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트랜지스터 (1872)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MPSA56-BP Micro Commercial Co MPSA56-BP -
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSA56 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 353-MPSA56-BP 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 50MHz
BC547-AP Micro Commercial Co BC547-AP -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC547 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BC547-APMSTB 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA - NPN 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
2SC3303-O-TP Micro Commercial Co 2SC3303-O-TP -
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SC3303 1 W. TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 5 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 150ma, 3a 70 @ 1a, 1v 20MHz
KTA1281-Y-AP Micro Commercial Co KTA1281-y-AP -
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KTA1281 1 W. To-92 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 2,000 50 v 2 a 2µA PNP 500mv @ 50ma, 1a 120 @ 500ma, 2V 100MHz
MCS8804-TP Micro Commercial Co MCS8804-TP -
RFQ
 ECAD 6309 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MCS8804 MOSFET (금속 (() - 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCS8804-TPTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 20V 8a 13mohm @ 8a, 10V 1V @ 250µA 17.9NC @ 4.5V 1800pf @ 10V -
BSS123-TP Micro Commercial Co BSS123-TP 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170MA TJ) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2.8V @ 250µA 2 nc @ 10 v ± 20V 60 pf @ 25 v - 350MW
2SD669-C-BP Micro Commercial Co 2SD669-C-BP -
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 2SD669 1 W. TO-126 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1,000 120 v 1.5 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 5V 140MHz
MCQ4822-TP Micro Commercial Co MCQ4822-TP 0.6200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ4822 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.5A (TA) 10V 26mohm @ 6a, 4.5v 3V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
DTA124EUA-TP Micro Commercial Co DTA124EUA-TP 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA124 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
MJE13001-AP Micro Commercial Co MJE13001-AP -
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MJE13001 1 W. To-92 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 400 v 200 MA 100µA (ICBO) NPN 500mv @ 10ma, 50ma 10 @ 20ma, 20V 8MHz
MPSA92-AP Micro Commercial Co MPSA92-AP -
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSA92 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 300 v 300 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 80 @ 10ma, 10V 50MHz
SI3139K-TP Micro Commercial Co SI3139K-TP 0.4500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 SI3139 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 660MA (TJ) 4.5V 950mohm @ 500ma, 10V 800MV @ 250µA ± 6V 170 pf @ 16 v - 150MW
MCAC80N08Y-TP Micro Commercial Co MCAC80N08Y-TP 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MCAC80 MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 80A (TC) 3.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5575 pf @ 40 v - 35W
BCX51-10-TP Micro Commercial Co BCX51-10-TP -
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX51 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 50MHz
DTC143ESA-AP Micro Commercial Co DTC143ESA-AP -
RFQ
 ECAD 6026 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 (형성 된 리드 리드) DTC143 300MW 92S 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-DTC143ESA-APTB 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BC337-25-AP Micro Commercial Co BC337-25-AP 0.4400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC337 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 200na NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 210MHz
MMBT1616A-G-TP Micro Commercial Co MMBT1616A-G-TP 0.1474
RFQ
 ECAD 5778 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT1616 350 MW SOT-23 다운로드 353-MMBT1616A-G-TP 귀 99 8541.21.0075 1 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 1a 135 @ 100MA, 2V 100MHz
2SC5343-O-AP Micro Commercial Co 2SC5343-O-AP -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2SC5343 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 70 @ 2A, 6V 80MHz
2SA1013-R-AP Micro Commercial Co 2SA1013-R-AP -
RFQ
 ECAD 8962 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 2SA1013 900 MW TO-92 모드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1,000 160 v 1 a 10µA PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 60 @ 200ma, 5V 15MHz
MCAC70N06Y-TP Micro Commercial Co MCAC70N06Y-TP -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MCAC70 MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 Rohs3 준수 353-MCAC70N06Y-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 70A 10V 7mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2122 pf @ 30 v - 85W
BCP56-16-TP Micro Commercial Co BCP56-16-TP 0.5000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
SICW080N120Y4-BP Micro Commercial Co SICW080N120Y4-BP 15.2100
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SICW080 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-SICW080N120Y4-BP 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 1200 v 39a 18V 85mohm @ 20a, 18V 3.6V @ 5mA 41 NC @ 18 v +22V, -8V 890 pf @ 1000 v - 223W (TC)
MCU09N20-TP Micro Commercial Co MCU09N20-TP 0.5556
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MCU09 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 353-MCU09N20-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 250mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 11.8 nc @ 10 v ± 30V 509 pf @ 25 v - 83W (TC)
BC848AWHE3-TP Micro Commercial Co BC848AWHE3-TP 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-BC848AWHE3-TPTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 150MHz
SI2312A-TP Micro Commercial Co SI2312A-TP 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2312 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-SI2312A-TPTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5a 2.5V, 4.5V 25mohm @ 3.4a, 4.5v 900MV @ 250µA ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.2W
MMSS8550W-L-TP Micro Commercial Co MMSS8550W-L-TP 0.0386
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMSS8550 200 MW SOT-323 다운로드 353-MMSS8550W-L-TP 귀 99 8541.21.0075 1 25 v 1.5 a 100NA PNP 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
S9013-G-AP Micro Commercial Co S9013-G-AP -
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 S9013 625 MW To-92 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-S9013-G-APTB 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 500 MA 100NA NPN 600mv @ 50ma, 500ma 112 @ 50MA, 1V 150MHz
BC857CL3-TP Micro Commercial Co BC857CL3-TP 0.0375
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC857 150 MW DFN1006-3 다운로드 353-BC857CL3-TP 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
2SC3303-BP Micro Commercial Co 2SC3303-BP -
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SC3303 1 W. TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 5 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 150ma, 3a 70 @ 1a, 1v 20MHz
BC327-AP Micro Commercial Co BC327-AP -
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC327 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BC327-APMSTB 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 200na PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 260MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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