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트랜지스터 (470)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC858BW Diotec Semiconductor BC858BW 0.0317
RFQ
 ECAD 9303 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC858BWTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
DIJ4A5N65 Diotec Semiconductor dij4a5n65 0.6653
RFQ
 ECAD 2101 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() ITO-220F 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-DIJ4A5N65 8541.29.0000 1,000 n 채널 650 v 4.5A (TC) 10V 1.3ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 46W (TC)
BC856C Diotec Semiconductor BC856C 0.0182
RFQ
 ECAD 648 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC856CTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC547CBK Diotec Semiconductor BC547CBK 0.1300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 5,000 45 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
DI040N03PT Diotec Semiconductor DI040N03PT 0.2062
RFQ
 ECAD 7621 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-di040n03pttr 8541.29.0000 5,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1120 pf @ 15 v - 25W (TC)
BC846C Diotec Semiconductor BC846C 0.0182
RFQ
 ECAD 1120 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC846CTR 귀 99 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
MMBTRA106SS-AQ Diotec Semiconductor MMBTRA106SS-AQ 0.0360
RFQ
 ECAD 2057 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200MW SOT-23 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBTRA106SS-AQTR 8541.10.0000 3,000 - 100ma 500NA pnp- 사전- - 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
BC856B-AQ Diotec Semiconductor BC856B-AQ 0.3399
RFQ
 ECAD 4649 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 2721-BC856B-AQ 30 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
DI13001 Diotec Semiconductor DI13001 0.1160
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 800MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-di13001tr 8541.21.0000 3,000 450 v 250 MA 10µA NPN 600mv @ 20ma, 100ma 10 @ 50MA, 5V -
DI045N10PQ-AQ Diotec Semiconductor di045n10pq-aq 1.1943
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 5x6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI045N10PQ-AQTR 8541.29.0000 5,000 n 채널 45A 110W
DI110N06D2 Diotec Semiconductor DI110N06D2 -
RFQ
 ECAD 8859 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di110n06d2tr 8541.29.0000 1 n 채널 60 v 110A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 4597 pf @ 25 v - 62.5W (TC)
BC327-16 Diotec Semiconductor BC327-16 0.0328
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 625 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-BC327-16TR 8541.21.0000 4,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
MMBT5551 Diotec Semiconductor MMBT5551 0.0266
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBT5551TR 8541.21.0000 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
DI068N03PQ-AQ Diotec Semiconductor di068n03pq-aq 0.3802
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DI068N03 MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI068N03PQ-AQTR 8541.21.0000 5,000 n 채널 30 v 68A (TC) 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 79 NC @ 10 v ± 20V 3650 pf @ 15 v - 25W (TC)
MMFTN4520 Diotec Semiconductor MMFTN4520 0.1276
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mmftn4520tr 8541.21.0000 3,000 n 채널 150 v 1A (TA) 4.5V, 10V 380mohm @ 1a, 10V 3V @ 250µA 3.8 NC @ 10 v ± 20V 164 pf @ 75 v - 960MW (TA)
BC858B Diotec Semiconductor BC858B 0.0182
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC858BTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BCM847BS Diotec Semiconductor BCM847BS 0.0976
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCM847 250MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-BCM847BSTR 8541.21.0000 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DI048N04PQ2-AQ Diotec Semiconductor DI048N04PQ2-AQ 0.7707
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DI048N04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI048N04PQ2-AQTR 8541.21.0000 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 48A (TC) 9.6mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 48NC @ 10V 2270pf @ 20V -
BC850C Diotec Semiconductor BC850C -
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-bc850ctr 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
BC856A Diotec Semiconductor BC856A 0.0182
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC856AT 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
2N7002A Diotec Semiconductor 2N7002A -
RFQ
 ECAD 7776 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-2N7002atr 8541.21.0000 3,000 n 채널 60 v 280MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 30V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
DI040N03PT-AQ Diotec Semiconductor di040n03pt-aq 0.3902
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DI040P03 MOSFET (금속 (() 8-QFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di040n03pt-aqtr 8541.21.0000 5,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1120 pf @ 15 v - 25W (TC)
MMFTN620KD Diotec Semiconductor MMFTN620KD -
RFQ
 ECAD 2140 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 500MW SOT-26 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mmftn620kdtr 8541.21.0000 1 2 n 채널 60V 350ma 1.5ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 1.3NC @ 10V 35pf @ 25V 논리 논리 게이트
BC857B Diotec Semiconductor BC857B 0.0182
RFQ
 ECAD 840 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC857BTR 8541.21.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BC848AW Diotec Semiconductor BC848AW 0.0317
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC848AWTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC817-40 Diotec Semiconductor BC817-40 0.0252
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.21.0000 3,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BC849CW Diotec Semiconductor BC849CW 0.0317
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BC849CWTR 8541.21.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
DI048N04PQ2 Diotec Semiconductor DI048N04PQ2 0.7076
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DI048N04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di048n04pq2tr 8541.21.0000 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 48A (TC) 9.6mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 48NC @ 10V 2270pf @ 20V -
MMDT5213W Diotec Semiconductor MMDT5213W 0.0266
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMDT5213 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMDT5213WTR 8541.21.0000 3,000 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- - 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
MMBTRC104SS-AQ Diotec Semiconductor MMBTRC104SS-AQ 0.0371
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200MW SOT-23 (TO-236) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMBTRC104SS-AQTR 8541.21.0000 3,000 - 100ma 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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