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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 전류 전류 (ID) - 최대
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H (TE12LQM) -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8031 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 13.3MOHM @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 v 2150 pf @ 10 v - -
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL (TE85L, F) 0.5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SK880 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 6 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W, S1VQ -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA TK16C60 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 130W (TC)
TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL, LQ 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TP89R103 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 9.1MOHM @ 7.5A, 10V 2.3v @ 100µa 9.8 nc @ 10 v ± 20V 820 pf @ 15 v - 1W (TC)
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 1.2 ma @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH, L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TPW4R50 MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 92A (TC) 10V 4.5mohm @ 46a, 10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 50 v - 800MW (TA), 142W (TC)
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W, S1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TK8Q65 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7.8A (TA) 10V 670mohm @ 3.9a, 10V 3.5V @ 300µA 16 nc @ 10 v ± 30V 570 pf @ 300 v - 80W (TC)
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n48fu, rf (d -
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N48 MOSFET (금속 (() 300MW US6 다운로드 1 (무제한) ssm6n48furf (d 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 100MA (TA) 3.2ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa - 15.1pf @ 3v 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL, L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH7R006 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 60A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 10a, 4.5v 2.5V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1875 pf @ 30 v - 81W (TC)
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk290p60y, Rq 1.7400
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 DTMOSV 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk290p60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 11.5A (TC) 10V 290mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 450µA 25 nc @ 10 v ± 30V 730 pf @ 300 v - 100W (TC)
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV, L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 SSM3K35 MOSFET (금속 (() VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 20 v 250MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.1ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 100µA 0.34 nc @ 4.5 v ± 10V 36 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL, RQ 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK4R4P06 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 58A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 29a, 10V 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 v ± 20V 3280 pf @ 30 v - 87W (TC)
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK16A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 16A 270mohm @ 8a, 10V - - -
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk6a45da (STA4, Q, M) 1.2500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 5.5A (TA) 10V 1.35ohm @ 2.8a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - -
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA (STA4, Q, M) 1.4000
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK7A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 6.5A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.3a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 35W (TC)
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk7a55d (sta4, q, m) 1.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK7A55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 7A (TA) 10V 1.25ohm @ 3.5a, 10V 4.4V @ 1mA 16 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 35W (TC)
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK80S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 80A (TA) 6V, 10V 3.1mohm @ 40a, 10V 3V @ 1mA 87 NC @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 10 v - 100W (TC)
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H (TE85L, FM -
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 TPC6008 MOSFET (금속 (() VS-6 (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.9A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3a, 10V 2.3v @ 100µa 4.8 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 10 v - 700MW (TA)
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H, LQ (CM -
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8062 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 9a, 10V 2.3V @ 300µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 10 v - 1W (TA)
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H (TE12L, QM -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8A05 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 13.3MOHM @ 5A, 10V 2.3v @ 1ma 15 nc @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 10 v Schottky Diode (Body) 1W (TA)
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1, S1X 1.0400
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK40E06 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 40A (TA) 10V 10.4mohm @ 20a, 10V 4V @ 300µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 30 v - 67W (TC)
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk20a60u (Q, M) -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosii 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK20A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 v ± 30V 1470 pf @ 10 v - 45W (TC)
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 (TE16L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SJ610 MOSFET (금속 (() PW-Mold 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 2A (TA) 10V 2.55ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 1mA 24 nc @ 10 v ± 20V 381 pf @ 10 v - 20W (TA)
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j206fe (te85l, f -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6J206 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4V 130mohm @ 1a, 4v 1V @ 1mA ± 8V 335 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6K202 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 30 v 2.3A (TA) 1.8V, 4V 85mohm @ 1.5a, 4v 1V @ 1mA ± 12V 270 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1 (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk50p04 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 50A (TA) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 25a, 10V 2.3V @ 500µA 38 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 10 v - 60W (TC)
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk8a65d (sta4, q, m) 2.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 tk8a65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 8A (TA) 10V 840mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 25 v - 45W (TC)
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H (TE85LFM -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8103 MOSFET (금속 (() PS-8 (2.9x2.4) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 40 v 4.8A (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 2.4a, 10V 2V @ 1mA 19 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 840MW (TA)
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU (TE85L) -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J108 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.8A (TA) 1.8V, 4V 158mohm @ 800ma, 4v 1V @ 1mA ± 8V 250 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU, LXHF 0.5500
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 1.5V, 4.5V 25.8mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 24.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 1800 pf @ 10 v - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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