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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | CEZ6R40SL-HF | 0.8647 | ![]() | 2476 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | P-PAK (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CEZ6R40SL-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 65 v | 27A (TA), 93A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1790 pf @ 30 v | - | 73W (TC) | ||||||||||||||
![]() | CMS09N10D-HF | - | ![]() | 5221 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252) | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CMS09N10D-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 9.6A (TC) | 10V | 140mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15.5 nc @ 10 v | ± 20V | 690 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BSS123T-HF | 0.0848 | ![]() | 4193 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS123 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BSS123T-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 190ma (TA) | 4.5V, 10V | 5.6ohm @ 100ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 2.8 NC @ 10 v | ± 20V | 39 pf @ 25 v | - | 300MW (TA) | |||||||||||||
![]() | CMS06NP03Q8-HF | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CMS06 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 8-SOIC | - | 641-CMS06NP03Q8-HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 및 p 채널 | 30V | 6.9A (TA), 6.3A (TA) | 28mohm @ 6a, 10v, 36mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250µA | - | - | - | |||||||||||||||||
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![]() | CMS12P03Q8-HF | - | ![]() | 6390 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CMS12P03Q8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 44.4 NC @ 10 v | ± 20V | 2419 pf @ 15 v | - | 3W (TC) | |||||||||||||||
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![]() | CMS07NP03Q8-HF | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CMS07 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS07NP03Q8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V | 7A (TA), 5.3A (TA) | 28mohm @ 7a, 10v, 52mohm @ 5.3a, 10v | 2.5V @ 250µA | 6nc @ 4.5v, 6.4nc @ 4.5v | 572pf @ 15v, 645pf @ 25v | - | |||||||||||||||
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![]() | BC858CW-HF | 0.0517 | ![]() | 4393 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC858 | 150 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BC858CW-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
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![]() | BC857BW-HF | 0.0598 | ![]() | 9251 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC857 | 150 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BC857BW-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
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![]() | CMS35P03D-HF | - | ![]() | 9826 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | CMS35 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS35P03D-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 8.5A (TA), 34A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12.5 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1345 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 34W (TC) | |||||||||||||
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![]() | CMS42P03V8-HF | - | ![]() | 6389 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS42P03V8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 15ohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2215 pf @ 15 v | - | 1.67W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||
![]() | DTA143XCA-HF | 0.0534 | ![]() | 2122 | 0.00000000 | comchip 기술 | DTA143XCA-HF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA143 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-DTA143XCA-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 10 KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | MMBTA42-HF | 0.0529 | ![]() | 1369 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTA42 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMBTA42-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 300 MA | 250NA (ICBO) | NPN | 200mv @ 2ma, 20ma | 100 @ 10ma, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC858B-HF | 0.0434 | ![]() | 7669 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 220 @ 2.2ma, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ACMSP3415-HF | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ACMSP3415-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 10V | 1600 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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