전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MCQ16N03-TP | 0.3706 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MCQ16N03 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCQ16N03-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 16A | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | 1550 pf @ 15 v | - | 2.5W | ||||||||||||
![]() | MSJW20N65-BP | - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MSJW20 | - | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MSJW20N65-BP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 20A (TC) | - | - | - | ± 30V | - | - | |||||||||||||||
BDX33D-BP | - | ![]() | 5748 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BDX33 | 2 w | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 100 v | 10 a | 500µA | npn-달링턴 | 2.5V @ 6MA, 3A | 750 @ 3a, 3v | - | |||||||||||||||||||
![]() | DMMT5551-TP | - | ![]() | 5022 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMMT5551 | 200MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 160V | 200ma | 50NA (ICBO) | 2 npn (() 일치 한 쌍 | 150mv @ 1ma, 10ma | 80 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | MCQD09P04-TP | 0.9700 | ![]() | 6803 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MCQD09 | MOSFET (금속 (() | 1.7W (TJ) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 p 채널 | 40V | 9A (TC) | 23mohm @ 9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 75NC @ 10V | 3302pf @ 30v | 기준 | ||||||||||||||||
![]() | MMS8550-L-TP | 0.0257 | ![]() | 1180 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMS8550 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 50MA, 1V | 150MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907A-TP | 0.1000 | ![]() | 959 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2907 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 v | 600 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | KTC4075-BL-TP | - | ![]() | 6061 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | KTC4075 | 100MW | SOT-323 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 350 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MCB130N10YA-TP | 1.9500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MCB130 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 130A (TC) | 10V | 4.6mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 4600 pf @ 50 v | - | 260W (TC) | |||||||||||||
![]() | MMBT3904-TP | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3904 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SC2383P-O-TP | 0.1579 | ![]() | 5654 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SC2383 | 500MW | SOT-89 | 다운로드 | 353-2SC2383P-O-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 160 v | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 200ma, 5V | 20MHz | |||||||||||||||||||
![]() | S9014-D-AP | - | ![]() | 1641 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | S9014 | 400MW | To-92 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 MA | 100NA | NPN | 300mv @ 5ma, 100ma | 400 @ 1ma, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MPSA92-AP | - | ![]() | 7616 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPSA92 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300 v | 300 MA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2ma, 20ma | 80 @ 10ma, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||
![]() | KTC4373-O-TP | - | ![]() | 7855 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | KTC4373 | 500MW | SOT-89 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 v | 800 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 80 @ 100MA, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC2411-P-TP | 0.0840 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SC2411 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-2SC2411-P-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 32 v | 500 MA | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50ma, 500ma | 82 @ 100MA, 3V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DTC144TCA-TP | 0.0340 | ![]() | 1515 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC144 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 1ma, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA143ZUAHE3-TP | 0.2600 | ![]() | 4574 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA143 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 6,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- + 다이오드 | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | BD136-16-BP | - | ![]() | 3535 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD136 | 1.25 w | TO-126 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 45 v | 1.5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | - | ||||||||||||||||||
![]() | SI3415-TP | 0.4200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI3415 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 17.2 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1450 pf @ 10 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||||
![]() | DTC124EKA-TP | - | ![]() | 8069 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC124 | 200 MW | SOT-23-3L | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | MCMN2012-TP | - | ![]() | 3483 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | MCMN2012 | MOSFET (금속 (() | DFN2020-6J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TA) | 1.2V, 4.5V | 11mohm @ 9.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 32 NC @ 5 v | ± 10V | 1800 pf @ 4 v | - | - | |||||||||||||
![]() | FMMT720-TP | 0.1455 | ![]() | 9600 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FMMT720 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-FMMT720-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 1.5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 330mv @ 100ma, 1.5a | 300 @ 10ma, 2v | 150MHz | |||||||||||||||||||
![]() | umt1n-tp | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMT1 | 150MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 500mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMDT2227-TP | 0.0592 | ![]() | 7677 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT2227 | 200MW | SOT-363 | 다운로드 | 353-MMDT2227-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 600ma | 10NA (ICBO) | NPN, PNP | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 50MA, 10V | 300MHz, 200MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SI3139KWA-TP | 0.0229 | ![]() | 9710 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | SI3139 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | 353-SI3139KWA-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 600ma | 1.8V, 4.5V | 850mohm @ 500ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 0.86 nc @ 4.5 v | ± 12V | 40 pf @ 16 v | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | 2SD1766-R-TP | - | ![]() | 6816 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SD1766 | 500MW | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-2SD1766-R-TPTR | 1,000 | 32 v | 1 a | 1µA (ICBO) | 800mv @ 200ma, 2a | 180 @ 500ma, 3v | 100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | UMH13N-TP-HF | 0.0663 | ![]() | 1172 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH13 | 150MW | SOT-363 | 다운로드 | 353-UMH13N-TP-HF | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7kohm | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSJU11N65-TP | - | ![]() | 9419 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MSJU11 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 30V | 901 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | |||||||||||||
![]() | DTC114ECAHE3-TP | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC114 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 6,000 | 50 v | 100 MA | 100NA | npn-사전- + 다이오드 | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1980-O-AP | - | ![]() | 4980 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2SA1980 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10ma, 100ma | 70 @ 2A, 6V | 80MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고