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트랜지스터 (470)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC859B-AQ Diotec Semiconductor BC859B-AQ 0.0236
RFQ
 ECAD 8766 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC859B-AQTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
MMFTP3401-AQ Diotec Semiconductor MMFTP3401-AQ 0.1702
RFQ
 ECAD 5420 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMFTP3401-AQTR 8541.21.0000 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 2.5V, 10V 65mohm @ 4a, 10V 1.3V @ 250µA ± 12V 954 pf @ 0 v - 1.4W (TA)
BC559B Diotec Semiconductor BC559B 0.0241
RFQ
 ECAD 2176 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC559BTR 8541.21.0000 4,000 30 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
DI020N06D1 Diotec Semiconductor DI020N06D1 0.3173
RFQ
 ECAD 3262 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3, DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-di020N06D1TR 8541.21.0000 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25.3 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 45W (TC)
BCP51-10 Diotec Semiconductor BCP51-10 -
RFQ
 ECAD 7985 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.3 w SOT-223 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BCP51-10TR 8541.29.0000 1 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 120MHz
BC857B-AQ Diotec Semiconductor BC857B-AQ 0.0236
RFQ
 ECAD 7305 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC857B-AQTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBTA94 Diotec Semiconductor MMBTA94 0.0491
RFQ
 ECAD 4686 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mmbta94tr 8541.21.0000 3,000 400 v 300 MA 100NA (ICBO) PNP 750mv @ 5ma, 50ma 100 @ 1ma, 10V -
BC548C Diotec Semiconductor BC548C 0.0241
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC548CTR 8541.21.0000 4,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
BC328-40 Diotec Semiconductor BC328-40 0.0328
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BC328-40TR 8541.21.0000 4,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
MMBTA06-AQ Diotec Semiconductor MMBTA06-AQ 0.0512
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMBTA06-AQTR 8541.21.0000 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
MMFTP84 Diotec Semiconductor MMFTP84 0.0431
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mmftp84tr 8541.21.0000 3,000 p 채널 60 v 130MA (TA) 10V 10ohm @ 130ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 250MW (TA)
2N7002A-AQ Diotec Semiconductor 2N7002A-AQ -
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-2N7002A-AQTR 8541.21.0000 1 n 채널 60 v 280MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 30V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
BC557B Diotec Semiconductor BC557B 0.0241
RFQ
 ECAD 444 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC557BTR 8541.21.0000 4,000 45 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
BC849A Diotec Semiconductor BC849A 0.0182
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC849AT 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
2N3906 Diotec Semiconductor 2N3906 0.0241
RFQ
 ECAD 356 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-2N3906tr 8541.21.0000 4,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
MMBT4403 Diotec Semiconductor MMBT4403 0.0230
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT4403TR 8541.21.0000 3,000 40 v 600 MA 100NA PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
BC847B Diotec Semiconductor BC847B 0.0182
RFQ
 ECAD 591 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
MD06P115 Diotec Semiconductor MD06P115 0.1948
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-md06p115tr 8541.21.0000 3,000 p 채널 3.1a 1.5W
BC548CBK Diotec Semiconductor BC548CBK 0.0241
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BC548CBK 8541.21.0000 5,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
DI014N25D1-AQ Diotec Semiconductor DI014N25D1-AQ -
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA (DPAK) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI014N25D1-AQTR 8541.29.0000 1 n 채널 250 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 15a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V - 62.5W (TC)
MPSA42BK Diotec Semiconductor MPSA42BK 0.0436
RFQ
 ECAD 1160 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-MPSA42BK 8541.21.0000 5,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
DI035P02PT Diotec Semiconductor Di035p02pt 0.5339
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-di035p02pttr 8541.29.0000 5,000 p 채널 20 v 35A (TC) 2.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 1.2V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 12V 6850 pf @ 10 v - 52W (TC)
BC548B Diotec Semiconductor BC548B 0.0241
RFQ
 ECAD 4677 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC548BTR 8541.21.0000 4,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BC847C Diotec Semiconductor BC847C 0.0182
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
MMBT3904 Diotec Semiconductor MMBT3904 0.0190
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT390 350 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT3904TR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
MMBT3906 Diotec Semiconductor MMBT3906 0.0190
RFQ
 ECAD 7353 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT3906TR 8541.21.0000 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
BC847AW Diotec Semiconductor BC847AW 0.0317
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-bc847awtr 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBTRA104SS Diotec Semiconductor MMBTRA104SS 0.0298
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTRA104 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMBTRA104SSTR 8541.21.0000 3,000 100 MA 500NA pnp- 사전- - 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 47 Kohms
DI110N03PQ-AQ Diotec Semiconductor di110n03pq-aq 1.2352
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 5x6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI110N03PQ-AQTR 8541.29.0000 5,000 n 채널 110A 35W
BC807-40R13 Diotec Semiconductor BC807-40R13 0.0238
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC807-40R13TR 8541.21.0000 10,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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