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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | MCAC20N15-TP | - | ![]() | 8210 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCAC20N15 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-MCAC20N15-TPTR | 5,000 | n 채널 | 150 v | 20A | 6V, 10V | 51mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 25V | 1233 pf @ 75 v | - | 35W | |||||||||||||||||
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![]() | MCAC60N10Y-TP | 1.3000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCAC60 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-mcac60n10y-tptr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 60a | 10V | 8.6mohm @ 20a, 10V | 3.4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 2431 pf @ 50 v | - | 88W (TJ) | ||||||||||||||
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![]() | BC857BL3-TP | 0.0375 | ![]() | 5174 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BC857 | 150 MW | DFN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BC857BL3-TPTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 45 v | 100 MA | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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