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트랜지스터 (61)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI2300A | 0.5300 |  | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 50µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 12V | 574 pf @ 10 v | - | - | ||||||||||
 | APM4953 | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | APM49 | 2W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 3,000 | 30V | 5.3A (TA) | 41mohm @ 5.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12NC @ 10V | 504pf @ 15V | 기준 | ||||||||||||||
 | AO4480 | 0.7700 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 14A, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1920 pf @ 20 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | AO3403A | 0.5000 | | 3 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 2.6a, 10V | 1.4V @ 250µA | 7.2 NC @ 10 v | ± 12V | 315 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
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 | FDN338P | 0.3500 | | 1 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 112mohm @ 2.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 405 pf @ 10 v | - | 400MW (TA) | |||||||||||
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 | SI2310A | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 3A (TA) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 780 pf @ 25 v | - | 1.38W (TA) | ||||||||||
 | AO4459 | 0.6600 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.5A (TA) | 4.5V, 10V | 42MOHM @ 6.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 520 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
 | SI2318A | 0.3600 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 4.3A (TA), 5.6A (TC) | 4.5V, 10V | 42MOHM @ 4.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9 NC @ 20 v | ± 20V | 340 pf @ 20 v | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||||||||
 | AO3415A | 0.4300 | | 7358 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 36mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 17.2 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1450 pf @ 10 v | - | 350MW (TA) | ||||||||||
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 | SI2312A | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 26mohm @ 5a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 750MW (TA) | |||||||||||
 | AO3409A | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 2.6a, 10V | 3V @ 250µA | 9 NC @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
 | SI2303 | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.7A (TA) | 4.5V, 10V | 190mohm @ 1.7a, 10V | 3V @ 250µA | 4 NC @ 4.5 v | ± 20V | 155 pf @ 15 v | - | 900MW (TA) | ||||||||||
 | 30N06 | 0.7000 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1562 pf @ 25 v | - | 55W (TC) | ||||||||||
 | SI2302A | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 45mohm @ 3.6a, 4.5v | 1.9V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 300 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | ||||||||||
 | 40N06 | 0.6900 | | 5872 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2928 pf @ 25 v | - | 105W (TC) | |||||||||||
 | FDN335N | 0.5200 | | 420 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.7A (TA) | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 1.7a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 3.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 310 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||
 | AO4466 | 0.5600 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.6 NC @ 10 v | ± 20V | 448 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
 | AO4435 | 0.5800 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||
 | STD35NF06L | 0.8800 | | 4 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 105W (TC) | ||||||||||
 | AO3413A | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 66MOHM @ 3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 8V | 745 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA) | ||||||||||
 | SI2301A | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 85mohm @ 2.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 12V | 405 pf @ 10 v | - | 400MW (TA) | ||||||||||
 | AO3414A | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 26mohm @ 4.2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 6.2 NC @ 4.5 v | ± 8V | 436 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
 | AO3407A | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.2A (TA) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250µA | 14.3 NC @ 4.5 v | ± 20V | 700 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
 | SS8050 | 0.2100 | | 1 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 1.5 a | 100NA | NPN | 500mv @ 80ma, 800ma | 120 @ 100MA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||
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