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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
30N03A UMW 30N03A 0.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1963 pf @ 15 v - 105W (TC)
2N65L UMW 2N65L 0.7400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 650 v 2A (TJ) 10V 5.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 311 pf @ 25 v - -
STD15NF10L UMW STD15NF10L 1.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 26.2 NC @ 10 v ± 20V 1535 pf @ 15 v - 2W (TA), 34.7W (TC)
AO4486 UMW AO4486 0.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 n 채널 100 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 79mohm @ 5a, 10V 2.7V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 942 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
STD30NF06L UMW STD30NF06L 0.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1562 pf @ 25 v - 55W (TC)
50N06 UMW 50N06 0.7600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2928 pf @ 25 v - 105W (TC)
SI2305A UMW SI2305A 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 p 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 4.2A, 4.5V 40mohm 500MV @ 250µA 10.6 NC @ 4.5 v ± 12V 740 pf @ 15 v - 1.38W (TA)
1N65L UMW 1N65L 0.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 650 v 1A (TJ) 10V 11ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.8 NC @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - -
2N7002 UMW 2N7002 0.2400
RFQ
ECAD 3128 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
100N03A UMW 100N03A 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1963 pf @ 15 v - 105W (TC)
SI2307A UMW SI2307A 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 15 v ± 20V 565 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
BSS84 UMW BSS84 0.3700
RFQ
ECAD 7533 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 300MW (TA)
AO4410 UMW AO4410 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 18a, 10V 1.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 12V 10500 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
SI2308A UMW SI2308A 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1.25W (TA)
AO3400A UMW AO3400A 0.3800
RFQ
ECAD 149 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 2.5V, 10V 27mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 1050 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
FDN340P UMW FDN340p 0.1000
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 70mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 8V 600 pf @ 10 v - 1.1W (TA)
SI2328A UMW SI2328A 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 1.15A (TA) 4.5V, 10V 245mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 4 NC @ 10 v ± 20V - 730MW (TA)
1N60L UMW 1N60L 0.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 600 v 1A (TJ) 10V 11ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.8 NC @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - -
25N06 UMW 25N06 0.7900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 19a, 10V 2V @ 250µA 21.2 NC @ 10 v ± 20V 939 pf @ 30 v - 36.2W (TC)
SI2304A UMW SI2304A 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v ± 20V 555 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
35N06 UMW 35N06 0.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 2,500 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 19a, 10V 2V @ 250µA 21.2 NC @ 10 v ± 20V 939 pf @ 30 v - 36.2W (TC)
AO4405 UMW AO4405 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 p 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 520 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
AO3404A UMW AO3404A 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5.8a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 820 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
S8550 UMW S8550 0.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 25 v 500 MA 100NA PNP 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 1V 150MHz
AO4485 UMW AO4485 1.0900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 40 v 10A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 20 v - 1.7W (TA)
2N65G UMW 2N65G 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 2,500 n 채널 650 v 2A (TJ) 10V 5.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 311 pf @ 25 v - -
SI2306A UMW si2306a 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 n 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v ± 20V 555 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
15N10 UMW 15n10 0.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 15A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 19.2 NC @ 10 v ± 20V 632 pf @ 50 v - 55W (TC)
AO3423A UMW AO3423A 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 3.2 NC @ 4.5 v ± 12V 325 pf @ 4.5 v - 1.4W (TA)
S8050 UMW S8050 0.2200
RFQ
ECAD 756 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 25 v 500 MA 100NA NPN 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 1V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고