전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN4904 (T5L, F, T) | - | ![]() | 1192 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4904 | 200MW | US6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN4608 (TE85L, F) | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | RN4608 | 300MW | sm6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 22kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPH2R903PL, L1Q | 0.9400 | ![]() | 8110 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosix-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 35a, 10V | 2.1V @ 200µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 2300 pf @ 15 v | - | 960MW (TA), 81W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RN1964TE85LF | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1964 | 200MW | US6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2655-Y (Hit, F, M) | - | ![]() | 8275 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SC2655 | 900 MW | TO-92 모드 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4793, WNLF (J. | - | ![]() | 2420 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SC4793 | 2 w | TO-220NIS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 v | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 50MA, 500MA | 100 @ 100ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1109ACT (TPL3) | - | ![]() | 1006 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | RN1109 | 100MW | CST3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 80 MA | 500NA | npn-사전- | 150mv @ 250µa, 5mA | 70 @ 10ma, 5V | 47 Kohms | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2119MFV (TPL3) | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | RN2119 | 150 MW | VESM | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 5MA | 120 @ 1ma, 5V | 1 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN4902FE, LF (Ct | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | RN4902 | 100MW | ES6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 50 @ 10ma, 5V | 250MHz, 200MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | RN4901FE, LF (Ct | 0.2400 | ![]() | 350 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | RN4901 | 100MW | ES6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 30 @ 10ma, 5V | 200MHz, 250MHz | 4.7kohms | 4.7kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3324-BL (TE85L, f | - | ![]() | 9331 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SC3324 | 150 MW | TO-236 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1ma, 10ma | 350 @ 2MA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2507 (TE85L, F) | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | RN2507 | 300MW | SMV | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 10kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | RFM01U7P (TE12L, F) | 1.2713 | ![]() | 3591 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 20 v | 표면 표면 | TO-243AA | RFM01U7 | 520MHz | MOSFET | PW- 미니 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 1A | 100 MA | 1.2W | 10.8dB | - | 7.2 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1837 (F, M) | - | ![]() | 5940 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SA1837 | 2 w | TO-220NIS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | 230 v | 1 a | 1µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50MA, 500MA | 100 @ 100ma, 5V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2904FE, LF | 0.2600 | ![]() | 4593 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | RN2904 | 100MW | ES6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | RN2906 (T5L, F, T) | - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN2906 | 200MW | US6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TK155A65Z, S4X | 3.1400 | ![]() | 7428 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosvi | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK155A65 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 18A (TA) | 10V | 155mohm @ 9a, 10V | 4V @ 730µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 1635 pf @ 300 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3670 (T6Cano, A, f | - | ![]() | 5777 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SK3670 | TO-92 모드 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 670MA (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1412TE85LF | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1412 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 120 @ 1ma, 5V | 250MHz | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TK55S10N1, LQ | 2.9700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TK55S10 | MOSFET (금속 (() | DPAK+ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 55A (TA) | 10V | 6.5mohm @ 27.5a, 10V | 4V @ 500µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 3280 pf @ 10 v | - | 157W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2655-Y (T6nd2, AF | - | ![]() | 3741 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SC2655 | 900 MW | TO-92 모드 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
2SC3668-Y, T2WNLF (J. | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-71 | 2SC3668 | 1 W. | MSTM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2108MFV, L3F | 0.2000 | ![]() | 3075 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | RN2108 | 150 MW | VESM | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 22 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TTA1713-GR, LF | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TTA1713 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50ma, 500ma | 180 @ 100MA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2967 (F) | - | ![]() | 8942 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK2967 | MOSFET (금속 (() | TO-3P (N) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 30A (TA) | 10V | 68mohm @ 15a, 10V | 3.5V @ 1mA | 132 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 10 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RN1109, LF (Ct | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN1109 | 100MW | SSM | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 250MHz | 47 Kohms | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||
2SC3668-O, T2CLAF (J. | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-71 | 2SC3668 | 1 W. | MSTM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K7002KF, LF | 0.3300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosvii-h | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3K7002 | MOSFET (금속 (() | S- 미니 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 400MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.5ohm @ 100ma, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 40 pf @ 10 v | - | 270MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1837 (lbsan, f, m) | - | ![]() | 2923 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SA1837 | 2 w | TO-220NIS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 v | 1 a | 1µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50MA, 500MA | 100 @ 100ma, 5V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K333R, LF | 0.4500 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosvii-h | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | SSM3K333 | MOSFET (금속 (() | SOT-23F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 100µa | 3.4 NC @ 4.5 v | ± 20V | 436 pf @ 15 v | - | 1W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고