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트랜지스터 (1872)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
MCQ4822-TP	0.6200	RFQ	25	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCQ4822	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널	30 v	8.5A (TA)	10V	26mohm @ 6a, 4.5v	3V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	1250 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
MCQ9435-TP	0.4700	RFQ	9	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCQ9435	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		p 채널	30 v	5.1A (TA)	10V	105mohm @ 2a, 4.5v	2V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V		-	1.4W (TA)
SI2303-TP	0.4000	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2303	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	3A (TA)	10V	180mohm @ 2a, 4.5v	3V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	226 pf @ 100 v	-	250MW (TA)
SI3139KE-TP	0.4200	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	SI3139	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	660MA (TJ)	4.5V	700mohm @ 600ma, 4.5v	1.1V @ 250µA		± 12V	170 pf @ 6 v	-	150MW
BSS138W-TP	0.2800	RFQ	41	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 155 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BSS138	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	50 v	220MA (TA)	10V	3.5ohm @ 220ma, 10V	1.5V @ 1mA		± 20V	27 pf @ 25 v	-	300MW (TA)
SI3404-TP	0.4900	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI3404	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	5.8A (TJ)	4.5V, 10V	28mohm @ 5.8a, 10V	3V @ 250µA		± 20V	820 pf @ 15 v	-	350MW
MSJU11N65-TP	-	RFQ	9419	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MSJU11	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	650 v	11A (TC)	10V	380mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 30V	901 pf @ 50 v	-	78W (TC)
FMMT491-TP	0.3800	RFQ	3901	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT491		500MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													60 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 100ma, 1a	100 @ 500ma, 5V	150MHz
MCB180N10Y-TP	2.0592	RFQ	2042	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MCB180N10	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MCB180N10Y-TPTR	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	180a	10V	3.3mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	132 NC @ 10 v	± 20V	9200 pf @ 50 v	-	357W (TJ)
MCU20N15A-TP	-	RFQ	2074	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MCU20	MOSFET (금속 (()		DPAK (TO-252)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MCU20N15A-TPTR			2,500		n 채널	150 v	20A	6V, 10V	59mohm @ 5a, 10V	4V @ 250µA	20.9 NC @ 10 v	± 20V	1158 pf @ 75 v	-	50W
MCAC75N02-TP	-	RFQ	5335	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	MCAC75N02	MOSFET (금속 (()		DFN5060	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MCAC75N02-TPTR			5,000		n 채널	20 v	75a	2.5V, 4.5V	4.8mohm @ 20a, 4.5v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	± 10V	2386 pf @ 10 v	-	35W
MCG20N06Y-TP	-	RFQ	2150	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	MCG20N06	MOSFET (금속 (()		DFN3333	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MCG20N06Y-TPTR			5,000		n 채널	60 v	20A	10V	7.3mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	2027 pf @ 30 v	-	20.8W
MCAC50P03-TP	-	RFQ	1328	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	MCAC50	MOSFET (금속 (()		DFN5060	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-mcac50p03-tptr			5,000		p 채널	30 v	50a	4.5V, 10V	6.2MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	107 NC @ 10 v	± 20V	7394 pf @ 15 v	-	45W
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MCG30N06Y-TP	-	RFQ	4865	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	MCG30	MOSFET (금속 (()		DFN3333	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MCG30N06Y-TPTR			5,000		n 채널	60 v	30A	4.5V, 10V	14.4mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	724 pf @ 30 v	-	20.8W
MCG20N08-TP	-	RFQ	3353	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	MCG20N08	MOSFET (금속 (()		DFN3333	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MCG20N08-TPTR			5,000		n 채널	80 v	20A	6V, 10V	12MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1396 pf @ 40 v	-	20.8W
MCAC10H03A-TP	0.8700	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	MCAC10	MOSFET (금속 (()		DFN5060	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MCAC10H03A-TPCT	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	100A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	85 NC @ 10 v	± 20V	3865 pf @ 15 v	-	49W
MCG35P04-TP	0.4700	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	MCG35	MOSFET (금속 (()		DFN3333	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널	40 v	35a	4.5V, 10V	25mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	26.6 NC @ 10 v	± 20V	1257 pf @ 20 v	-	38W
MCG55P02A-TP	1.3200	RFQ	15	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	MCG55P02	MOSFET (금속 (()		DFN3333	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MCG55P02A-TPTR	귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널	20 v	55A	1.8V, 4.5V	8.3mohm @ 15a, 4.5v	1V @ 250µA	149 NC @ 10 v	± 10V	6358 pf @ 10 v	-	3.2W (TA), 38W (TC)
SI2312A-TP	0.4700	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2312	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SI2312A-TPTR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	5a	2.5V, 4.5V	25mohm @ 3.4a, 4.5v	900MV @ 250µA		± 8V	865 pf @ 10 v	-	1.2W
MSJU11N65A-TP	1.7600	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MSJU11	MOSFET (금속 (()		DPAK (TO-252)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-msju11n65a-tptr	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	650 v	11a	10V	380mohm @ 3.2a, 10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 30V	763 pf @ 25 v	-	83.3W (TC)
SI3139KDWA-TP	0.4400	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI3139	MOSFET (금속 (()	150MW (TA)	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	600ma		850mohm @ 500ma, 4.5v	1.1V @ 250µA	0.86NC @ 4.5V		40pf @ 16V	-
MCAC38N10Y-TP	0.8700	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	mcac38n10y	MOSFET (금속 (()		DFN5060	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	100 v	38a	4.5V, 10V	17.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	1051 pf @ 50 v	-	59W (TJ)
MCQ18N03-TP	0.7600	RFQ	7804	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCQ18N03	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MCQ18N03-TPTR	귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널	30 v	18a	4.5V, 10V	5mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1950 pf @ 15 v	-	2.5W
2N4401-BP	-	RFQ	2060	마이크로 마이크로 공동	2N4401	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	2N4401		625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수			353-2N4401-BP	귀 99	8541.21.0075	1													40 v	600 MA	100NA	NPN	750mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 1V	250MHz
BC556B-BP	-	RFQ	4265	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC556		625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수			353-BC556B-BP	귀 99	8541.21.0075	1													65 v	100 MA	100NA	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	180 @ 2MA, 5V	150MHz
BC846BWWHE3-TP	0.1900	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC846		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 MA	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	150MHz
MCAC25P10YHE3-TP	1.5200	RFQ	14	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	mcac25p10y	MOSFET (금속 (()		DFN5060	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널	100 v	25A	4.5V, 10V	55mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	2200 pf @ 50 v	-	70W (TJ)
MCAC38N10YA-TP	1.1200	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	mcac38n10y	MOSFET (금속 (()		DFN5060	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	100 v	38a	10V	20MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	17.5 nc @ 10 v	± 20V	1209 pf @ 50 v	-	60W (TJ)
MCB145N06Y-TP	1.2400	RFQ	2949	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MCB145	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MCB145N06Y-TPTR	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	145A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	34 NC @ 30 v	± 20V	2000 pf @ 35 v	-	150W (TJ)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (1872)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²