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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BC556B-AP | - | ![]() | 8957 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC556 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 353-BC556B-AP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 v | 100 MA | 100NA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 180 @ 2MA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||
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![]() | BC847AL3-TP | 0.0375 | ![]() | 6210 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BC847 | 150 MW | DFN1006-3 | 다운로드 | 353-BC847AL3-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 MA | 1MA | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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