전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | PZTA44-G | 0.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | PZTA44 | 1 W. | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 200 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 750mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 10ma, 10V | 20MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMBT3904-HF | 0.1800 | ![]() | 377 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3904 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 200 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMBT2907A-G | 0.2500 | ![]() | 154 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2907 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 v | 600 MA | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N7002-G | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 250MA (TA) | 4.5V, 10V | 3ohm @ 250ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 1 nc @ 10 v | - | 25 pf @ 25 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||||
![]() | BC858BW-HF | 0.0517 | ![]() | 4840 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC858 | 150 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BC858BW-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | CMSBN4616-HF | 0.3169 | ![]() | 8224 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMSBN4616 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | CSPB1515-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 8A (TA) | 18mohm @ 3a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 8.8nc @ 4.5v | - | - | |||||||||||||||||
![]() | BC857C-HF | 0.0529 | ![]() | 6340 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ABC857CW-HF | 0.0800 | ![]() | 7806 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | ABC857 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-ABC857CW-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC856CW-G | 0.0450 | ![]() | 8330 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC856 | 150 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMBT3906-G | 0.2100 | ![]() | 84 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 200 MA | 100µA | PNP | 400mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMBT3904-G | 0.2100 | ![]() | 131 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3904 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 200 MA | - | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC857A-HF | 0.0529 | ![]() | 6729 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2.2ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC858CW-G | 0.0450 | ![]() | 6388 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC858 | 150 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | CJ3139KDW-G | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | CJ3139 | MOSFET (금속 (() | 150MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 660MA (TA) | 520mohm @ 1a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | - | 170pf @ 16V | - | |||||||||||||||
![]() | CMS07P10V8-HF | 0.2183 | ![]() | 1816 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | CMS07 | MOSFET (금속 (() | PR-PAK (3x3) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS07P10V8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 100 v | 2.2A (TA), 7A (TC) | 260mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||
![]() | CMS25P06H8-HF | 0.3947 | ![]() | 9879 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CMS25 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | - | 1 (무제한) | 641-CMS25P06H8-HFTR | 5,000 | p 채널 | 60 v | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 4.1a, 10V | 2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1408 pf @ 30 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | CMS2301T-HF | - | ![]() | 2674 | 0.00000000 | comchip 기술 | CMS | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | 641-CMS2301T-HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 110mohm @ 3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12 nc @ 2.5 v | ± 12V | 405 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | BSS138W-G | 0.0630 | ![]() | 8681 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BSS138 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BSS138W-GTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 200MA (TC) | 10V | 3.5ohm @ 220a, 10V | 1.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 10 v | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | CMS03P06T6-HF | 0.2077 | ![]() | 5296 | 0.00000000 | comchip 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMS35N04V8-HF | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | CMS35 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS35N04V8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 19.7 NC @ 10 v | ± 20V | 1220 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||
![]() | CMS02P06T6-HF | - | ![]() | 6880 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | CMS02 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS02P06T6-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2.4A (TA) | 4.5V, 10V | 175mohm @ 2a, 10V | 3V @ 250µA | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 531 pf @ 15 v | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
![]() | CEH2315-HF | 0.1823 | ![]() | 7430 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CEH2315-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.8a, 10V | 3V @ 250µA | 11.2 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 15 v | - | 2W | ||||||||||||||
![]() | CMS2305A-HF | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | 641-CMS2305A-HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 3.2A (TA) | 1.8V, 10V | 25mohm @ 10a, 10V | 1.2V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 12V | 735 pf @ 25 v | - | 1.38W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | MMBT4403-HF | 0.2600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT4403 | 300MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 600 MA | 100NA | PNP | 750mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 200MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ADTA114ECA-HF | 0.0515 | ![]() | 5879 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ADTA114 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ADTA114ECA-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- + 다이오드 | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | MMBTA13-HF | 0.0732 | ![]() | 9282 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMBTA13-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 v | 300 MA | 100NA | npn-달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMBT5401-HF | 0.0370 | ![]() | 8219 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT5401 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-MMBT5401-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 160 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | ABC857AW-HF | 0.0800 | ![]() | 9514 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | ABC857 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-ABC857AW-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||
![]() | CMS2010-HF | - | ![]() | 4456 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | CMS2010 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 8-tssop | - | 641-CMS2010-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 7A (TA) | 18mohm @ 6.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 15NC @ 4.5V | 1150pf @ 10V | - | |||||||||||||||||
![]() | BC858A-HF | 0.0434 | ![]() | 4052 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2.2ma, 5V | 100MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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