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트랜지스터(2488)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
TCPP8401(TE85L,F)	-	보상요청	5604	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드	TCPP8401	MOSFET(금속)	1W	PS-8(2.9x2.4)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 및 P 채널		20V, 12V	100mA, 5.5A		3옴 @ 10mA, 4V	1.1V @ 100μA	-		9.3pF @ 3V	게임 레벨 레벨
TPCA8052-H(T2L1,VM	1.1300	보상요청	19	도시바 및 저장	U-MOSVI-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	8-PowerVDFN	TPCA8052	MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드		1(무제한)	264-TPCA8052-H(T2L1VMTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	40V	20A(타)	4.5V, 10V	11.3m옴 @ 10A, 10V	2.3V @ 200μA	25nC @ 10V	±20V	10V에서 2110pF	-	1.6W(Ta), 30W(Tc)
2SK2866(F)	-	보상요청	3399	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	2SK2866	MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	10A(타)	10V	750m옴 @ 5A, 10V	4V @ 1mA	45nC @ 10V	±30V	2040pF @ 10V	-	125W(Tc)
TK9A60D(STA4,Q,M)	2.0200	보상요청	49	도시바 및 저장	π-MOSVII	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK9A60	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	9A(타)	10V	830m옴 @ 4.5A, 10V	4V @ 1mA	24nC @ 10V	±30V	25V에서 1200pF	-	45W(Tc)
TK19A50W,S5X	2.7800	보상요청	9378	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	500V	18.5A(타)	10V	190m옴 @ 7.9A, 10V	790μA에서 3.7V	38nC @ 10V	±30V	300V에서 1350pF	-	40W(Tc)
RN1106ACT(TPL3)	-	보상요청	1344	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-101, SOT-883	RN1106		100mW	CST3	-		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 150mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V		4.7kΩ	47kΩ
RN2906FE,LXHF(CT	0.3800	보상요청	7	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2906		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500nA	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200MHz	4.7k옴	47k옴
TK5P60W,RVQ	1.8600	보상요청	10	도시바 및 저장	DTMOSIV	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TK5P60	MOSFET(금속)		DPAK	-	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널	600V	5.4A(타)	10V	900m옴 @ 2.7A, 10V	270μA에서 3.7V	10.5nC @ 10V	±30V	300V에서 380pF	-	60W(Tc)
RN2967FE(TE85L,F)	-	보상요청	6068	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2967		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100nA(ICBO)	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200MHz	10k옴	47k옴
TPH9R506PL,LQ	0.8300	보상요청	112	도시바 및 저장	U-MOSIX-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C	표면 실장	8-PowerVDFN	TPH9R506	MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	60V	34A(티씨)	4.5V, 10V	9.5m옴 @ 17A, 10V	2.5V @ 200μA	21nC @ 10V	±20V	30V에서 1910pF	-	830mW(Ta), 81W(Tc)
SSM3J66MFV,L3F	0.3800	보상요청	7	도시바 및 저장	유모스비	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	SOT-723	SSM3J66	MOSFET(금속)		베스엠	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	8,000		P채널	20V	800mA(타)	1.2V, 4.5V	390m옴 @ 800mA, 4.5V	1V @ 1mA	1.6nC @ 4.5V	+6V, -8V	10V에서 100pF	-	150mW(타)
RN4911FE,LXHF(CT	0.3800	보상요청	8	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN4911		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100nA(ICBO)	NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	120@1mA, 5V	200MHz, 250MHz	10k옴	-
SSM6L807R,LF	0.5200	보상요청	6	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드	SSM6L807	MOSFET(금속)	1.4W(타)	6-TSOP-F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 및 P 채널		30V	4A(타)		39.1m옴 @ 2A, 4.5V	1V @ 1mA	3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V		310pF @ 15V, 480pF @ 10V	기준
TDTA144E,LM	0.1800	보상요청	3791	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TDTA144		320mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500nA	PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	88 @ 5mA, 5V	250MHz	47kΩ
