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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MMFTP5618-AQ Diotec Semiconductor MMFTP5618-AQ 0.1967
RFQ
ECAD 2965 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMFTP5618-AQTR 8541.21.0000 3,000 p 채널 60 v 1.25A (TA) 4.5V, 10V 170mohm @ 1.25a, 10V 3V @ 1mA 7 nc @ 10 v ± 20V 361 pf @ 30 v - 500MW (TA)
DI2A8N03PWK2 Diotec Semiconductor di2a8n03pwk2 0.1699
RFQ
ECAD 9651 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 1W (TA) 6-QFN (2x2) - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di2a8n03pwk2tr 8541.29.0000 4,000 2 n 채널 30V 2.8A (TA) 72mohm @ 2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 6.8nc @ 4.5v 387pf @ 15V 기준
BCP51-10 Diotec Semiconductor BCP51-10 -
RFQ
ECAD 7985 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.3 w SOT-223 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BCP51-10TR 8541.29.0000 1 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 120MHz
DI035P02PT Diotec Semiconductor Di035p02pt 0.5339
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-di035p02pttr 8541.29.0000 5,000 p 채널 20 v 35A (TC) 2.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 1.2V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 12V 6850 pf @ 10 v - 52W (TC)
MMFTN138W Diotec Semiconductor MMFTN138W 0.0425
RFQ
ECAD 8432 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mmftn138wtr 8541.21.0000 3,000 n 채널 50 v 220MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.6V @ 1mA 1.1 NC @ 10 v ± 20V 20 pf @ 30 v - 200MW (TA)
MMBT5551-AQ Diotec Semiconductor MMBT5551-AQ 0.0350
RFQ
ECAD 6051 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT5551-AQTR 8541.21.0000 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V
BC817BPN Diotec Semiconductor BC817bpn 0.0580
RFQ
ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC817 300MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC817BPNTR 8541.21.0000 3,000 45V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz, 80MHz
DI050N06D1 Diotec Semiconductor DI050N06D1 0.5016
RFQ
ECAD 3554 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-Di050N06D1TR 8541.21.0000 2,500 n 채널 65 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 825 pf @ 30 v - 42W (TC)
BC807-16R13 Diotec Semiconductor BC807-16R13 0.0252
RFQ
ECAD 4238 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC807-16R13TR 8541.21.0000 10,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
BCR08PN-AQ Diotec Semiconductor BCR08PN-AQ 0.0786
RFQ
ECAD 2556 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 250MW SOT-363 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BCR08PN-AQTR 8541.21.0000 3,000 100ma 100NA (ICBO) 1 npn--바이어스, 1 pnp 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms -
BC850A-AQ Diotec Semiconductor BC850A-AQ 0.0236
RFQ
ECAD 6054 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC850A-AQTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
BC858AW Diotec Semiconductor BC858AW 0.0317
RFQ
ECAD 1039 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC858AWTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBTRC102SS-AQ Diotec Semiconductor MMBTRC102SS-AQ 0.0358
RFQ
ECAD 3190 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTRC102 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMBTRC102SS-AQTR 8541.21.0000 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- - 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BC807-25 Diotec Semiconductor BC807-25 0.0266
RFQ
ECAD 8189 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC807-25TR 8541.21.0000 3,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
DI050P03PT-AQ Diotec Semiconductor DI050P03PT-AQ 0.5396
RFQ
ECAD 6009 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di050p03pt-aqtr 8541.29.0000 200,000 p 채널 50a 39W
BC817-40R13 Diotec Semiconductor BC817-40R13 0.0328
RFQ
ECAD 5812 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC817-40R13TR 8541.21.0000 10,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BC847BP Diotec Semiconductor BC847bp 0.0358
RFQ
ECAD 3564 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 150 MW DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC847BPTR 8541.21.0000 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BCX56-16-AQ Diotec Semiconductor BCX56-16-AQ 0.0932
RFQ
ECAD 5439 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BCX56-16-AQTR 8541.21.0000 1,000 80 v 1 a NPN 500mv @ 50ma, 500ma 250 @ 150ma, 2V 130MHz
BC856C-AQ Diotec Semiconductor BC856C-AQ 0.0236
RFQ
ECAD 2592 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC856C-AQTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
MMFTP2319A-AQ Diotec Semiconductor MMFTP2319A-AQ 0.1542
RFQ
ECAD 5176 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMFTP2319A-AQTR 8541.21.0000 3,000 p 채널 40 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 97mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 432 pf @ 20 v - 750MW (TA)
BC558B Diotec Semiconductor BC558B 0.0241
RFQ
ECAD 1694 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC558BTR 8541.21.0000 4,000 30 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
BC859C Diotec Semiconductor BC859C 0.0182
RFQ
ECAD 498 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC859ctr 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBTA06 Diotec Semiconductor MMBTA06 0.0491
RFQ
ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-mmbta06tr 8541.21.0000 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
MMFTP3334K-AQ Diotec Semiconductor MMFTP334K-AQ 0.1729
RFQ
ECAD 6624 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMFTP3334K-AQTR 8541.21.0000 3,000 p 채널 30 v 4A (TJ) 4V, 10V 71mohm @ 3a, 10V 2V @ 100µa 5.9 NC @ 10 v ± 20V 280 pf @ 15 v - 1W (TA)
BC559A Diotec Semiconductor BC559A 0.0241
RFQ
ECAD 7784 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BC559AT 8541.21.0000 4,000 30 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
BCP53-6 Diotec Semiconductor BCP53-6 0.1499
RFQ
ECAD 9754 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BCP53-6 8541.21.0000 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 120MHz
MMFTP3401-AQ Diotec Semiconductor MMFTP3401-AQ 0.1702
RFQ
ECAD 5420 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMFTP3401-AQTR 8541.21.0000 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 2.5V, 10V 65mohm @ 4a, 10V 1.3V @ 250µA ± 12V 954 pf @ 0 v - 1.4W (TA)
2N2907A Diotec Semiconductor 2N2907A 0.0298
RFQ
ECAD 8 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-2N2907AT 8541.21.0000 4,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 2.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 250MHz
BC856BW-AQ Diotec Semiconductor BC856BW-AQ 0.0423
RFQ
ECAD 8817 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC856BW-AQTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BC807-40R13 Diotec Semiconductor BC807-40R13 0.0238
RFQ
ECAD 6958 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC807-40R13TR 8541.21.0000 10,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고