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트랜지스터 (1872)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
2SD1898-P-TP	0.1997	RFQ	3983	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2SD1898		500MW	SOT-89	다운로드				353-2SD1898-P-TP	귀 99	8541.21.0075	1													80 v	1 a	1µA (ICBO)	NPN	400mv @ 20ma, 500ma	82 @ 500ma, 3v	100MHz
SIL2324A-TP	0.5100	RFQ	40	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	SIL2324	MOSFET (금속 (()	1.5W	SOT-23-6L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	2A		280mohm @ 2a, 10V	2V @ 250µA	4.8nc @ 4.5v		520pf @ 15V	-
MJD117-TP	-	RFQ	3383	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MJD117		1.75 w	D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MJD117-TPTR	귀 99	8541.29.0095	2,500													100 v	2 a	10NA	PNP	3V @ 40MA, 4A	1000 @ 2a, 3v	25MHz
BC369-BP	-	RFQ	9408	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC369		625 MW	To-92	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-BC369-BP	귀 99	8541.21.0095	1,000													20 v	1 a	10µA (ICBO)	PNP	500mv @ 100ma, 1a	85 @ 500ma, 1V	65MHz
BCP56-16-TP	0.5000	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BCP56		1.5 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500													80 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	100MHz
DTC143EE-TP	0.0426	RFQ	1020	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		표면 표면	SOT-523	DTC143		150 MW	SOT-523	다운로드				353-DTC143EE-TP	귀 99	8541.21.0095	1													50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	20 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
BC847AM3-TP	0.0371	RFQ	5616	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOT-723	BC847		265 MW	SOT-723	다운로드				353-BC847AM3-TP	귀 99	8541.21.0075	1													50 v	100 MA	1MA	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	100MHz
MCS8820-TP	-	RFQ	3270	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	MCS8820	MOSFET (금속 (()	-	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수			353-MCS8820-TPTR	귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널)		20V	7a		21mohm @ 7a, 10V	1.1V @ 250µA	8NC @ 4.5V		650pf @ 10V	-
8050SS-D-AP	-	RFQ	6500	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	8050 년대		1 W.	To-92	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-8050SS-D-APTB	귀 99	8541.29.0075	2,000													25 v	1.5 a	100NA	NPN	500mv @ 80ma, 800ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz
MMBT3904-TP	0.1000	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT3904		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													40 v	200 MA	50NA (ICBO)	NPN	300mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
MCQ4828-TP	-	RFQ	7881	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCQ4828	MOSFET (금속 (()	1.25W (TA)	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MCQ4828-TPTR	귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)		60V	4.5A (TA)		56MOHM @ 4.5A, 10V	3V @ 250µA	10.5nc @ 10v		540pf @ 30V	-
SI3404-TP	0.4900	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI3404	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	5.8A (TJ)	4.5V, 10V	28mohm @ 5.8a, 10V	3V @ 250µA		± 20V	820 pf @ 15 v	-	350MW
2SB647L-D-AP	-	RFQ	3015	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	2SB647		750 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	1,000													80 v	1 a	10µA (ICBO)	PNP	1V @ 50MA, 500MA	160 @ 150ma, 5V	140MHz
MPSW01A-AP	-	RFQ	4395	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	MPSW01		625 MW	To-92	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-MPSW01A-APTB	귀 99	8541.21.0095	2,000													40 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 100ma, 1a	60 @ 100MA, 1V	50MHz
MMST3904-TP-HF	-	RFQ	9832	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	MMST3904		200 MW	SOT-323	다운로드				353-MMST3904-TP-HF	귀 99	8541.21.0075	1													40 v	200 MA	50NA	NPN	300mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
2SD1781-R-TP	-	RFQ	9922	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SD1781		200 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-2SD1781-R-TPTR			3,000													32 v	800 MA	500NA (ICBO)		400mv @ 50ma, 500ma	180 @ 100MA, 3V	100MHz
BDX33D-BP	-	RFQ	5748	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BDX33		2 w	TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000													100 v	10 a	500µA	npn-달링턴	2.5V @ 6MA, 3A	750 @ 3a, 3v	-
2SB1132-R-TP	-	RFQ	4005	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2SB1132		500MW	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	1,000													32 v	1 a	500NA (ICBO)	PNP	500mv @ 100ma, 2a	180 @ 100MA, 2V	150MHz
SI2101-TP	-	RFQ	3217	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI2101	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.4A (TJ)	1.8V, 4.5V	100mohm @ 1a, 4.5v	1.2V @ 250µA		± 8V	640 pf @ 8 v	-	290MW
DTC114EKA-TP	-	RFQ	4848	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC114		200 MW	SOT-23-3L	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	250MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
BC817-16Whee3-TP	0.2400	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC817		200 MW	SOT-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000													45 v	500 MA	100NA (ICBO)		700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 500ma, 1V	100MHz
BSS84KT-TP	0.2900	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	BSS84	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	60 v	260MA (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 200ma, 10V	2V @ 250µA	1.6 NC @ 10 v	± 20V	32 pf @ 30 v	-	270MW
MCQ4406A-TP	0.4500	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCQ4406	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	12MOHM @ 8A, 10V	2.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	950 pf @ 15 v	-	2.5W
MS8050-H-TP	0.0257	RFQ	2252	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MS8050		200 MW	SOT-23	-				353-MS8050-H-TP	귀 99	8541.21.0075	1													40 v	800 MA	100NA	NPN	500mv @ 80ma, 800ma	80 @ 100MA, 1V	150MHz
2SA1577-P-AP	-	RFQ	8194	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2SA1577		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	1,000													32 v	500 MA	1µA (ICBO)	PNP	400mv @ 10ma, 100ma	82 @ 10ma, 3v	200MHz
BC817K-25-TP	0.0315	RFQ	4552	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		500MW	SOT-23	다운로드				353-BC817K-25-TP	귀 99	8541.21.0075	1													45 v	500 MA	100µA (ICBO)	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz
BC848BL3-TP	0.0438	RFQ	6967	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883	BC848		150 MW	DFN1006-3	다운로드				353-BC848BL3-TP	귀 99	8541.21.0075	1													30 v	100 MA	1MA	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
MCG30N03-TP-HF	-	RFQ	2004	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	MCG30	MOSFET (금속 (()		DFN3030	-	Rohs3 준수			353-MCG30N03-TP-HF	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 10a, 10V	2.3V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	1490 pf @ 15 v	-	25W
BC556B-BP	-	RFQ	4265	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC556		625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수			353-BC556B-BP	귀 99	8541.21.0075	1													65 v	100 MA	100NA	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	180 @ 2MA, 5V	150MHz
BC857EHE3-TP	0.2400	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857		310 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BC857EHE3-TPTR	귀 99	8541.21.0095	3,000													45 v	100 MA	15NA	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	125 @ 2MA, 5V	200MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (1872)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²