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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L807R,LF 0.5200
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6L807 MOSFET(금속) 1.4W(타) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V 4A(타) 39.1m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V 310pF @ 15V, 480pF @ 10V 기준
2SA965-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O,F(J -
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ECAD 9399 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G,LF 0.6700
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ECAD 4667 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, WLCSP SSM6J771 MOSFET(금속) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 5A(타) 2.5V, 8.5V 31m옴 @ 3A, 8.5V 1.2V @ 1mA 9.8nC @ 4.5V ±12V 10V에서 870pF - 1.2W(타)
RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401,LF 0.2200
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ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
TK12J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60U(F) -
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ECAD 9902 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK12J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 12A(타) 10V 400m옴 @ 6A, 10V 5V @ 1mA 14nC @ 10V ±30V 10V에서 720pF - 144W(Tc)
TPC8035-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H(TE12L,QM -
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ECAD 2642 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8035 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 18A(타) 4.5V, 10V 3.2m옴 @ 9A, 10V 2.3V @ 1mA 82nC @ 10V ±20V 7800pF @ 10V - 1W(타)
2SC4213-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213-A(TE85L,F) 0.0742
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ECAD 4305 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4213 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30A 200 @ 4mA, 2V 30MHz
2SA1020-Y(T6TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6TR,A,F -
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ECAD 1681년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC4793(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793(파이오,F,M) -
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ECAD 2353 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 1.2600
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ECAD 9068 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ8S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 8A(타) 6V, 10V 104m옴 @ 4A, 10V 3V @ 1mA 19nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 890pF - 27W(Tc)
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377(TE16R1,NQ) -
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ECAD 5182 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SJ377 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 5A(타) 4V, 10V 190m옴 @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 10V에서 630pF - 20W(Tc)
2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z 0.1200
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SA1955 100mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 400mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 200mA 300 @ 10mA, 2V 130MHz
RN2413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413,LF 0.0309
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ECAD 2205 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 264-RN2413,LFTR 3,000
2SD2206(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206(T6CNO,A,F) -
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ECAD 7218 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2206 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 100V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
TK40E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10K3,S1X(S -
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ECAD 9070 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-220-3 TK40E10 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 40A(타) 15m옴 @ 20A, 10V 4V @ 1mA 84nC @ 10V 4000pF @ 10V - -
RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107,LF(CT 0.2300
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ECAD 55 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2107 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601(TE85L,F) 0.4500
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ECAD 253 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2601 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SC2655-Y(T6ND2,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6ND2,AF -
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ECAD 3741 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961(TE85L,F) 0.4800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2961 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SD1221-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1221-Y(Q) -
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ECAD 3084 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SD1221 1W PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 200 60V 3A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 300mA, 3A 100 @ 500mA, 5V 3MHz
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611(TE85L,F) 0.4700
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ECAD 325 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN1611 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ -
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111(TE12L,Q,M) -
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ECAD 7612 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8111 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 11A(타) 4V, 10V 12m옴 @ 5.5A, 10V 2V @ 1mA 107nC @ 10V ±20V 5710pF @ 10V - 1W(타)
2SK3132(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3132(Q) -
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ECAD 6621 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 2SK3132 MOSFET(금속) TO-3P(L) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 500V 50A(타) 10V 95m옴 @ 25A, 10V 3.4V @ 1mA 280nC @ 10V ±30V 11000pF @ 10V - 250W(Tc)
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E,LM 0.1800
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ECAD 3791 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 88 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3(S1SS-Q) -
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ECAD 8927 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-220-3 TK35E10 - TO-220 - RoHS 준수 1(무제한) TK35E10K3S1SSQ EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - -
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3,S4Q -
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ECAD 3753 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TJ9A10 MOSFET(금속) TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 9A(타) 10V 170m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 47nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 19W(Tc)
RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305,LXHF 0.3900
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ECAD 6080 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1305 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X 5.6700
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ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK31E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5mA 65nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A53D(STA4,Q,M) 1.3700
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ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A53 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 525V 5A(타) 10V 1.5옴 @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-Y,LF 0.3300
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고