.2V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 735 pf @ 25 v - 1.38W (TA)
MMBT4403-HF Comchip Technology MMBT4403-HF 0.2600
RFQ
ECAD 39 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4403 300MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
ADTA114ECA-HF Comchip Technology ADTA114ECA-HF 0.0515
RFQ
ECAD 5879 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA114 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ADTA114ECA-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
MMBTA13-HF Comchip Technology MMBTA13-HF 0.0732
RFQ
ECAD 9282 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MMBTA13-HFTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 300 MA 100NA npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
MMBT5401-HF Comchip Technology MMBT5401-HF 0.0370
RFQ
ECAD 8219 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5401 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-MMBT5401-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 5V 300MHz
ABC857AW-HF Comchip Technology ABC857AW-HF 0.0800
RFQ
ECAD 9514 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 ABC857 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ABC857AW-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 250MHz
CMS2010-HF Comchip Technology CMS2010-HF -
RFQ
ECAD 4456 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) CMS2010 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 8-tssop - 641-CMS2010-HFTR 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 7A (TA) 18mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 15NC @ 4.5V 1150pf @ 10V -
BC858A-HF Comchip Technology BC858A-HF 0.0434
RFQ
ECAD 4052 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2.2ma, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고