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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D(STA4,Q,M) 2.4000
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 8A(타) 10V 840m옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 1350pF @ 25V - 45W(Tc)
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-Y,Q(J -
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ECAD 8469 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4935 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 3A 1μA(ICBO) NPN 600mV @ 200mA, 2A 70 @ 500mA, 2V 80MHz
2SC2229-Y(T6ONK1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(T6ONK1FM -
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ECAD 8244 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229YT6ONK1FM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SD2257,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257,Q(J -
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ECAD 9453 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2257 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU,LF 0.4800
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ECAD 3853 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6P40 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 30V 1.4A(타) 226m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA 2.9nC @ 10V 120pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C,S1F 9.6200
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ECAD 96 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 20A(TC) 18V 145m옴 @ 10A, 18V 5V @ 1.2mA 21nC @ 18V +25V, -10V 400V에서 600pF - 76W(Tc)
2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-GR(TE85L,F 0.3500
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ECAD 41 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 2SC4207 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 섹션 이미터 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O(T6OMI,FM -
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ECAD 4250 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2383 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 160V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100MHz
2SC5354,XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354,XGQ(O -
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ECAD 1637년 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 2SC5354 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z,S1F 6.3200
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ECAD 25 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-4 MOSFET(금속) TO-247-4L(T) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 650V 30A(타) 10V 90m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47nC @ 10V ±30V 300V에서 2780pF - 230W(Tc)
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984,LF(CT 0.3500
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 47k옴
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE,LF(CT 0.2700
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1910 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
2SC5354,TOJSQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354,TOJSQ(O -
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ECAD 2914 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 2SC5354 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQ 1.3300
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ECAD 9822 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ20S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 40V 20A(타) 6V, 10V 22.2m옴 @ 10A, 10V 3V @ 1mA 37nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 1850pF - 41W(Tc)
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301,LXHF 0.3900
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2301 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092, LQ(에스 -
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ECAD 8376 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8092 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 15A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 7.5A, 10V 2.3V @ 200μA 25nC @ 10V ±20V 10V에서 1800pF - 1W(타)
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2WNLQ(J -
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ECAD 6294 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6042 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 375V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 800mA 100 @ 100mA, 5V -
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(M -
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ECAD 4332 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904,LXHF(CT 0.4400
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 47k옴 47k옴
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F(TE85L,F) -
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ECAD 3334 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1B04 300mW SM6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1V 200MHz
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CT 0.2700
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ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4987 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 47k옴
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906,LM 0.1800
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ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 320mW SOT-23-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134, LQ(에스 0.7300
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8134 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 40V 5A(타) 4.5V, 10V 52m옴 @ 2.5A, 10V 100μA에서 2V 20nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 890pF - 1W(타)
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL,S4X 1.0900
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ECAD 328 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK110A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 36A(티씨) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 18A, 10V 300μA에서 2.5V 33nC @ 10V ±20V 2040pF @ 50V - 36W(Tc)
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703,LF 0.2900
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ECAD 5173 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2703 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F) 0.2600
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1310 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL,L1Q 2.9700
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ECAD 1220 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TPWR8004 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 150A(Tc) 4.5V, 10V 0.8m옴 @ 50A, 10V 2.4V @ 1mA 103nC @ 10V ±20V 20V에서 9600pF - 1W(Ta), 170W(Tc)
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE,LF 0.5400
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6K211 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 47m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 10.8nC @ 4.5V ±10V 10V에서 510pF - 500mW(타)
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL,L1Q 1.6300
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPHR9203 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 150A(Tc) 4.5V, 10V 500μA에서 2.1V 80nC @ 10V ±20V 7540pF @ 15V - 132W(Tc)
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418(TE85L,F) 0.3400
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고