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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BC556A-AP | - | ![]() | 2481 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC556 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65 v | 100 MA | 100NA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 120 @ 2MA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MPSA43-BP | - | ![]() | 8507 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA43 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-MPSA43-BP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 200 v | 300 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 2ma, 20ma | 80 @ 10ma, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||
TIP120-BP | - | ![]() | 1865 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TIP120 | 65 w | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | TIP120BP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 60 v | 5 a | 500µA | npn-달링턴 | 4V @ 20MA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | |||||||||||||||||
![]() | MCQ7328-TP | 0.7000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MCQ7328 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 78NC @ 10V | 2675pf @ 25V | - | |||||||||||||||
![]() | MMBTA43-TP | 0.0315 | ![]() | 8450 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTA43 | 225 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-MMBTA43-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMS8050-H-TP | 0.1500 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMS8050 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 50MA, 1V | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1213-Y-TP | 0.4100 | ![]() | 9120 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SA1213 | 1 W. | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC639-10-BP | - | ![]() | 1547 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC639 | 1 W. | To-92 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-BC639-10-BP | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | MPSA92-BP | - | ![]() | 4760 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA92 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-MPSA92-BP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 300 v | 300 MA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2ma, 20ma | 80 @ 10ma, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC857B-13P | 0.0247 | ![]() | 6663 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-BC857B-13P | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 MA | 15NA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC848EAHE3-TP | 0.2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 225 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BC848AHE3-TPTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 100NA | NPN | 500mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | PN2907A-AP | - | ![]() | 6903 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | PN2907A | 600MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 v | 600 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 10ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | MCAC50P03A-TP | - | ![]() | 7238 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCAC50 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-mcac50p03a-tptr | 5,000 | p 채널 | 30 v | 50a | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 9570 pf @ 15 v | - | 35W | |||||||||||||||
![]() | BC856BL3-TP | 0.0356 | ![]() | 5328 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BC856 | 150 MW | DFN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BC856BL3-TPTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 65 v | 100 MA | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | BC817-40WHEE3-TP | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 500ma, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SD874A-Q-TP | - | ![]() | 8830 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SD874 | 500MW | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50ma, 500ma | 85 @ 500ma, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||
![]() | UMC4N-TP | - | ![]() | 5308 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMC4 | 150MW | SOT-353 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 353-UMC4N-TPTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47kohms, 10kohms | 47kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SC2859-O-TP | - | ![]() | 3632 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SC2859 | 150 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 70 @ 100MA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SB772-O-BP | - | ![]() | 6638 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | 2SB772 | 1.25 w | TO-126 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 v | 3 a | 1µA | PNP | 500mv @ 200ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 50MHz | ||||||||||||||||||
![]() | SI3420-TP | 0.0589 | ![]() | 3883 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI3420 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TC) | 1.8V, 10V | 24mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | ± 12V | 630 pf @ 10 v | - | 350MW (TC) | |||||||||||||||
![]() | MJE13005F-BP | - | ![]() | 2722 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | MJE13005 | 2 w | ITO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 420 v | 4 a | 50µA | NPN | 300mv @ 200ma, 1a | 10 @ 1a, 5V | 5MHz | ||||||||||||||||||
TIP29C-BP | - | ![]() | 3270 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 29 | 30 w | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | TIP29CBP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 100 v | 1 a | 300µA | NPN | 700mv @ 125ma, 1a | 15 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||
![]() | SIL08N02-TP | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | SIL08N02 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-SIL08N02-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 17mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 9.2 NC @ 4.5 v | ± 10V | 900 pf @ 10 v | - | 1.5W | ||||||||||||
![]() | KTC3199-GR-AP | - | ![]() | 9193 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 (형성 된 리드 리드) | KTC3199 | 400MW | 92S | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BCP51-16-TP | 0.5000 | ![]() | 459 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP51 | 300MW | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 45 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | MCU02N80-TP | - | ![]() | 2947 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MCU02N80 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-MCU02N80-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 2.4a | 10V | 6.3ohm @ 1.2a, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 550 pf @ 25 v | - | - | |||||||||||||
![]() | SMBT5551-TP | 0.0834 | ![]() | 1245 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | SMBT5551 | 300MW | SOT-23-6L | 다운로드 | 353-SMBT5551-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 160V | 600ma | 50NA (ICBO) | 2 NPN | 200mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3906-AP | 0.4100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N3906 | 600MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 v | 200 MA | - | PNP | 400mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 250MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N7000-AP | - | ![]() | 5715 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 220MA (TA) | 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 60 pf @ 25 v | - | 625MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | 2SD667L-D-BP | - | ![]() | 5746 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SD667 | 900 MW | TO-92L | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-2SD667L-D-BP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 160 @ 150ma, 5V | 140MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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