SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DI020N06D1 Diotec Semiconductor DI020N06D1 0.3173
RFQ
ECAD 3262 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3, DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-di020N06D1TR 8541.21.0000 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25.3 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 45W (TC)
BC817-25 Diotec Semiconductor BC817-25 0.0220
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC817-25TR 8541.21.0000 3,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BC858C-AQ Diotec Semiconductor BC858C-AQ 0.0230
RFQ
ECAD 1675 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC858C-AQTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC857CW Diotec Semiconductor BC857CW 0.0317
RFQ
ECAD 6314 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC857CWTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC859AW Diotec Semiconductor BC859AW 0.0317
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-bc859awtr 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBT5401 Diotec Semiconductor MMBT5401 0.0230
RFQ
ECAD 396 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT5401TR 8541.21.0000 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 1v 300MHz
MMBT4403 Diotec Semiconductor MMBT4403 0.0230
RFQ
ECAD 39 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT4403TR 8541.21.0000 3,000 40 v 600 MA 100NA PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
BC556A Diotec Semiconductor BC556A 0.0241
RFQ
ECAD 8 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC556AT 8541.21.0000 4,000 65 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
BC548C Diotec Semiconductor BC548C 0.0241
RFQ
ECAD 20 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC548CTR 8541.21.0000 4,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
MPSA06 Diotec Semiconductor MPSA06 0.0436
RFQ
ECAD 228 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-MPSA06TR 8541.21.0000 4,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
MMBTA92 Diotec Semiconductor MMBTA92 0.0491
RFQ
ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-mmbta92tr 8541.21.0000 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 80 @ 10ma, 10V 50MHz
2N7000 Diotec Semiconductor 2N7000 0.0648
RFQ
ECAD 696 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-2n7000tr 8541.21.0000 4,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 350MW (TA)
BC858CW Diotec Semiconductor BC858CW 0.0317
RFQ
ECAD 1376 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC858CWTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC846CW Diotec Semiconductor BC846CW 0.0317
RFQ
ECAD 6794 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC846CWTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847C-AQ Diotec Semiconductor BC847C-AQ 0.0236
RFQ
ECAD 9136 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC847C-AQTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
BC847B-AQ Diotec Semiconductor BC847B-AQ 0.0236
RFQ
ECAD 5611 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC847B-AQTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
MMBTRA104SS Diotec Semiconductor MMBTRA104SS 0.0298
RFQ
ECAD 750 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTRA104 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMBTRA104SSTR 8541.21.0000 3,000 100 MA 500NA pnp- 사전- - 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 47 Kohms
DIF120SIC053-AQ Diotec Semiconductor DIF120SIC053-AQ 27.2700
RFQ
ECAD 3594 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4878-DIF120SIC053-AQ 30 n 채널 1200 v 65A (TC) 18V 53mohm @ 33a, 18V 4V @ 9.5mA 121 NC @ 15 v 2070 pf @ 1000 v - 278W (TC)
2N7002A-AQ Diotec Semiconductor 2N7002A-AQ -
RFQ
ECAD 7100 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-2N7002A-AQTR 8541.21.0000 1 n 채널 60 v 280MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 30V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
MMFTN490K-AQ Diotec Semiconductor MMFTN490K-AQ -
RFQ
ECAD 1173 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMFTN490K-AQTR 귀 99 8541.29.0000 1 n 채널 40 v 3A 4.5V, 10V 72mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 9.4 NC @ 10 v ± 20V 415 pf @ 20 v - 1.25W
MMFTN6190KDW Diotec Semiconductor MMFTN6190KDW -
RFQ
ECAD 5602 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 320MW (TA) SOT-363 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMFTN6190KDWTR 8541.21.0000 1 2 n 채널 30V 1A (TA) 280mohm @ 1.3a, 10V 2.8V @ 250µA 2NC @ 10V 87pf @ 20V 기준
DI020N06D1-AQ Diotec Semiconductor DI020N06D1-AQ -
RFQ
ECAD 4353 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA (DPAK) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-di020n06d1-aqtr 8541.29.0000 1 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25.3 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 25W (TC)
DI7A6N10SQ Diotec Semiconductor di7a6n10sq -
RFQ
ECAD 5916 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di7a6n10sqtr 8541.29.0000 1 n 채널 100 v 7.6A (TA) 6V, 10V 20mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
DIT080N08-AQ Diotec Semiconductor DIT080N08-AQ -
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-DIT080N08-AQ 8541.29.0000 1 n 채널 85 v 110A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3742 pf @ 50 v - 62.5W (TC)
DI0A4N45SQ2 Diotec Semiconductor Di0A4N45SQ2 -
RFQ
ECAD 2454 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2W (TA) 도 8- - 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-Di0A4N45SQ2TR 8541.29.0000 1 2 n 채널 450V 400MA (TA) 4.5ohm @ 400ma, 10V 4V @ 250µA 7NC @ 10V 160pf @ 25V 기준
DI006H03SQ Diotec Semiconductor DI006H03SQ -
RFQ
ECAD 7662 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 도 8- - 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI006H03SQTR 8541.29.0000 1 2 n 및 2 p 및 (하프 브리지) 30V 6A (TA), 4.2A (TA) 25mohm @ 5a, 10v, 50mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 11.7NC @ 10V, 11.4NC @ 10V 590pf @ 15v, 631pf @ 15v 기준
DI100N04PQ-AQ Diotec Semiconductor DI100N04PQ-AQ 0.8667
RFQ
ECAD 8285 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-DI100N04PQ-AQTR 8541.29.0000 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 4766 pf @ 20 v - 83W (TC)
MMBT2222A-AQ Diotec Semiconductor MMBT222A-AQ 0.0287
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT22A-AQTR 8541.21.0000 3,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V
BCX56-10 Diotec Semiconductor BCX56-10 0.0911
RFQ
ECAD 4215 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BCX56-10TR 8541.21.0000 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V
BC846PN-AQ Diotec Semiconductor BC846pn-Aq 0.0607
RFQ
ECAD 4909 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 250 MW SOT-363 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC846PN-AQTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고