SIC
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트랜지스터 (470)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DI015N25D1 Diotec Semiconductor DI015N25D1 1.3889
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3, DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-DI015N25D1TR 8541.21.0000 2,500 n 채널 250 v 15A (TC) 10V 255mohm @ 15a, 10V 4.5V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 475 pf @ 125 v - 140W (TC)
DI280N10TL Diotec Semiconductor di280n10tl -
RFQ
 ECAD 5338 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 희생 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di280n10tltr 8541.29.0000 1 n 채널 100 v 280A (TC) 10V 2MOHM @ 50A, 10V 4.2V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 20V 8150 pf @ 50 v - 425MW (TC)
DI5A7N65D1K Diotec Semiconductor di5a7n65d1k -
RFQ
 ECAD 3548 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA (DPAK) 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di5a7n65d1ktr 귀 99 8541.29.0000 1 n 채널 650 v 5.7A (TC) 10V 430mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 30V 722 pf @ 325 v - 36W (TC)
MMFTN123 Diotec Semiconductor MMFTN123 0.0602
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mmftn123tr 8541.21.0000 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 73 pf @ 25 v - 360MW
DI036N20PQ Diotec Semiconductor DI036N20PQ 2.4083
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-di036n20pqtr 8541.21.0000 5,000 n 채널 200 v 36A (TC) 10V 40mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 4270 pf @ 30 v - 125W (TC)
DI025N06PT Diotec Semiconductor di025n06pt 0.1919
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di025n06pttr 8541.29.0000 5,000 n 채널 25A 25W
DI100N10PQ Diotec Semiconductor DI100N10PQ 1.5648
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-di100n10pqtr 8541.21.0000 5,000 n 채널 100 v 100A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 30 v - 250W (TC)
MD10P380 Diotec Semiconductor MD10P380 0.1967
RFQ
 ECAD 5594 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-md10p38tr 8541.21.0000 3,000 p 채널 100 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 325mohm @ 1a, 10V 2.3V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1046 pf @ 50 v - 1W (TA)
DI045N03PT-AQ Diotec Semiconductor di045n03pt-aq 0.3902
RFQ
 ECAD 4031 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn DI045N03 MOSFET (금속 (() 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI045N03PT-AQTR 8541.21.0000 5,000 n 채널 30 v 45A (TC) 4.4mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 16W (TC)
MMFTN620KD-AQ Diotec Semiconductor MMFTN620KD-AQ -
RFQ
 ECAD 5614 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 500MW SOT-26 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mmftn620kd-aqtr 8541.21.0000 1 2 n 채널 60V 350ma 1.5ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 1.3NC @ 10V 35pf @ 25V 논리 논리 게이트
MMBTRC118SS Diotec Semiconductor MMBTRC118SS 0.0298
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTRC118 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMBTRC118SSTR 8541.21.0000 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- - 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
MMFTN6001 Diotec Semiconductor MMFTN6001 0.0276
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mmftn6001tr 8541.21.0000 3,000 n 채널 60 v 440MA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2V @ 250µA ± 20V 23.3 pf @ 25 v - 530MW (TA)
2SA1012R Diotec Semiconductor 2SA1012R 0.7970
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 15 w TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.21.0000 3,000 50 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 150ma, 3a 70 @ 1a, 1v 60MHz
MMBTA92-AQ Diotec Semiconductor MMBTA92-AQ 0.0539
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBTA92-AQTR 8541.21.0000 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 80 @ 10ma, 10V
MMBT7002DW Diotec Semiconductor MMBT7002DW 0.0520
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MMBT7002 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMBT7002DWTR 8541.21.0000 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 115MA (TA) 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
BC817-40-AQ Diotec Semiconductor BC817-40-AQ 0.0287
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC817-40-AQTR 8541.21.0000 3,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
MMBT4401 Diotec Semiconductor MMBT4401 0.0230
RFQ
 ECAD 6593 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT4401TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
2N3904 Diotec Semiconductor 2N3904 0.0241
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-2N3904tr 8541.21.0000 4,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
BC807-16-AQ Diotec Semiconductor BC807-16-AQ 0.0366
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BC807-16-AQTR 8541.21.0000 3,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BC818-40 Diotec Semiconductor BC818-40 0.0252
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC818-40TR 8541.21.0000 3,000 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BC327-25BK Diotec Semiconductor BC327-25BK 0.2184
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 2721-BC327-25BK 30 45 v 800 MA 10µA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BC327-40BK Diotec Semiconductor BC327-40BK 0.0328
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BC327-40BK 8541.21.0000 5,000 45 v 800 MA 10µA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BC546BBK Diotec Semiconductor BC546BBK 0.0306
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BC546BBK 8541.21.0000 5,000 65 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BC549BBK Diotec Semiconductor BC549BBK 0.0241
RFQ
 ECAD 5126 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BC549BBK 8541.21.0000 5,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BFS20 Diotec Semiconductor BFS20 0.0363
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BFS20TR 8541.21.0000 3,000 20 v 25 MA 100NA (ICBO) NPN - 40 @ 7ma, 10V 450MHz
BC848B Diotec Semiconductor BC848B 0.0182
RFQ
 ECAD 9908 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC848BTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BC856S Diotec Semiconductor BC856S 0.0482
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 250MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-BC856STR 8541.21.0000 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BC846S Diotec Semiconductor BC846S 0.0482
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-BC846STR 8541.21.0000 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DI080N03PQ Diotec Semiconductor DI080N03PQ 0.9919
RFQ
 ECAD 7910 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-DI080N03PQTR 8541.21.0000 5,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V 7460 pf @ 30 v - 78W (TC)
MPSA92 Diotec Semiconductor MPSA92 0.0436
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-MPSA92TR 8541.21.0000 4,000 300 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 10ma, 10V 70MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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