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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5,S1X 4.5900
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK25E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 25A(타) 10V 140m옴 @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
TPC8035-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H(TE12L,QM -
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 ECAD 2642 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8035 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 18A(타) 4.5V, 10V 3.2m옴 @ 9A, 10V 2.3V @ 1mA 82nC @ 10V ±20V 7800pF @ 10V - 1W(타)
RN1303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303,LXHF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1303 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Y,LF 0.1800
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 ECAD 25 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4116 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931(노마크,A,Q -
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 ECAD 9650 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404S,LF -
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 ECAD 8748 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1404 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 47k옴 22kΩ
TK7R7P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7R7P10PL,RQ 1.0700
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 ECAD 27 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7R7P10 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 55A(Tc) 4.5V, 10V 7.7m옴 @ 27.5A, 10V 500μA에서 2.5V 44nC @ 10V ±20V 50V에서 2800pF - 93W(Tc)
TK13A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A60D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 6841 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 13A(타) 10V 430m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V ±30V 2300pF @ 25V - 50W(Tc)
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 4.7kΩ
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT(TPL3) 0.0527
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2105 100mW CST3 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5,S1F 11.8200
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 ECAD 45 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 TK49N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 49.2A(타) 10V 57m옴 @ 24.6A, 10V 4.5V @ 2.5mA 185nC @ 10V ±30V 300V에서 6500pF - 400W(Tc)
TDTC123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC123J,LM 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC123 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311,LXHF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2311 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K303T(TE85L,F) -
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 ECAD 5500 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K303 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.9A(타) 4V, 10V 83m옴 @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 3.3nC @ 4V ±20V 10V에서 180pF - 700mW(타)
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2602(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3213 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2602 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L(T6L1,NQ -
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 ECAD 6481 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK10S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 10A(타) 6V, 10V 28m옴 @ 5A, 10V 3V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 410pF - 25W(Tc)
2SC4213-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213-A(TE85L,F) 0.0742
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 ECAD 4305 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4213 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30A 200 @ 4mA, 2V 30MHz
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G,LF 0.6700
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 ECAD 4667 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, WLCSP SSM6J771 MOSFET(금속) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 5A(타) 2.5V, 8.5V 31m옴 @ 3A, 8.5V 1.2V @ 1mA 9.8nC @ 4.5V ±12V 10V에서 870pF - 1.2W(타)
2SA965-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O,F(J -
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 ECAD 9399 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401,LF 0.2200
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 ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E,LM 0.1800
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 ECAD 3791 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 88 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ
TK12J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60U(F) -
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 ECAD 9902 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK12J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 12A(타) 10V 400m옴 @ 6A, 10V 5V @ 1mA 14nC @ 10V ±30V 10V에서 720pF - 144W(Tc)
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4902 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 10k옴
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL,L1Q 1.2100
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN2R703 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 45A(Tc) 4.5V, 10V 2.7m옴 @ 22.5A, 10V 300μA에서 2.3V 21nC @ 10V ±20V 15V에서 2100pF - 700mW(Ta), 42W(Tc)
SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L807R,LF 0.5200
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6L807 MOSFET(금속) 1.4W(타) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V 4A(타) 39.1m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V 310pF @ 15V, 480pF @ 10V 기준
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y,T6ASHF(J -
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 ECAD 1248 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TPCC8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8003-H(TE12LQM -
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 ECAD 5379 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 TPCC8003 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.3x3.3) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 13A(타) 4.5V, 10V 16.9m옴 @ 6.5A, 10V 2.3V @ 200μA 17nC @ 10V ±20V 1300pF @ 10V - 700mW(Ta), 22W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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