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트랜지스터 (201)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC856A-HF | 0.0434 |  | 7591 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2.2ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
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| ABC846BPN-HF | 0.1604 | | 7987 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ABC846 | 200MW | SOT-363 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-ABC846BPN-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 300mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
| CMS0103M-HF | - | | 6234 | 0.00000000 | comchip 기술 | CMS | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | MOSFET (금속 (() | SOT-89-3L | - | 641-CMS0103M-HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 3A (TA) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 3a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 50 v | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||
 | 2N7002-HF | 0.3800 | | 21 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 250MA (TA) | 4.5V, 10V | 3ohm @ 250ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 1 nc @ 10 v | - | 25 pf @ 25 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||||
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| MMBTA44-G | 0.4300 | | 16 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTA44 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 400 v | 200 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 750mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 10ma, 10V | - | |||||||||||||||||
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| BSS84-HF | 0.3400 | | 2 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 50 v | 130MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 1mA | ± 20V | 30 pf @ 5 v | - | 225MW (TA) | |||||||||||||||
| CMS16N06D-HF | 0.7600 | | 121 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | CMS16 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 4.4A (TA), 16A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 815 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 27W (TC) | ||||||||||||||
| BC857B-HF | 0.0529 | | 2766 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2.2ma, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| SS8050-G | 0.2900 | | 264 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SS8050 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 1.5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||
| CEZ6R86L-HF | - | | 6338 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | 641-CEZ6R86L-HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 56A (TC) | 4.5V, 10V | 6.4mohm @ 25a, 10V | 2.6V @ 250µA | 42.8 nc @ 10 v | ± 20V | 1619 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||
| CMS15P03Q8A-HF | - | | 5892 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS15P03Q8A-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21.5 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2129 pf @ 15 v | - | 1.5W (TA), 4.5W (TC) | ||||||||||||||
| MMBTA05-HF | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTA05 | 300MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 v | 500 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| CMS100N03H8-HF | - | | 2724 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CMS100 | MOSFET (금속 (() | DFN5X6 (PR-PAK) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS100N03H8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 1.8mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 4222 pf @ 15 v | - | 3.6W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||
| CMS01P10T-HF | - | | 1147 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMS01 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | 641-CMS01P10T-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 1.2A (TA) | 4.5V, 10V | 650mohm @ 1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 v | ± 20V | 513 pf @ 15 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||
 | CMS16P06H8-HF | - | | 1952 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CMS16 | MOSFET (금속 (() | DFN5X6 (PR-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 5A (TA), 16A (TC) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1256 pf @ 30 v | - | 2W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||
| CMS06PP03Q8-HF | - | | 9772 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CMS06 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS06PP03Q8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 6A (TA) | 45mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6.4nc @ 4.5v | 632pf @ 15V | - | |||||||||||||||
| CMS70N04H8-HF | - | | 3274 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CMS70 | MOSFET (금속 (() | DFN5X6 (PR-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 19.7 NC @ 10 v | ± 20V | 1278 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 72.3W (TC) | ||||||||||||||
 | CMS40N03V8-HF | - | | 6137 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | CMS40 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS40N03V8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 25A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 19a, 10V | 2.2V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1750 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||
 | DTC114WUA-HF | 0.0614 | | 5821 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 24 @ 10MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||
 | CMS61P06CT-HF | - | | 7059 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | CMS61 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | rohs 준수 | 641-CMS61P06CT-HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 61A (TC) | 6V, 10V | 22mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 37.2 NC @ 10 v | ± 20V | 2165 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 171W (TC) | ||||||||||||||
| BC858C-HF | 0.0434 | | 9794 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 100MHz | ||||||||||||||||||
| ABC856BW-HF | 0.0800 | | 4746 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | ABC856 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-ABC856BW-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 250MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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