2SA965-O,F(J	-	보상요청	9399	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SA965		900mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800mA	100nA(ICBO)	PNP	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120MHz
SSM6J771G,LF	0.6700	보상요청	4667	도시바 및 저장	유모스비	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	6-UFBGA, WLCSP	SSM6J771	MOSFET(금속)			다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	20V	5A(타)	2.5V, 8.5V	31m옴 @ 3A, 8.5V	1.2V @ 1mA	9.8nC @ 4.5V	±12V	10V에서 870pF	-	1.2W(타)
RN1401,LF	0.2200	보상요청	19	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1401		200mW	S-미니	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 300mV, 5mA	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7kΩ	4.7kΩ
TK12J60U(F)	-	보상요청	9902	도시바 및 저장	DTMOSII	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	TK12J60	MOSFET(금속)		TO-3P(엔)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	12A(타)	10V	400m옴 @ 6A, 10V	5V @ 1mA	14nC @ 10V	±30V	10V에서 720pF	-	144W(Tc)
TPC8035-H(TE12L,QM	-	보상요청	2642	도시바 및 저장	U-MOSVI-H	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭)	TPC8035	MOSFET(금속)		8-SOP(5.5x6.0)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	18A(타)	4.5V, 10V	3.2m옴 @ 9A, 10V	2.3V @ 1mA	82nC @ 10V	±20V	7800pF @ 10V	-	1W(타)
2SC2235-Y,T6ASHF(J	-	보상요청	1248	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SC2235		900mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800mA	100nA(ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120MHz
2SC4213-A(TE85L,F)	0.0742	보상요청	4305	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	125°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	2SC4213		100mW	SC-70	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													20V	300mA	100nA(ICBO)	NPN	100mV @ 3mA, 30A	200 @ 4mA, 2V	30MHz
TPC8014(TE12L,Q,M)	-	보상요청	2019	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭)	TPC8014	MOSFET(금속)		8-SOP(5.5x6.0)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	11A(타)	4.5V, 10V	14mΩ @ 5.5A, 10V	2.5V @ 1mA	39nC @ 10V	±20V	10V에서 1860pF	-	1W(타)
TPCC8003-H(TE12LQM	-	보상요청	5379	도시바 및 저장	U-MOSVI-H	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-VDFN 옆 패드	TPCC8003	MOSFET(금속)		8-TSON 고급(3.3x3.3)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	13A(타)	4.5V, 10V	16.9m옴 @ 6.5A, 10V	2.3V @ 200μA	17nC @ 10V	±20V	1300pF @ 10V	-	700mW(Ta), 22W(Tc)
TK4R3A06PL,S4X	1.3300	보상요청	2	도시바 및 저장	U-MOSIX-H	튜브	활동적인	175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK4R3A06	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	60V	68A(Tc)	4.5V, 10V	7.2m옴 @ 15A, 4.5V	500μA에서 2.5V	48.2nC @ 10V	±20V	3280pF @ 30V	-	36W(Tc)
2SB1457(T6CNO,A,F)	-	보상요청	2426	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SB1457		900mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	1													100V	2A	10μA(ICBO)	PNP	1.5V @ 1mA, 1A	2000 @ 1A, 2V	50MHz
TPN2R703NL,L1Q	1.2100	보상요청	4	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPN2R703	MOSFET(금속)		8-TSON 고급(3.1x3.1)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	30V	45A(Tc)	4.5V, 10V	2.7m옴 @ 22.5A, 10V	300μA에서 2.3V	21nC @ 10V	±20V	15V에서 2100pF	-	700mW(Ta), 42W(Tc)
2SD1407A-Y(F)	-	보상요청	9090	도시바 및 저장	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SD1407		30W	TO-220NIS	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50													100V	5A	100μA(ICBO)	NPN	2V @ 400mA, 4A	120 @ 1A, 5V	12MHz
RN4902FE,LF(CT	0.2700	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN4902		100mW	ES6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500nA	NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	50 @ 10mA, 5V	250MHz, 200MHz	10k옴	10k옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²